- •Основи електроніки навчальний посібник на базі програми схемотехнічного моделювання «multisim»
- •2.12. Поточний самоконтроль 83
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання 83
- •3.7 Поточний самоконтроль 117
- •4.13. Поточний самоконтроль 166
- •5.10. Поточний самоконтроль 195
- •6.7. Поточний самоконтроль 230
- •7.5. Поточний самоконтроль 264
- •Передмова
- •Частина 1. Базові визначення, параметри та характеристики Розділ 1. Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки.
- •1.1. Узагальнена структура інформаційних систем
- •1.2 Компоненти радіоелектронної апаратури
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2. Пасивні компоненти
- •1.2.3. Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3. Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом, в частотній та часовій областях
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3. Генератори напруги та струму
- •1.6.5. Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.6. Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.7. Типові електронні інформаційні системи
- •1.7.1. Електроніка та радіотехніка
- •1.7.2. Вимірювальна система
- •1.7.3. Аналогові та цифрові системи
- •1.8.1. Основні постулати радіоелектроніки
- •1.8.2. Наноелектроніка
- •1.9. Поточний самоконтроль
- •1.9.1. Завдання для дослідження схем в ms
- •1.9.2. Тестові контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти реа Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – напівпровідникова базова структура твердотілих компонентів реа
- •2.1. Класифікація речовин за провідністю
- •2.2. Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4. Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5. Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6. Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7. Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8. Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9. Пробій p-n переходу
- •2.10. Перехід метал-напівпровідник
- •2.11. Особливості р-n переходів та їх використання для побудови різноманітних компонентів електронної апаратури
- •2.12. Поточний самоконтроль
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1. Визначення, структура та класифікація
- •3.2. Вольт-амперна характеристика
- •3.3. Параметри нд
- •3.4. Модель та частотні властивості нд
- •3.5. Основні види пробою нд
- •3.6.Типові функціональні пристрої
- •3.6.1. Випрямлячі
- •3.6.3. Імпульсні діоди
- •3.6.4. Напівпровідникові стабілітрони. Параметричні стабілізатори напруги
- •3.6.5. Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6. Варикапи та їх використання
- •3.6.7. Діоди Шотткі
- •3.7 Поточний самоконтроль
- •3.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1. Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2.Фізичні процеси в бт
- •Повний струм колектора
- •4.3. Статичні характеристики бт
- •4.3.1. Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2. Статичні характеристики бт із сб
- •4.4. Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5. Підсилення за допомогою бт
- •4.6. Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку транзисторних схем
- •Коефіцієнт підсилення за струмом:
- •4.7. Динамічні властивості біполярних транзисторів
- •4.8. Ключовий режим бт
- •4.9. Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10. Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11. Температурний режим та пробій бт
- •4.12. Основні типи біполярних транзисторів
- •4.13. Поточний самоконтроль
- •5. Польові транзистори
- •5.1. Типи польових транзисторів
- •5.2. Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.4. Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.6. Ключовий режим мдн-транзистора
- •5.7. Температурні залежності та шуми польових транзисторів
- •5.8. Класифікація та особливості використання польових транзисторів
- •5.9. Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.10. Поточний самоконтроль
- •5.10.2.Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1. Особливості імс як активних компонентів
- •6.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3.Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1. Основні типи аіс
- •6.3.2. Схеми стабілізації режиму роботи каскаду підсилення.
- •6.3.3. Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4.Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5.Диференціальні підсилювачі
- •6.6. Операційні підсилювачі
- •6.6.1. Особливості оп
- •Р ис. 6.8. Принципова схема оп
- •6. 6. 2. Інвертувальна схема вмикання оп
- •Напругу на виході визначають напругою на конденсаторі:
- •6.6.4. Імпульсний режим оп
- •6.7. Поточний самоконтроль
- •6.7.2. Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1. Особливості оптоелектроніки
- •7.2. Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1.Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3. Випромінювальні діоди
- •7.3. Фотоелектричні напівпровідникові приймачі випромінювання
- •7.3.1. Внутрішній фотоефект
- •7.3.3. Фотодіоди
- •7.3.4. Фототранзистори
- •7.4. Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5. Поточний самоконтроль
- •7.5.1. Завдання для моделювання та дослідження схем в середовищі ms
- •Дослідити формування вихідних сигналів при надходженні інформаційних сигналів від двох джерел.
- •7.5.2.Контрольні запитання
- •Частина ш. Функціональні пристрої реа
- •8.1. Визначення, структурні схеми та класифікація підсилювачів
- •8.2. Основні характеристики та параметри еп
- •Для багато каскадного підсилювача
- •8.3. Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1. Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.2. Дослідження в частотній області.
1.2 Компоненти радіоелектронної апаратури
1.2.1 Класифікація
Для забезпечення різноманітних процесів формування та перетворення ЕІС використовується дуже обмежене число різновидів компонентів. Їх можна розділити на лінійні і нелінійні, на пасивні та активні (електронні).
Звертаю увагу на наступне. Суть електроніки в забезпечені необхідного розподілення та керування потоками електронів. Для забезпечення запрограмованого шляху електронних потоків використовують дискретні та інтегральні прилади з відповідним взаємозв`язком між струмом та напругою. Таку залежність називають вольт-амперною характеристикою (ВАХ) відповідного компонента (резистора, транзистора). Їх широко використовують при проектуванні, досліджені та налагодженні РЕА. В подальшому при викладені матеріалу будемо постійно користуватись ВАХ.
За характером зв`язку струму з напругою виділяють два класи радіоелектронних компонентів: лінійні та нелінійні (рис.1.3).
Вольт-амперні характеристики лінійних елементів - це прямі лінії, які проходять через початок координат під постійним кутом, що визначається відповідним для конкретного елемента співвідношенням напруги до струму – тобто опором. При зміні полярності напруги характер ВАХ і відповідно опір не змінюються. Таку характеристику називають лінійною і симетричною (рис. 1.3а). Відношення напруг та струмів в точках на прямій та зворотній ділянках таких ВАХ визначають опір і залишаються постійними. Це можна забезпечити за допомогою звичайних резисторів, конденсаторів та індуктивностей. Часто конденсатори та індуктивності відносять до нелінійних компонентів.
ΔU/ΔI=R=const
ΔI/ΔU≠const
Рис.
1.3а.Лінійна симетрична ВАХ
Рис.1.3б.
Нелінійна симетрична ВАХ
Рис.
1.3в. Нелінійна несиметрична ВАХ
В
В нелінійних компонентах кут нахилу ВАХ (опір) змінюється зі зміною напруги. Такі прилади забезпечують нелінійну симетричну ВАХ (рис. 1.3б), або несиметричну (асиметричну) нелінійну ВАХ (рис.1.3в). Таку характеристику, зокрема, мають напівпровідникові діоди.
При аналізі електронних схем з нелінійними елементами (електронними вакуумними лампами, діодами, транзисторами) користуються поняттям диференціальний опір. Він визначається для виділеної робочої точки нелінійної ВАХ як співвідношення малого приросту напруги до відповідного приросту струму ΔU /ΔI. Це відношення вимірюється в одиницях опору (в омах) та визначає опір для малих сигналів.
1.2.2. Пасивні компоненти
В електротехніці процеси керування потоками електронів при передачі та перетворенні електричної енергії відбуваються з використанням пасивних компонентів, серед яких найбільш поширеними є резистори, конденсатори, індуктивності, трансформатори та прилади комутації ( рис.1.4).
П
ристрої,
побудовані виключно на перерахованих
компонентах, не можуть забезпечити
підсилення потужності ЕІС, тобто
потужність на виході менша потужності
на вході, а значить коефіцієнт підсилення
за потужністю
Кр < 1:
П
.
Рис. 1.4 Дискретні
пасивні компоненти
Типи, параметри та особливості використання перерахованих вище пасивних компонентів детально подані у довідниках.
Резистор
-
найпростіший та самий поширений тип
компонентів електро- та електронної
техніки. Державні стандарти визначають
ряди значень опорів, які випускаються
промисловістю (від 0.01 до
Ом).
Для позначення кратних та дольних
одиниць використовують терміни подані
в Таблиці 1.
Таблиця 1.
Множник |
|
|
|
|
|
|
|
|
Термін |
Тера |
Гіга |
Мега |
Кіло |
Мілі |
Мікро |
Нано |
Піко |
Позначен- ня |
Т |
Г |
М |
К |
м |
Мк |
н |
пк |
Зверніть увагу: «М» – мега, але «м» - мілі (МГц – 1 міліон герц, а мВт – 1 міліват).
Залежність між струмом та напругою в резисторах (ВАХ) являє собою пряму лінію, яка проходить через початок координат з постійним наклоном U/I, що визначається опором резистора. Така характеристика є лінійною та симетричною (рис.1.3а). В робочих діапазонах частот, коли паразитними ємностями та індуктивностями можливо знехтувати, опір резисторів залишається постійним при зміні частоти. Більшість електричних кіл, які побудовані виключно на резисторах не накопичують енергію та реагують тільки на поточне значення вхідного сигналу.
Нагадаю:
- при послідовному з`єднанні резисторів результуючий опір визначається як сума складових (R1+R2);
- при паралельному з’єднанні резисторів результуючий опір визначається за формулою:R 1 || R2 = R1* R2 / ( R1 + R2 ).
Цей вираз необхідно не тільки запам`ятати, але й розуміти. Він широко використовується при подальшому викладенні та поясненні процесів керування електронними потоками за допомогою пасивних та активних компонентів. Це базова формула.
Конденсатори - це лінійні пасивні компоненти, напруга (U), на яких пропорційна заряду (Q), а не струму (I): Q = C*U, де коефіцієнт пропорційності С визначає ємність конденсатора та є постійною величиною для конкретного приладу. Одиницею ємності є фарада. В РЕА використовують конденсатори ємністю від одиниць пікофарад (пФ) до тисяч мікрофарад (мкФ).
Для визначення ВАХ оцінюють швидкість зміни заряду, тобто струм, а відтак одержують: dQ/ dt = I = dU/dt .
Зробимо два важливих висновки:
- струм конденсаторів пропорційний швидкості зміни напруги і ця залежність є лінійною, а значить конденсатори – лінійні компоненти РЕА;
- струм через конденсатор протікає тільки при зміні напруги, а це означає, що для постійного струму конденсатори є розривом електричного кола, тобто опір конденсаторів при постійному струмові прагне до нескінченності.
Згадайте:
- при паралельному підключенні конденсаторів результуюча ємність визначається як сума складових (С1 + C2);
- при послідовному з`єднанні конденсаторів результуюча ємність визначається за формулою: С1* С2 / ( C1 + C2 ).
Важливо також пам`ятати особливості зміни напруги в часі при підключенні конденсатора до генератора напруги. Такий процес носить нелінійний, експоненціальний характер і детально розглядається в розділі (1.5.4.). Не слід відносити цю нелінійність до ВАХ. Саме через це конденсатори помилково відносять до нелінійних компонентів.
Вище відмічалось, що для постійного струму, коли частота зміни напруги дорівнює нулю (ω=0 ), конденсатори забезпечують опір, значення якого прагне до нескінченності. При підвищені частоти опір конденсаторів зменшується та визначається як Хс = 1/ ωС. Це дуже часто будемо використовувати в подальшому. Конденсатори – частотозалежні опори.
На
відміну від резисторів конденсатори є
елементами РЕА,
які накопичують енергію, а тому значення
напруги U
визначається не тільки поточним значенням
вхідної напруги, але й попереднім станом
напруги на компонентах.
Індуктивності - це лінійні пасивні компоненти, напруга на яких пропорційна швидкості зміни струму:U = L dI / dt.
Коефіцієнт пропорційності L називається індуктивністю.
Одиниця індуктивності – генрі. Зазвичай в РЕА використовують індуктивності в діапазонах генрі (Г), мілігенрі (мГ), мікрогенрі (мкГ).
Якщо
струм не змінюється (dI/dt=0),
напруга на індуктивності дорівнює нулю,
тобто для постійного струму ідеальна
індуктивність є ідеальним провідником
- коротким замиканням. Як і конденсатори,
індуктивності є частотозалежними
опорами, але їх опір з частотою збільшується
та визначається як
= ωL.
