Литература:

1. Зебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектрники, М.: БИНОМ, 2011, с. 54-83.

2. Парменов Ю.А. Элементы твердотельной наноэлектроники. Учебное пособие. М.: МИЭТ, 2011, гл. 2.

3. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. Ч.1, М., Техносфера, 2002, с. 9-128.

4. Sze S.M., Ng К.К., Physics of Semiconductor Devices, Wiley, 2007, р. 197-227.

5. Taur Y., Ning T.H., Fundamentals of Modern VLSI Device, 2009, p. 72-106.

6. Tsividis Ya. Operation and Modeling оf the MOS transistor, 2011

Задание для срс

1.Изучить материал лекции №2 по конспекту и по литературным источникам.

2. Для подготовки к следующей лекции ознакомиться с её материалом по конспекту лекции №3. При подготовке рекомендуется восстановить в памяти знания по физике работы МДП-транзисторов по книге В.И. Старосельский «Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники».-М : Высшее образование , Юрайт-Издат,2009, с.133-253.

Вопросы для самопроверки

1. Нарисуйте энергетическую диаграмму полупроводника р-типа (п-типа) на границе сильной инверсии.

2. Дайте определение порогового напряжения.

3. Напишите выражение для толщины обедненной области МДП-структуры при напряжении на затворе, равном пороговому.

4. Напишите формулу связи напряжения на затворе с поверхностным потенциалом в полупроводнике.

5. Напишите выражение для порогового напряжения МДП-структуры.

6. Какова зависимость плотности носителей в канале от напряжения на затворе в надпороговом режиме?

7. Какова зависимость между поверхностной плотностью электронов в канале и поверхностным потенциалом в подпороговом и надпороговом режимах?

8. Напишите выражение для емкости инверсионного слоя в подпороговом и надпороговом режимах.

9. Напишите выражение для полной емкости МОП-структуры.

10. Нарисуйте вольтфарадную характеристику МОП-структуры и объясните её.

11. Что такое эквивалентная электрическая толщина подзатворного окисла?

1 Поверхностная концентрация электронов определяется как .