- •Основи електроніки навчальний посібник на базі програми схемотехнічного моделювання «multisim»
- •2.12. Поточний самоконтроль 83
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання 83
- •3.7 Поточний самоконтроль 117
- •4.13. Поточний самоконтроль 166
- •5.10. Поточний самоконтроль 195
- •6.7. Поточний самоконтроль 230
- •7.5. Поточний самоконтроль 264
- •Передмова
- •Частина 1. Базові визначення, параметри та характеристики Розділ 1. Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки.
- •1.1. Узагальнена структура інформаційних систем
- •1.2 Компоненти радіоелектронної апаратури
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2. Пасивні компоненти
- •1.2.3. Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3. Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом, в частотній та часовій областях
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3. Генератори напруги та струму
- •1.6.5. Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.6. Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.7. Типові електронні інформаційні системи
- •1.7.1. Електроніка та радіотехніка
- •1.7.2. Вимірювальна система
- •1.7.3. Аналогові та цифрові системи
- •1.8.1. Основні постулати радіоелектроніки
- •1.8.2. Наноелектроніка
- •1.9. Поточний самоконтроль
- •1.9.1. Завдання для дослідження схем в ms
- •1.9.2. Тестові контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти реа Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – напівпровідникова базова структура твердотілих компонентів реа
- •2.1. Класифікація речовин за провідністю
- •2.2. Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4. Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5. Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6. Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7. Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8. Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9. Пробій p-n переходу
- •2.10. Перехід метал-напівпровідник
- •2.11. Особливості р-n переходів та їх використання для побудови різноманітних компонентів електронної апаратури
- •2.12. Поточний самоконтроль
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1. Визначення, структура та класифікація
- •3.2. Вольт-амперна характеристика
- •3.3. Параметри нд
- •3.4. Модель та частотні властивості нд
- •3.5. Основні види пробою нд
- •3.6.Типові функціональні пристрої
- •3.6.1. Випрямлячі
- •3.6.3. Імпульсні діоди
- •3.6.4. Напівпровідникові стабілітрони. Параметричні стабілізатори напруги
- •3.6.5. Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6. Варикапи та їх використання
- •3.6.7. Діоди Шотткі
- •3.7 Поточний самоконтроль
- •3.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1. Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2.Фізичні процеси в бт
- •Повний струм колектора
- •4.3. Статичні характеристики бт
- •4.3.1. Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2. Статичні характеристики бт із сб
- •4.4. Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5. Підсилення за допомогою бт
- •4.6. Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку транзисторних схем
- •Коефіцієнт підсилення за струмом:
- •4.7. Динамічні властивості біполярних транзисторів
- •4.8. Ключовий режим бт
- •4.9. Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10. Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11. Температурний режим та пробій бт
- •4.12. Основні типи біполярних транзисторів
- •4.13. Поточний самоконтроль
- •5. Польові транзистори
- •5.1. Типи польових транзисторів
- •5.2. Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.4. Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.6. Ключовий режим мдн-транзистора
- •5.7. Температурні залежності та шуми польових транзисторів
- •5.8. Класифікація та особливості використання польових транзисторів
- •5.9. Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.10. Поточний самоконтроль
- •5.10.2.Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1. Особливості імс як активних компонентів
- •6.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3.Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1. Основні типи аіс
- •6.3.2. Схеми стабілізації режиму роботи каскаду підсилення.
- •6.3.3. Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4.Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5.Диференціальні підсилювачі
- •6.6. Операційні підсилювачі
- •6.6.1. Особливості оп
- •Р ис. 6.8. Принципова схема оп
- •6. 6. 2. Інвертувальна схема вмикання оп
- •Напругу на виході визначають напругою на конденсаторі:
- •6.6.4. Імпульсний режим оп
- •6.7. Поточний самоконтроль
- •6.7.2. Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1. Особливості оптоелектроніки
- •7.2. Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1.Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3. Випромінювальні діоди
- •7.3. Фотоелектричні напівпровідникові приймачі випромінювання
- •7.3.1. Внутрішній фотоефект
- •7.3.3. Фотодіоди
- •7.3.4. Фототранзистори
- •7.4. Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5. Поточний самоконтроль
- •7.5.1. Завдання для моделювання та дослідження схем в середовищі ms
- •Дослідити формування вихідних сигналів при надходженні інформаційних сигналів від двох джерел.
- •7.5.2.Контрольні запитання
- •Частина ш. Функціональні пристрої реа
- •8.1. Визначення, структурні схеми та класифікація підсилювачів
- •8.2. Основні характеристики та параметри еп
- •Для багато каскадного підсилювача
- •8.3. Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1. Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.2. Дослідження в частотній області.
1.6.1 Класифікація
Для побудови функціональних вузлів РЕА широко використовують типові поєднання розглянутих вище пасивних та активних компонентів. Такі схеми на базі електронних приладів (підсилювачі, генератори, перетворювачі) детально розглядаються в подальших розділах. Зараз зупинимось на типових схемних елементах на базі резисторів, індуктивностей та конденсаторів, які входять до складу майже всіх функціональних вузлів РЕА.
До найбільш поширених схемних елементів РЕА можна віднести: подільники напруги, генератори струму, генератори напруги, диференціюючі схеми, інтегруючі схеми, резонансні LC-контури, вибіркові RC-схеми.
Раджу детально вивчити ці схеми, їх характеристики та параметри, щоб в подальшому поданий нижче матеріал став надійним та доступним інструментом (без звернення до посібників) для вивчення простих та складних функціональних вузлів, пристроїв та систем РЕА.
1.6.2 Подільники напруги
Одним із поширених елементів електричних схем є подільники напруги (ПН), які ефективно використовують для керування потоками електронів, тобто для обробки ЕІС (рис. 1.11). Детально розглянемо процеси формування ЕІС за допомогою ПН. Звернемо увагу на наступне:
- сприйняття і розуміння процесів формування ЕІС за допомогою ПН шляхом зміни співвідношення опорів резисторів є першим кроком в освоєнні схемотехніки;
-
формування ЕІС з допомогою активних
компонентів (електронних ламп,
транзисторів) базується на тих же
процесах керування електронними
потоками, що і в ПН, але в даному випадку
комутація опорів відбувається майже
безінерційно та за законами зміни
вхідних сигналів.
П
Рис.1.11.
Моделювання подільника напруги.
К
оефіцієнт
передачі ПН визначається співвідношенням:
KU
= Uвих
/ U
вх = I*R2/
Uвх,
де
I
= Uвх/
(
+ R2),
отже,
Кu = R2 / ( + R2) ( 1.1.)
Ц
Рис.
1.12. Дослідження коефіцієнта передачі
подільника напруги.
Таке співвідношення підтверджується моделюванням подільника, за допомогою схеми, поданої на рис.1.12.
Необхідно
звернути увагу на два межових випадки:
якщо R1<<
R2, то КU
~ 1; якщо
R1
>> R2,
то КU
~ 0.
За допомогою потенціометрів (вручну) або активних компонентів (за законом зміни вхідних ЕІС) опір R2 регулюється в широких межах, а відтак коефіцієнт передачі змінюється від 0 до 1, що забезпечує відповідне керування електронними потоками, а значить - амплітудою вихідного сигналу.
Пропонуємо самостійно дослідити зміни вихідної напруги та зробити висновки за умов вмикання перемикачів: лише -J1; -J1, J2; - J1, J3; -J1, J2, J3; лише - J3 (рис.1.12).
При вивченні процесів формування вихідних сигналів, зокрема в електронних підсилювачах, виникають труднощі з визначенням рівнів потенціалів на електродах закритих (режим відсічки) або повністю відкритих (режим насичення) електронних приладів (електронних ламп чи транзисторів). Тому звертаємо увагу на наступне. Якщо через резистори не протікає струм, спад напруги на них відсутній, а відтак потенціали обох виводів резистора однакові та визначаються рівнем потенціалу точки, до якої підключено один з електродів. Наприклад, при відключені всіх перемикачів потенціал точки 3 дорівнює потенціалу точки 1 (на рис. 1.12 це + 12 В), тому що спад напруги на R1 відсутній. Спад напруги дорівнює нулю на резисторах R2, R3, R4, а значить потенціали точок 2, 4, 5 теж дорівнюють нулю.
В області робочих частот паразитні ємності та індуктивності резисторів можна не враховувати, а тому АЧХ подільника напруги відображається горизонтальною лінією. Відсутність частотних (лінійних) спотворень свідчить про відсутність часових спотворень, а тому форма і часові параметри імпульсів на вході та виході ПН повністю співпадають.
Зовсім інші процеси відбуваються в електричних колах при наявності конденсаторів та індуктивностей.
Подільник напруги, побудований виключно на резисторах, забезпечує постійний коефіцієнт передачі, який визначається лише співвідношенням опорів R1 та R2 і не змінюється зі зміною частоти вхідних сигналів. Для побудови ПН зі змінним коефіцієнтом передачі використовують резистори зі змінним опором – потенціометри.
