- •Основи електроніки навчальний посібник на базі програми схемотехнічного моделювання «multisim»
- •2.12. Поточний самоконтроль 83
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання 83
- •3.7 Поточний самоконтроль 117
- •4.13. Поточний самоконтроль 166
- •5.10. Поточний самоконтроль 195
- •6.7. Поточний самоконтроль 230
- •7.5. Поточний самоконтроль 264
- •Передмова
- •Частина 1. Базові визначення, параметри та характеристики Розділ 1. Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки.
- •1.1. Узагальнена структура інформаційних систем
- •1.2 Компоненти радіоелектронної апаратури
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2. Пасивні компоненти
- •1.2.3. Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3. Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом, в частотній та часовій областях
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3. Генератори напруги та струму
- •1.6.5. Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.6. Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.7. Типові електронні інформаційні системи
- •1.7.1. Електроніка та радіотехніка
- •1.7.2. Вимірювальна система
- •1.7.3. Аналогові та цифрові системи
- •1.8.1. Основні постулати радіоелектроніки
- •1.8.2. Наноелектроніка
- •1.9. Поточний самоконтроль
- •1.9.1. Завдання для дослідження схем в ms
- •1.9.2. Тестові контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти реа Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – напівпровідникова базова структура твердотілих компонентів реа
- •2.1. Класифікація речовин за провідністю
- •2.2. Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4. Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5. Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6. Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7. Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8. Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9. Пробій p-n переходу
- •2.10. Перехід метал-напівпровідник
- •2.11. Особливості р-n переходів та їх використання для побудови різноманітних компонентів електронної апаратури
- •2.12. Поточний самоконтроль
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1. Визначення, структура та класифікація
- •3.2. Вольт-амперна характеристика
- •3.3. Параметри нд
- •3.4. Модель та частотні властивості нд
- •3.5. Основні види пробою нд
- •3.6.Типові функціональні пристрої
- •3.6.1. Випрямлячі
- •3.6.3. Імпульсні діоди
- •3.6.4. Напівпровідникові стабілітрони. Параметричні стабілізатори напруги
- •3.6.5. Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6. Варикапи та їх використання
- •3.6.7. Діоди Шотткі
- •3.7 Поточний самоконтроль
- •3.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1. Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2.Фізичні процеси в бт
- •Повний струм колектора
- •4.3. Статичні характеристики бт
- •4.3.1. Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2. Статичні характеристики бт із сб
- •4.4. Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5. Підсилення за допомогою бт
- •4.6. Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку транзисторних схем
- •Коефіцієнт підсилення за струмом:
- •4.7. Динамічні властивості біполярних транзисторів
- •4.8. Ключовий режим бт
- •4.9. Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10. Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11. Температурний режим та пробій бт
- •4.12. Основні типи біполярних транзисторів
- •4.13. Поточний самоконтроль
- •5. Польові транзистори
- •5.1. Типи польових транзисторів
- •5.2. Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.4. Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.6. Ключовий режим мдн-транзистора
- •5.7. Температурні залежності та шуми польових транзисторів
- •5.8. Класифікація та особливості використання польових транзисторів
- •5.9. Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.10. Поточний самоконтроль
- •5.10.2.Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1. Особливості імс як активних компонентів
- •6.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3.Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1. Основні типи аіс
- •6.3.2. Схеми стабілізації режиму роботи каскаду підсилення.
- •6.3.3. Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4.Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5.Диференціальні підсилювачі
- •6.6. Операційні підсилювачі
- •6.6.1. Особливості оп
- •Р ис. 6.8. Принципова схема оп
- •6. 6. 2. Інвертувальна схема вмикання оп
- •Напругу на виході визначають напругою на конденсаторі:
- •6.6.4. Імпульсний режим оп
- •6.7. Поточний самоконтроль
- •6.7.2. Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1. Особливості оптоелектроніки
- •7.2. Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1.Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3. Випромінювальні діоди
- •7.3. Фотоелектричні напівпровідникові приймачі випромінювання
- •7.3.1. Внутрішній фотоефект
- •7.3.3. Фотодіоди
- •7.3.4. Фототранзистори
- •7.4. Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5. Поточний самоконтроль
- •7.5.1. Завдання для моделювання та дослідження схем в середовищі ms
- •Дослідити формування вихідних сигналів при надходженні інформаційних сигналів від двох джерел.
- •7.5.2.Контрольні запитання
- •Частина ш. Функціональні пристрої реа
- •8.1. Визначення, структурні схеми та класифікація підсилювачів
- •8.2. Основні характеристики та параметри еп
- •Для багато каскадного підсилювача
- •8.3. Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1. Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.2. Дослідження в частотній області.
6.3.Аналогові інтегральні мікросхеми
6.3.1. Основні типи аіс
В АІС сигнал на виході є неперервною функцією сигналу, що діє на вході. Іх відносять до лінійних схем. Аналогові інтегральні схеми за виконуваними функціями поділяють на такі підгрупи: генератори, детектори, комутатори, модулятори, перетворювачі, вторинні джерела живлення, пристрої порівняння, підсилювачі, фільтри, формувачі, багатофункціональні ІМС. Такі схеми широко використовують в апаратурі зв’язку, телебачення та телекерування, інформаційно-іагностичних системах, аналогових обчислювальних машинах, магнітофонах, радіоприймачах, вимірювальних приладах, системах контролю тощо.
Завдяки удосконаленню технології, схемотехніки та методів проектування номенклатура АІС постійно розширюється, помітно поліпшуються їхні якості. Аналогові ІМС універсальні і багатофункціональні. Це дозволяє виготовляти їх в масовому виробництві. Високоспеціалізовані ІМС мають обмежену кількість споживачів, а тому – значну вартість.
Підсилювальні ІМС складають численну та універсальну підгруппу АІС. Особливістю таких ІС є: переважне використання п-р-п структур, заміна високоомних резисторів активними транзисторними, яким притаманні великі динамічні внутрішні опори, відмова від використання міжкаскадних роздільних конденсаторів, широке використання складених транзисторів, керованих джерелами струму, параметричних стабілізаторів струму, комплементарних стуктур, диференціальних транзисторних пар, багатоелектродних транзисторів , різних термостабілізуючих кіл і т. ін.
Інтегральні підсилювачі, які випускаються промисловістю, суттєво відрізняються від подібних функціональних вузлів, побудованих на дискретних елементах за основним призначенням, функціональними можливостями, схемотехнічній складності та ін.
Аналогові пристрої відрізняються від цифрових більшою різноманітністю сигналів, виконуваних функцій, призначень, а також внутрішньою структурою. Тому уніфікація інтегральних функціональних компонентів для аналогових пристроїв можлива тільки на основі багатофункціональних вузлів.
Основними аналоговими функціями є: підсилення, генерування, порівняння, обмеження, змішування та частотна селекція сигналів, додавання, віднімання, диференціювання, інтегрування сигналів тощо. Кожна із цих функцій виконується відповідним класом аналогових ІМС. Такі схеми відносять до спеціалізованих, а тому не мають масового споживача, що робить їх економічно невигідними при використанні напівпровідникової технології. Для вирішення цієї суперечності в інтегральній схемотехніці були створені і знайшли широке використання універсальні та багатофункціональні ІМС: однокаскадні багатоцільові підсилювачі; диференціальні підсилювачі (ДП); операційні підсилювачі( ОП ); АІС широкого вжитку;
В аналогових ІМС, особливо в напівпровідникових, між окремими підсилювальними каскадами відсутні роздільні конденсатори, тому для з’єднання окремих каскадів підсилення використовується лише гальванічний (омічний) зв’язок (зв’язок за постійним струмом). Таким чином, розширюється межа частотної характеристики підсилювача до fн = 0. Тобто АІС є підсилювачами постійного струму. В той же час омічний зв’язок між каскадами обумовлює необхідність додаткових схемних рішень. Найбільш вагомими є задачі стабілізації режиму підсилювального каскаду та зсуву рівнів напруг.