- •Основи електроніки навчальний посібник на базі програми схемотехнічного моделювання «multisim»
- •2.12. Поточний самоконтроль 83
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання 83
- •3.7 Поточний самоконтроль 117
- •4.13. Поточний самоконтроль 166
- •5.10. Поточний самоконтроль 195
- •6.7. Поточний самоконтроль 230
- •7.5. Поточний самоконтроль 264
- •Передмова
- •Частина 1. Базові визначення, параметри та характеристики Розділ 1. Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки.
- •1.1. Узагальнена структура інформаційних систем
- •1.2 Компоненти радіоелектронної апаратури
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2. Пасивні компоненти
- •1.2.3. Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3. Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом, в частотній та часовій областях
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3. Генератори напруги та струму
- •1.6.5. Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.6. Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.7. Типові електронні інформаційні системи
- •1.7.1. Електроніка та радіотехніка
- •1.7.2. Вимірювальна система
- •1.7.3. Аналогові та цифрові системи
- •1.8.1. Основні постулати радіоелектроніки
- •1.8.2. Наноелектроніка
- •1.9. Поточний самоконтроль
- •1.9.1. Завдання для дослідження схем в ms
- •1.9.2. Тестові контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти реа Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – напівпровідникова базова структура твердотілих компонентів реа
- •2.1. Класифікація речовин за провідністю
- •2.2. Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4. Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5. Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6. Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7. Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8. Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9. Пробій p-n переходу
- •2.10. Перехід метал-напівпровідник
- •2.11. Особливості р-n переходів та їх використання для побудови різноманітних компонентів електронної апаратури
- •2.12. Поточний самоконтроль
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1. Визначення, структура та класифікація
- •3.2. Вольт-амперна характеристика
- •3.3. Параметри нд
- •3.4. Модель та частотні властивості нд
- •3.5. Основні види пробою нд
- •3.6.Типові функціональні пристрої
- •3.6.1. Випрямлячі
- •3.6.3. Імпульсні діоди
- •3.6.4. Напівпровідникові стабілітрони. Параметричні стабілізатори напруги
- •3.6.5. Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6. Варикапи та їх використання
- •3.6.7. Діоди Шотткі
- •3.7 Поточний самоконтроль
- •3.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1. Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2.Фізичні процеси в бт
- •Повний струм колектора
- •4.3. Статичні характеристики бт
- •4.3.1. Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2. Статичні характеристики бт із сб
- •4.4. Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5. Підсилення за допомогою бт
- •4.6. Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку транзисторних схем
- •Коефіцієнт підсилення за струмом:
- •4.7. Динамічні властивості біполярних транзисторів
- •4.8. Ключовий режим бт
- •4.9. Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10. Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11. Температурний режим та пробій бт
- •4.12. Основні типи біполярних транзисторів
- •4.13. Поточний самоконтроль
- •5. Польові транзистори
- •5.1. Типи польових транзисторів
- •5.2. Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.4. Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.6. Ключовий режим мдн-транзистора
- •5.7. Температурні залежності та шуми польових транзисторів
- •5.8. Класифікація та особливості використання польових транзисторів
- •5.9. Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.10. Поточний самоконтроль
- •5.10.2.Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1. Особливості імс як активних компонентів
- •6.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3.Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1. Основні типи аіс
- •6.3.2. Схеми стабілізації режиму роботи каскаду підсилення.
- •6.3.3. Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4.Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5.Диференціальні підсилювачі
- •6.6. Операційні підсилювачі
- •6.6.1. Особливості оп
- •Р ис. 6.8. Принципова схема оп
- •6. 6. 2. Інвертувальна схема вмикання оп
- •Напругу на виході визначають напругою на конденсаторі:
- •6.6.4. Імпульсний режим оп
- •6.7. Поточний самоконтроль
- •6.7.2. Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1. Особливості оптоелектроніки
- •7.2. Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1.Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3. Випромінювальні діоди
- •7.3. Фотоелектричні напівпровідникові приймачі випромінювання
- •7.3.1. Внутрішній фотоефект
- •7.3.3. Фотодіоди
- •7.3.4. Фототранзистори
- •7.4. Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5. Поточний самоконтроль
- •7.5.1. Завдання для моделювання та дослідження схем в середовищі ms
- •Дослідити формування вихідних сигналів при надходженні інформаційних сигналів від двох джерел.
- •7.5.2.Контрольні запитання
- •Частина ш. Функціональні пристрої реа
- •8.1. Визначення, структурні схеми та класифікація підсилювачів
- •8.2. Основні характеристики та параметри еп
- •Для багато каскадного підсилювача
- •8.3. Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1. Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.2. Дослідження в частотній області.
6.7. Поточний самоконтроль
Завдання для моделювання та дослідження схем в середовищі EWB
1
.
Побудувати модель масштабного підсилювача
(рис. 6.15) та дослідити зміни коефіцієнта
підсилення і верхньої межової частоти
при збільшенні опору зворотного зв`язку
в 50 та 100 разів.
Рис. 6.15. Модель для дослідження масштабного підсилювача
2. Визначити амплітуди вхідних сигналів з метою формування складного електричного сигналу, відображеного на рис.6.16.
Розрахувати та експериментально підібрати частоти та амплітуди вхідних інформаційних сигналів.
а
б
Рис.6.16.Модель суматора а та осцилограми на вході і виході б
3. Побудувати модель (рис. 6.17) та дослідити коефіцієнт пригнічення синфазної завади.
В початковому стані на вході ОП діють: корисний інформаційний сигнал від джерела V7 (BIPOLAR VOLTAGE ) амплітудою 10 мВ та два синфазних сигнали від двох симетричних генераторів V5 та V6 амплітудою 3В. Зафіксуйте осцилограму на виході ОП. Сформуйте асиметричний сигнал завади. Для цього виставте амплітуду генератора V5 на рівні 3.005 В. Зафіксуйте та поясніть осцилограму на виході ОП.
Р
ис.
6.17. Модель дослідження впливу синфазної
завади
4. Дослідити ефективність використання емітерного повторювача для узгодження високоомного опору датчика з низькоомним опором навантаження (рис. 6.18).
Рис.6.18. Модель дослідження емітерного повторювача
При двох положеннях перемикача S1 зняти залежність вихідної напруги датчика (ХММ1) від опору навантаження (5%, 50%, 95%), коли опір навантаження підключається безпосередньо до датчика (R2) та через емітер ний повторювач (R4, ХММ2).
5. Дослідити компаратор в режимах фіксації рівнів напруги (рис. 6.19) .
Такий пристрій широко використовують при аналого-цифровому перетворенні ЕІС. На першому етапі рівень аналогового сигналу перетворюється в тривалість часу від початку пилкоподібної напруги до моменту досягнення нею рівня вхідного (аналогового, синусоїдального) сигналу.
У випадку, показаному на рис. 6.19-б, маємо 393.8 мкс. Дослідіть залежність вказаної тривалості часу від амплітуди синусоїди. Для цього амплітуду пилки встановіть на рівні 400…500 мВ, а синусоїду змінюйте від 10 до 300 мВ.
б
а
Рис. 19. Модель дослідження компаратора а та осцилограми на входах і виході б
6.7.2. Контрольні запитання
1. Які особливості ІМС як нового типу електронних приладів?
2. Як класифікують ІМС за функціональним призначенням і технологією виготовлення?
3. Розшифруйте систему умовних позначень ІМС.
4. Чому в АІС використовують генератори стабільного струму та схеми зсуву рівнів напруг?
5. Чому диференціальні підсилювачі в інтегральному виконанні знаходять широке використання?
6. Як визначається коефіцієнт пригнічення синфазної завади?
7. Які параметри має ідеальний ОП?
8. Накресліть схему неінвертуального вмикання ОП. Як визначається коефіцієнт підсилення?
9. Накресліть схему інвертуального вмикання ОП. Як визначається коефіцієнт підсилення?
10. Охарактеризуйте функціонально-вузловий метод проектування РЕА
