
- •Основи електроніки навчальний посібник на базі програми схемотехнічного моделювання «multisim»
- •2.12. Поточний самоконтроль 83
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання 83
- •3.7 Поточний самоконтроль 117
- •4.13. Поточний самоконтроль 166
- •5.10. Поточний самоконтроль 195
- •6.7. Поточний самоконтроль 230
- •7.5. Поточний самоконтроль 264
- •Передмова
- •Частина 1. Базові визначення, параметри та характеристики Розділ 1. Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки.
- •1.1. Узагальнена структура інформаційних систем
- •1.2 Компоненти радіоелектронної апаратури
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2. Пасивні компоненти
- •1.2.3. Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3. Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом, в частотній та часовій областях
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3. Генератори напруги та струму
- •1.6.5. Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.6. Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.7. Типові електронні інформаційні системи
- •1.7.1. Електроніка та радіотехніка
- •1.7.2. Вимірювальна система
- •1.7.3. Аналогові та цифрові системи
- •1.8.1. Основні постулати радіоелектроніки
- •1.8.2. Наноелектроніка
- •1.9. Поточний самоконтроль
- •1.9.1. Завдання для дослідження схем в ms
- •1.9.2. Тестові контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти реа Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – напівпровідникова базова структура твердотілих компонентів реа
- •2.1. Класифікація речовин за провідністю
- •2.2. Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4. Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5. Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6. Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7. Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8. Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9. Пробій p-n переходу
- •2.10. Перехід метал-напівпровідник
- •2.11. Особливості р-n переходів та їх використання для побудови різноманітних компонентів електронної апаратури
- •2.12. Поточний самоконтроль
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1. Визначення, структура та класифікація
- •3.2. Вольт-амперна характеристика
- •3.3. Параметри нд
- •3.4. Модель та частотні властивості нд
- •3.5. Основні види пробою нд
- •3.6.Типові функціональні пристрої
- •3.6.1. Випрямлячі
- •3.6.3. Імпульсні діоди
- •3.6.4. Напівпровідникові стабілітрони. Параметричні стабілізатори напруги
- •3.6.5. Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6. Варикапи та їх використання
- •3.6.7. Діоди Шотткі
- •3.7 Поточний самоконтроль
- •3.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1. Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2.Фізичні процеси в бт
- •Повний струм колектора
- •4.3. Статичні характеристики бт
- •4.3.1. Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2. Статичні характеристики бт із сб
- •4.4. Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5. Підсилення за допомогою бт
- •4.6. Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку транзисторних схем
- •Коефіцієнт підсилення за струмом:
- •4.7. Динамічні властивості біполярних транзисторів
- •4.8. Ключовий режим бт
- •4.9. Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10. Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11. Температурний режим та пробій бт
- •4.12. Основні типи біполярних транзисторів
- •4.13. Поточний самоконтроль
- •5. Польові транзистори
- •5.1. Типи польових транзисторів
- •5.2. Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.4. Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.6. Ключовий режим мдн-транзистора
- •5.7. Температурні залежності та шуми польових транзисторів
- •5.8. Класифікація та особливості використання польових транзисторів
- •5.9. Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.10. Поточний самоконтроль
- •5.10.2.Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1. Особливості імс як активних компонентів
- •6.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3.Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1. Основні типи аіс
- •6.3.2. Схеми стабілізації режиму роботи каскаду підсилення.
- •6.3.3. Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4.Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5.Диференціальні підсилювачі
- •6.6. Операційні підсилювачі
- •6.6.1. Особливості оп
- •Р ис. 6.8. Принципова схема оп
- •6. 6. 2. Інвертувальна схема вмикання оп
- •Напругу на виході визначають напругою на конденсаторі:
- •6.6.4. Імпульсний режим оп
- •6.7. Поточний самоконтроль
- •6.7.2. Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1. Особливості оптоелектроніки
- •7.2. Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1.Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3. Випромінювальні діоди
- •7.3. Фотоелектричні напівпровідникові приймачі випромінювання
- •7.3.1. Внутрішній фотоефект
- •7.3.3. Фотодіоди
- •7.3.4. Фототранзистори
- •7.4. Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5. Поточний самоконтроль
- •7.5.1. Завдання для моделювання та дослідження схем в середовищі ms
- •Дослідити формування вихідних сигналів при надходженні інформаційних сигналів від двох джерел.
- •7.5.2.Контрольні запитання
- •Частина ш. Функціональні пристрої реа
- •8.1. Визначення, структурні схеми та класифікація підсилювачів
- •8.2. Основні характеристики та параметри еп
- •Для багато каскадного підсилювача
- •8.3. Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1. Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.2. Дослідження в частотній області.
1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом, в частотній та часовій областях
Зробимо наступний важливий крок для розуміння процесів керування потоками електронів. Для забеспечення необхідних (запрограмованих) шляхів для потоків електронів, за яких досягаються бажані процеси обробки ЕІС, при проектуванні вибираються компоненти з відповідними ВАХ та виконують розрахунки за постійним струмом. При цьому визначаються номінали пасивних компонентів, які забезпечують початкові режими активних приладів.
В залежності від призначення РЕА виділяють два підходи щодо аналізу та оцінки її спроможності забезпечити запланований алгоритм обробки ЕІС з допустимими спотвореннями.
Високоякісні мікрофони, радіоканали передачі та відтворення звукових сигналів в передавачах, радіоприймачах та каналах звукового супроводження телевізорів повинні рівнозначно передавати всі гармонічні складові акустичних сигналів в діапазоні від 30 Гц до 18 кГц. Така апаратура повинна забезпечувати відповідну смугу пропускання, а для цього при створені, дослідженні та налагоджені аналізується в частотній області. При цьому як тестові використовуються гармонічні (синусоїдальні) сигнали постійної амплітуди, частота яких змінюється в досліджуваному діапазоні. Такі сигнали подаються на вхід пристрою чи системи, а на виході досліджується реакція – коефіцієнт передачі (підсилення/ослаблення). В результаті одержують залежність коефіцієнта передачі електронної апаратури від частоти. Таку залежність називають амплітудно-частотною характеристикою (АЧХ). Вана дозволяє оцінити спроможність схеми чи системи передавати ЕІС з допустимими частотними (лінійними) спотвореннями. В подальшому при аналізі підсилювачів на дискретних компонентах та ІМС постійно будемо користуватись АЧХ, а тому пропоную глибоко опанувати цим поняттям, щоб завжди бути готовим грамотно скористатись цим інструментом. Згадані спотворення називають лінійними тому, що вони викликані наявністю в схемах як передбачених так і паразитних частотозалежних лінійних елементів – конденсаторів та індуктивностей .
В частотній області зазвичай аналізують аналогові пристрої.
В імпульсних та цифрових системах одним із важливих параметрів є швидкодія. Для визначення цього параметра використовують спеціальні тестові сигнали, які подаються на вхід електронного пристрою. Порівнюючи реакцію на виході схеми із тестовим сигналом, визначають параметри та характеристики схеми та її спроможність передавати імпульси необхідної тривалості з допустимими спотвореннями. Так роблять не лише при теоретичних розрахунках, але і під час настроювання апаратури.
Для оцінки швидкодії як тестові використовують сигнали, що описуються східчастою функцією, або прямокутні імпульси. При цьому реакція схеми являє собою характеристику, яка дозволяє визначити тривалість переходу схеми з одного стану в інший і дає можливість оцінити швидкодію. Таким чином імпульсні та цифрові схеми досліджують у часовій області, що дозволяє оцінити спотворення імпульсів. Реакція схеми на східчастий сигнал, тобто зміна в часі вихідного сигналу являється перехідною характеристикою. Такі характеристики використовують як ефективний інструмент для аналізу швидкодії імпульсних та цифрових схем, а також оцінки спроможності широкосмугових підсилювачів передавати (підсилювати) імпульси з допустимими спотвореннями.
Важливо усвідомити однозначний зв`язок АЧХ та перехідної характеристики: чим ширша смуга частот електронної апаратури, тим вища швидкодія (менша тривалість перехідних процесів) і менші спотворення імпульсних сигналів.