5.2.3.7 Условно-графические обозначения полупроводниковых приборов
На электрических и радиоэлектронных схемах полупроводниковые диоды обозначаются символом, напоминающим кристаллический детектор с парой кристалл – металлическое острие, использовавшийся в 20-е годы. Вместо острия на схеме рисуется треугольник (анод), вершина, которого упирается в черту, под которой подразумевается плоскость кристалла полупроводника (катод). Эта вершина указывает направление наибольшей проводимости. Этот символ обозначения полупроводникового диода лежит в основе и для обозначения диодов разного назначения.
В таблице 5.12 даны некоторые обозначения различных видов диодов.
Таблица 5.12 – Обозначения некоторых видов диодов
Наименование |
Обозначение |
Диод (общее обозначение) |
|
Диод туннельный |
|
Стабилитрон |
|
Варикап (диод емкостной) |
|
Диод Шотки |
|
Диод светоизлучающий |
|
Некоторые обозначения тиристоров приведены в таблице 5.13
Таблица 5.13 – Обозначения некоторых видов тиристоров
Наименование |
Обозначение |
Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении |
|
Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении |
|
Тиристор диодный симметричный |
|
Тиристор триодный |
|
Условное графическое обозначение биполярных транзисторов содержит обозначение базы, эмиттера и коллектора. Базу транзистора обозначают короткой черточкой, эмиттер — наклонной линией со стрелкой. Для транзистора структуры p-n-р стрелка направлена к изображению базы, а для транзистора структуры n-p-п — от базы. Кружок на схеме символизирует корпус транзистора. Если транзистор без корпуса или входит в состав интегральной микросхемы, то кружок не ставится. В изображении лавинного транзистора используется дополнительный знак — изображение прямого угла между эмиттером и коллектором. Особенностью изображения однопереходного транзистора является то, что символ эмиттера направлен под углом к середине изображения базы, а два вывода от базы смещены к ее краям.
В таблице 5.14 даны некоторые обозначения некоторых видов биполярных транзисторов.
Таблица 5.14 – Обозначения некоторых видов биполярных транзисторов
Наименование |
Обозначение |
Транзистор типа PNP |
|
типа NPN |
|
Транзистор лавинный типа NPN |
|
Транзистор однопереходный с P-базой |
|
Транзистор однопереходный с N-базой |
|
Транзистор двухбазовый типа NPN |
|
Транзистор многоэмиттерный типа NPN |
|
При выполнении схем допускается выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например, так, как показано на рисунке 5.12.
|
Рисунок 5.12 – Пример обозначения транзисторов в зеркальном изображении |
Полевые транзисторы изображают несколько иначе. Они имеют только общее изображение корпуса в виде кружка. У полевых транзисторов с р-п переходом канал изображают в виде черточки, как базу у биполярных транзисторов. Две параллельные линии справа символизируют сток и исток полевого транзистора. Линия, продолжающая исток в противоположном направлении, представляет затвор. Соединение затвора с каналом, управляющим p-n переходом, изображается стрелкой, указывающей электропроводность канала. Стрелка, направленная к общей вертикальной черте, — полевой транзистор с каналом n-типа стрелка, идущая от общей вертикальной черты — с каналом p-типа.
Примеры построения обозначений некоторых полевых транзисторов приведены в таблице 5.15.
Таблица 5.15 – Обозначения некоторых видов полевых транзисторов
Наименование |
Обозначение |
Транзистор полевой с каналом типа N |
|
Транзистор полевой с каналом типа Р |
|
Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки: обогащенного типа с Р-каналом |
|
обедненного типа с N-каналом |
|
Размеры условных графических обозначений полупроводниковых приборов (в модульной сетке) приведены в таблице 5.18.
Таблица 5.18 – Размеры условных графических обозначений полупроводниковых приборов
Наименование |
Обозначение |
Диод
|
|
Тиристор диодный |
|
Транзистор биполярный
|
|
Транзистор полевой |
|
