- •Основи електроніки навчальний посібник на базі програми схемотехнічного моделювання «multisim»
- •2.12. Поточний самоконтроль 83
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання 83
- •3.7 Поточний самоконтроль 117
- •4.13. Поточний самоконтроль 166
- •5.10. Поточний самоконтроль 195
- •6.7. Поточний самоконтроль 230
- •7.5. Поточний самоконтроль 264
- •Передмова
- •Частина 1. Базові визначення, параметри та характеристики Розділ 1. Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки.
- •1.1. Узагальнена структура інформаційних систем
- •1.2 Компоненти радіоелектронної апаратури
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2. Пасивні компоненти
- •1.2.3. Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3. Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом, в частотній та часовій областях
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3. Генератори напруги та струму
- •1.6.5. Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.6. Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.7. Типові електронні інформаційні системи
- •1.7.1. Електроніка та радіотехніка
- •1.7.2. Вимірювальна система
- •1.7.3. Аналогові та цифрові системи
- •1.8.1. Основні постулати радіоелектроніки
- •1.8.2. Наноелектроніка
- •1.9. Поточний самоконтроль
- •1.9.1. Завдання для дослідження схем в ms
- •1.9.2. Тестові контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти реа Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – напівпровідникова базова структура твердотілих компонентів реа
- •2.1. Класифікація речовин за провідністю
- •2.2. Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4. Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5. Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6. Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7. Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8. Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9. Пробій p-n переходу
- •2.10. Перехід метал-напівпровідник
- •2.11. Особливості р-n переходів та їх використання для побудови різноманітних компонентів електронної апаратури
- •2.12. Поточний самоконтроль
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1. Визначення, структура та класифікація
- •3.2. Вольт-амперна характеристика
- •3.3. Параметри нд
- •3.4. Модель та частотні властивості нд
- •3.5. Основні види пробою нд
- •3.6.Типові функціональні пристрої
- •3.6.1. Випрямлячі
- •3.6.3. Імпульсні діоди
- •3.6.4. Напівпровідникові стабілітрони. Параметричні стабілізатори напруги
- •3.6.5. Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6. Варикапи та їх використання
- •3.6.7. Діоди Шотткі
- •3.7 Поточний самоконтроль
- •3.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1. Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2.Фізичні процеси в бт
- •Повний струм колектора
- •4.3. Статичні характеристики бт
- •4.3.1. Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2. Статичні характеристики бт із сб
- •4.4. Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5. Підсилення за допомогою бт
- •4.6. Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку транзисторних схем
- •Коефіцієнт підсилення за струмом:
- •4.7. Динамічні властивості біполярних транзисторів
- •4.8. Ключовий режим бт
- •4.9. Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10. Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11. Температурний режим та пробій бт
- •4.12. Основні типи біполярних транзисторів
- •4.13. Поточний самоконтроль
- •5. Польові транзистори
- •5.1. Типи польових транзисторів
- •5.2. Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.4. Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.6. Ключовий режим мдн-транзистора
- •5.7. Температурні залежності та шуми польових транзисторів
- •5.8. Класифікація та особливості використання польових транзисторів
- •5.9. Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.10. Поточний самоконтроль
- •5.10.2.Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1. Особливості імс як активних компонентів
- •6.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3.Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1. Основні типи аіс
- •6.3.2. Схеми стабілізації режиму роботи каскаду підсилення.
- •6.3.3. Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4.Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5.Диференціальні підсилювачі
- •6.6. Операційні підсилювачі
- •6.6.1. Особливості оп
- •Р ис. 6.8. Принципова схема оп
- •6. 6. 2. Інвертувальна схема вмикання оп
- •Напругу на виході визначають напругою на конденсаторі:
- •6.6.4. Імпульсний режим оп
- •6.7. Поточний самоконтроль
- •6.7.2. Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1. Особливості оптоелектроніки
- •7.2. Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1.Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3. Випромінювальні діоди
- •7.3. Фотоелектричні напівпровідникові приймачі випромінювання
- •7.3.1. Внутрішній фотоефект
- •7.3.3. Фотодіоди
- •7.3.4. Фототранзистори
- •7.4. Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5. Поточний самоконтроль
- •7.5.1. Завдання для моделювання та дослідження схем в середовищі ms
- •Дослідити формування вихідних сигналів при надходженні інформаційних сигналів від двох джерел.
- •7.5.2.Контрольні запитання
- •Частина ш. Функціональні пристрої реа
- •8.1. Визначення, структурні схеми та класифікація підсилювачів
- •8.2. Основні характеристики та параметри еп
- •Для багато каскадного підсилювача
- •8.3. Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1. Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.2. Дослідження в частотній області.
8.2. Основні характеристики та параметри еп
Властивості підсилювача характеризують кількісні та якісні показники, які називають вторинними (вихідними параметрами або функціями схеми).
Коефіцієнт підсилення визначається відношенням напруги або струму (потужності) на виході підсилювача до напруги або струму (потужності) на його вході і показує, як змінився вихідний сигнал порівняно із вхідним.
Підсилювачі
будуються з використанням активних та
реактивних компонентів, а тому коефіцієнт
передачі таких подільників напруги
стає комплексною величиною. 3гідно з
призначенням підсилювача розрізняють
коефіцієнти підсилення за напругою
,
за струмом
і
за потужністю
:
(8.1)
Якщо підсилювач має п каскадів, то:
(8.2)
Тут
–
коефіцієнт підсилення, виміряний за
умови дії попереднього та наступного
каскадів багатокаскадного підсилювача.
При великому числі каскадів коефіцієнт підсилення – число громіздке для практичного використання. Зручніша для цього логарифмічна шкала Кп одиницею якої є децибел – десята частина десяткового логарифма відношення потужностей на виході і вході підсилювача (дБ) (таблиця1.1):
(
8.3
)
Враховуючи, що потужність Р пропорційна квадрату напруги або струму, для коефіцієнтів пiдсилення за напругою та струмом одержимо:
(
8.4.)
при цьому коефіцієнт підсилення багатокаскадного підсилювача
(8.5)
Характеристики підсилювача. Для оцінки спроможності ЕП передавати та перетворювати ЕІС з допустимими спотвореннями використовують амплітудно–частотні , фазо–частотні, амплітудні та перехідні характеристики (АЧХ, ФЧХ, АХ, ПХ). При аналізі диференціюючих та інтегруючих схем (розд 1.4.) ми давали визначення АЧХ. Нагадаємо, це залежність модуля коефіцієнта передачі пристрою ( підсилювача) від частоти. Для найбільш поширеного класу підсилювачів – RC-підсилювачів, які можна моделювати послідовним включенням диференціюючої та інтегруючої схем, графічне зображення АЧХ показане на рис. 8.1, а. Оскільки модуль коефіцієнта підсилення на різних частотах має різні значення, гармонічні складові вхідного сигналу підсилюються неоднаково, і форма вихідного сигналу відмінна від форми вхідного сигналу. Це явище називається частотним спотворенням і спричинене реактивними (лінійними) елементами підсилювача, опір яких залежить від частоти. Крім того, від частоти залежать і фізичні параметри напівпровідникових приладів – активних елементів схеми ЕП. На частотні спотворення впливають також ємність та індуктивність навантаження і непередбачені паразитні реактивні компоненти.
Частотні спотворення, які вносить підсилювач на частоті ƒ, враховує коефіцієнт частотних спотворень М, що дорівнює відношенню модулів коефіцієнтів підсилення на середній і даній робочій частоті:
(
8.6
)
Для багато каскадного підсилювача
(8.7)
Як правило, коефіцієнт частотних спотворень знаходять на граничних частотах нижній (ƒн.гр) ) та верхній ( ƒв.гр ) умовної смуги пропускання підсилювача, яка являє собою діапазон частот Δƒ = ƒв.гр. – ƒн.гр, в межах якого зміна модуля коефіцієнта підсилення не перевищує заданої величини Мн = Кп0 /Кп.н і Мв = Кп0 /Кп.в . В ідеальному випадку, коли підсилювач не вносить частотних спотворень (М = 1), частотна характеристика повинна бути прямою (рис.8.1.а) ), паралельною осі частот.
Рис.8.1. АЧХ (а) та ФЧХ (б)RC-підсилювача
Максимальний коефіцієнт підсилення досягається в області середніх частот. В області нижніх та верхніх частот він спадає. Граничні частоти ƒн.гр та ƒв.гр , в межах яких коефіцієнт частотних спотворень не перевищує допустимих значень, зазвичай, визначають частотами зменшення коефіцієнта підсилення за потужністю в два рази. Це відповідає зменшенню коефіцієнтів підсилення за напругою та струмом до рівня 0.707 від максимального значення, або на -3 дБл. Звертаю увагу на наступне. При досліджені пасивних схем ( диференціюючих та інтегруючих схем) максимальний коефіцієнт передачі К = 1, а тому граничні частоти визначаються на частотах, де він зменшується до -3дБл. При проведені досліджень таких схем в EWB за допомогою візірної лінії Bode Plotter визначають граничні частоти на вказаному рівні послаблення передачі сигнала. При дослідженні ЕП одержують підсилення ( наприклад + 50 дБл), а тому межові частоти необхідно визначати на рівнях 50дБл – 3 дБл = 47 дБл.
Фазочастотна характеристика відображає залежність кута зсуву фази між вхідною та вихідною напругами, або аргументу коефіцієнта підсилення К від частоти (рис. 8.1.б). Позитивне значення кута φ відповідає випередженню, а від’ємне – відставанню вихідної напруги відносно вхідної. Відзначимо, що під фазовим розуміють зсув, зумовлений реактивними елементами підсилювача, а той, що вноситься активними елементами на 180 ел. град., не беруть до уваги.
За фазочастотною характеристикою оцінюють фазові спотворення, які вносить підсилювач, порушуючи фазові співвідношення між окремими гармонічними складовими складного сигналу і змінюючи його форму на виході. Якщо фазовий кут φ пропорційний частоті, то це означає, що будь яка гармоніка складного сигналу має той самий часовий зсув τ і фазова характеристика φ=– 2πƒτ , зображена на рис.8.1.б штриховою лінією, є ідеальною. Сигнал при проходженні через ідеальний підсилювач зсувається в часі, однак його форма залишається незмінною. Нелінійний характер реальної фазочастотної характеристики вказує на різні часові зсуви для окремих гармонік сигналу складної форми. Тому фазові спотворення, які оцінюються так, як і частотні спотворення на нижній ƒн.гр і верхній ƒв.гр. граничних частотах смуги пропускання, визначаються не абсолютним значенням кута φ, а різницею ординат Ф фазочастотної характеристики і дотичних до неї (штрих пунктирні лінії на рис. 8.1.б). Очевидно, Фн = φн і Фв < φв.
З порівняння амплітудно–частотної і фазочастотної характеристик видно, що фазові спотворення свідчать про існування й частотних спотворень, всі вони зумовлені лінійними елементами схеми, тому їх і називають лінійними спотвореннями. Розглянуті характеристики використовуються при аналізі пристроїв та систем в частотній області.
Амплітудна характеристика (АХ). Амплітудна характеристика – це залежність Uвих = f(Uвх) на деякій сталій частоті (рис. 8.2.). В робочому діапазоні амплітуд вхідного сигналу від Uвх mіn до Uвх mах амплітудна характеристика майже прямолінійна (відрізок аб), а кут її нахилу задається коефіцієнтом підсилення на даній частоті.
Якщо
вхідний ЕІС відсутній, на вході діє
напруга, яка формується в результаті
впливу внутрішніх шумів та зовнішніх
завад Uвх
mіn,..
Рівень
цієї небажаної напруги визначає
мінімальне значення ЕІС, яке може
сприйматись підсилювачем, а відтак
інформаційною системою в цілому. Таким
чином значення
Uвх
mіn
визначає чутливість
ЕП. Корисний ЕІС меншої амплітуди
глушиться шумами. Шуми підсилювача
залежать, в основному, від шумів його
активних та пасивних компонентів, їх
причиною є пульсації напруги джерела
живлення, теплові процеси, а також
неоднорідність структури матеріалу
елементів і нестабільність електричних
процесів у часі.
При великих вхідних напругах (Uвх > Uвх mах) пропорційність між Uвих та Uвх порушується. Слід уяснити: максимальна амплітуда ЕІС на виході ЕП завжди обмежується напругою джерела живлення, а тому подальше збільшення амплітуди вхідного сигналу не викликає пропорційного збільшення вихідного, починається обмеження.
Динамічний діапазон. Можливість підсилювати максимальну та мінімальну напруги ЕІС за умови, що кожному миттєвому значенню вхідної напруги відповідає пропорційне значення вихідної напруги (відрізок аб на рис. 4.2), оцінюють за допомогою одного з найважливіших показників підсилювача, який називається динамічним діапазоном. Кількісно динамічний діапазон оцінюється як
(8.8)
де Uвх mах і Uвх mіn – вхідні напруги, при яких спотворення сигналу і його розрізнення на фоні шумів лежать в допустимих межах. Зазвичай цей параметр оцінюють в децибелах.
Перехідна характеристика. Це реакція ЕП ( вихідний сигнал ) при подачі на вхід східчастого сигналу. Вона дозволяє оцінити тривалість перемикання схеми, тривалість перехідних процесів. Східчасті сигнали та ПХ використовуються як тестові при аналізі в часовій області імпульсних та цифрових пристроїв.
Нелінійні спотворення. Активні компоненти відрізняються нелінійністю характеристик ( розд. ). В результаті при обробці чисто гармонічного сигналу на виході формується складний сигнал. При наявності нелінійних спотворень підсилений сигнал несе струм (напругу) першої гармоніки і струми (напруги) вищих гармонік, починаючи з другої. Рівень нелінійних спотворень чисельно оцінюється коефіцієнтом гармонік Кг, що пропорційний потужності, яка розвивається вищими гармоніками. Оскільки потужність, в свою чергу, пропорційна квадрату струму або напруги, то:
(8.9)
де Р, І1, U1 – потужність, струм та напруга першої гармоніки; п – номер гармоніки.
Для
підсилювача з m
каскадів
(8.10)
Це ілюструє рис.8.3., на якому зображені вхідна характеристика транзистора за схемою вмикання СЕ та вхідна напруга синусоїдальної форми Uвх = UВm sin ωt, що подана на базу транзистора (вхід підсилювача). З графіка видно, що вхідний (отже, і вихідний) струм відрізняється від синусоїди, оскільки нижня напівхвиля сплющена через нелінійність вхідної характеристики. Якщо на вхід подається сигнал складної форми, то через наявність нелінійних спотворень його спектральний склад на виході також змінюється. Отже, вихідний сигнал підсилювача містить гармонічні складові, які відсутні у вхідному сигналі. Інакше кажучи, в підсилювальний сигнал вносяться нелінійні спотворення.
Коефіцієнт корисної дії, що є важливим показником для підсилювачів середньої та особливо великої потужності, визначають із співвідношення
(8.11)
де Рвих – корисна вихідна потужність, яка віддається підсилювачем в навантаження; Рсп – потужність, яку споживає підсилювач від джерела живлення.
Такий коефіцієнт зазвичай використовують при аналізі вихідних ( потужних) ЕП.
