- •Основи електроніки навчальний посібник на базі програми схемотехнічного моделювання «multisim»
- •2.12. Поточний самоконтроль 83
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання 83
- •3.7 Поточний самоконтроль 117
- •4.13. Поточний самоконтроль 166
- •5.10. Поточний самоконтроль 195
- •6.7. Поточний самоконтроль 230
- •7.5. Поточний самоконтроль 264
- •Передмова
- •Частина 1. Базові визначення, параметри та характеристики Розділ 1. Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки.
- •1.1. Узагальнена структура інформаційних систем
- •1.2 Компоненти радіоелектронної апаратури
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2. Пасивні компоненти
- •1.2.3. Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3. Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом, в частотній та часовій областях
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3. Генератори напруги та струму
- •1.6.5. Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.6. Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.7. Типові електронні інформаційні системи
- •1.7.1. Електроніка та радіотехніка
- •1.7.2. Вимірювальна система
- •1.7.3. Аналогові та цифрові системи
- •1.8.1. Основні постулати радіоелектроніки
- •1.8.2. Наноелектроніка
- •1.9. Поточний самоконтроль
- •1.9.1. Завдання для дослідження схем в ms
- •1.9.2. Тестові контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти реа Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – напівпровідникова базова структура твердотілих компонентів реа
- •2.1. Класифікація речовин за провідністю
- •2.2. Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4. Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5. Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6. Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7. Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8. Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9. Пробій p-n переходу
- •2.10. Перехід метал-напівпровідник
- •2.11. Особливості р-n переходів та їх використання для побудови різноманітних компонентів електронної апаратури
- •2.12. Поточний самоконтроль
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1. Визначення, структура та класифікація
- •3.2. Вольт-амперна характеристика
- •3.3. Параметри нд
- •3.4. Модель та частотні властивості нд
- •3.5. Основні види пробою нд
- •3.6.Типові функціональні пристрої
- •3.6.1. Випрямлячі
- •3.6.3. Імпульсні діоди
- •3.6.4. Напівпровідникові стабілітрони. Параметричні стабілізатори напруги
- •3.6.5. Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6. Варикапи та їх використання
- •3.6.7. Діоди Шотткі
- •3.7 Поточний самоконтроль
- •3.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1. Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2.Фізичні процеси в бт
- •Повний струм колектора
- •4.3. Статичні характеристики бт
- •4.3.1. Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2. Статичні характеристики бт із сб
- •4.4. Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5. Підсилення за допомогою бт
- •4.6. Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку транзисторних схем
- •Коефіцієнт підсилення за струмом:
- •4.7. Динамічні властивості біполярних транзисторів
- •4.8. Ключовий режим бт
- •4.9. Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10. Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11. Температурний режим та пробій бт
- •4.12. Основні типи біполярних транзисторів
- •4.13. Поточний самоконтроль
- •5. Польові транзистори
- •5.1. Типи польових транзисторів
- •5.2. Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.4. Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.6. Ключовий режим мдн-транзистора
- •5.7. Температурні залежності та шуми польових транзисторів
- •5.8. Класифікація та особливості використання польових транзисторів
- •5.9. Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.10. Поточний самоконтроль
- •5.10.2.Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1. Особливості імс як активних компонентів
- •6.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3.Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1. Основні типи аіс
- •6.3.2. Схеми стабілізації режиму роботи каскаду підсилення.
- •6.3.3. Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4.Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5.Диференціальні підсилювачі
- •6.6. Операційні підсилювачі
- •6.6.1. Особливості оп
- •Р ис. 6.8. Принципова схема оп
- •6. 6. 2. Інвертувальна схема вмикання оп
- •Напругу на виході визначають напругою на конденсаторі:
- •6.6.4. Імпульсний режим оп
- •6.7. Поточний самоконтроль
- •6.7.2. Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1. Особливості оптоелектроніки
- •7.2. Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1.Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3. Випромінювальні діоди
- •7.3. Фотоелектричні напівпровідникові приймачі випромінювання
- •7.3.1. Внутрішній фотоефект
- •7.3.3. Фотодіоди
- •7.3.4. Фототранзистори
- •7.4. Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5. Поточний самоконтроль
- •7.5.1. Завдання для моделювання та дослідження схем в середовищі ms
- •Дослідити формування вихідних сигналів при надходженні інформаційних сигналів від двох джерел.
- •7.5.2.Контрольні запитання
- •Частина ш. Функціональні пристрої реа
- •8.1. Визначення, структурні схеми та класифікація підсилювачів
- •8.2. Основні характеристики та параметри еп
- •Для багато каскадного підсилювача
- •8.3. Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1. Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.2. Дослідження в частотній області.
7.5. Поточний самоконтроль
7.5.1. Завдання для моделювання та дослідження схем в середовищі ms
1. Побудувати модель підсилювача на базі транзисторної оптопари (рис.7.15). Дослідити залежність вихідної напруги від вхідної, побудувати амплітудну характеристику, визначити коефіцієнт підсилення та динамічний діапазон.
2. Провести дослідження підсилювача в частотній області. Визначити верхню межову частоту і коефіцієнт підсилення при зміні опору резистора R2(500 Ом; 3 кОм; 5 кОм).
Рис.7.15. Модель підсилювача на базі транзисторної оптопари
3. Дослідити підсилювач (рис.7.15.) в часовій області. Визначити тривалість переднього фронту імпульсу.
4.
Побудувати модель підсилювача на базі
транзисторної оптопари з електричним
та оптичним керуванням (рис.7.16
).
Рис.7.16.
Модель підсилювача з електричним та
оптичним керуванням
Дослідити формування вихідних сигналів при надходженні інформаційних сигналів від двох джерел.
7.5.2.Контрольні запитання
1. Які переваги оптоелектронних приладів? Обґрунтуйте їх.
2. Чому оптоелектроніку вважають одним з напрямів функціональної електроніки?
3. Дайте визначення внутрішнього фотоефекту. Робота яких приладів ґрунтується на його використанні?
4. Дайте загальну характеристику напівпровідникових джерел випромінювання.
5. Дайте загальну характеристику напівпровідникових приймачів випромінювання.
6. Поясніть, як за допомогою ФД реалізується принцип реле.
7. Які процеси забезпечують підсилення фотоструму в біполярних та польових фототранзисторах?
8. Наведіть загальну характеристику основних типів оптопар.
9. Поясніть особливості та переваги оптоелектронних ІМС.
10. Чому у світлодіодах не використовують германій і кремній?
Частина ш. Функціональні пристрої реа
Розділ 8. ЕЛЕКТРОННІ ПІДСИЛЮВАЧІ
8.1. Визначення, структурні схеми та класифікація підсилювачів
Підсилювачі електричних інформаційних сигналів – це електронні пристрої на базі активних компонентів, за допомого яких вхідний малопотужний ЕІС керує значною потужністю джерела живлення, що направляється в навантаження, в результаті чого потужність вихідного сигналу значно перевищує потужність вхідного.
Принцип підсилення та структурну схему підсилювачів описано в першому розділі 1.3., рис.1.10. Нагадаємо – в електронних підсилювачах ( ЕП ) реалізується принцип реле (рис.1.9.), але керування електронними потоками відбувається значно досконаліше за рахунок плавної зміни опору активних компонентів в широких межах: від одиниць омів до сотень мегомів.
Електронні підсилювачі найбільш поширений клас електронних пристроїв. Їх класифікують за типом активних компонентів, видами міжкаскадного зв`язку, полосою частот, рівнем вихідної потужності та ін.
Для побудови ЕП використовують такі активні компоненти: електровакуумні лампи, біполярні транзистори, польові транзистори, оптоелектронні прилади, ІМС.
За типами міжкаскадного зв’язку виділяють: ЕП з резистивно – ємнісним зв’язком (RC-підсилювачі); ЕП з безпосереднім (гальванічним) зв’язком (підсилювачі постійного струму -ППС); трансформаторні каскади.
За смугою частот ЕІС, які пропускає підсилювач розрізняють:
підсилювачі низької частоти (ПНЧ, до 50 кГц);підсилювачі високої частоти (ПВЧ); відеопідсилювачі (широкосмугові), імпульсні; вибіркові ЕП.
Всі електронні підсилювачі підвищують потужність. Але в ряді випадків основним показником є підсилення струму або напруги. Тому електронні підсилювачі умовно поділяють на підсилювачі напруги, струму та потужності. Підсилювач напруги забезпечує на навантаженні задане значення вихідної напруги. В такому режимі підсилювач працює, якщо виконуються умови Rвх >> Rд та Rн >> Rвих, що забезпечує відносно великі зміни напруги на навантаженні при невеликих змінах струму на виході датчика Rд та навантаженні та Rн ( у вхідному та вихідному колах). В режимі підсилення струму необхідне виконання умов Rвх << Rд та Rн << Rвих, щоб у вихідному колі при малих значеннях напруги протікав струм заданого значення. Для підсилювача потужності умови узгодження вхідного кола з джерелом вхідного сигналу та вихідного кола з навантаженням для передавання максимальної потужності мають вигляд Rвх ≈ Rд та Rн ≈ Rвих.
За характером зміни в часі вхідного сигналу розрізняють підсилювачі постійного та змінного струмів. Підсилювачі постійного струму працюють при нижній частоті fн = 0. А підсилювачі змінного струму поділяються на підсилювачі низької та високої частоти.
Структура підсилювача визначається смугою частот робочого діапазону. За цією ознакою підсилювачі поділяють на вибіркові, для яких характерне відношення fв /fн <1,1 (підсилення в дуже вузькому діапазоні частот), та широкосмугові з fв /fн, яке досягає 1000 і більше.
3алежно від форм підсилюваних сигналів розрізняють підсилювачі гармонічних (синусоїдальних) та імпульсних сигналів. Оскільки імпульсні сигнали, наприклад прямокутної форми, містять в собі широкий спектр частот, імпульсні підсилювачі відносяться до класу широкосмугових. Якщо підсилення одного каскаду недостатньо, то як навантаження Rн використовується вхідне коло другого підсилювального каскаду, вихід якого під'єднується до входу третього каскаду і т. д. Підсилювач, що має кілька ступенів підсилення, називають багатокаскадним. Так, за структурою розрізняють однокаскадні та багатокаскадні підсилювачі. Трансформаторний зв'язок використовується лише в кінцевих каскадах підсилення потужності для узгодження підсилювача з навантаженням.
Дедалі більше в підсилювальній техніці використовують операційні підсилювачі в інтегральному виконанні, які одночасно задовольняють багатьом названим вище умовам. Такі підсилювачі здебільшого підсилюють напругу і використовуються для підсилення сигналів як постійного, так і змінного струму в широкому діапазоні частот.
