- •Основи електроніки навчальний посібник на базі програми схемотехнічного моделювання «multisim»
- •2.12. Поточний самоконтроль 83
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання 83
- •3.7 Поточний самоконтроль 117
- •4.13. Поточний самоконтроль 166
- •5.10. Поточний самоконтроль 195
- •6.7. Поточний самоконтроль 230
- •7.5. Поточний самоконтроль 264
- •Передмова
- •Частина 1. Базові визначення, параметри та характеристики Розділ 1. Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки.
- •1.1. Узагальнена структура інформаційних систем
- •1.2 Компоненти радіоелектронної апаратури
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2. Пасивні компоненти
- •1.2.3. Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3. Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом, в частотній та часовій областях
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3. Генератори напруги та струму
- •1.6.5. Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.6. Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.7. Типові електронні інформаційні системи
- •1.7.1. Електроніка та радіотехніка
- •1.7.2. Вимірювальна система
- •1.7.3. Аналогові та цифрові системи
- •1.8.1. Основні постулати радіоелектроніки
- •1.8.2. Наноелектроніка
- •1.9. Поточний самоконтроль
- •1.9.1. Завдання для дослідження схем в ms
- •1.9.2. Тестові контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти реа Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – напівпровідникова базова структура твердотілих компонентів реа
- •2.1. Класифікація речовин за провідністю
- •2.2. Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4. Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5. Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6. Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7. Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8. Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9. Пробій p-n переходу
- •2.10. Перехід метал-напівпровідник
- •2.11. Особливості р-n переходів та їх використання для побудови різноманітних компонентів електронної апаратури
- •2.12. Поточний самоконтроль
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1. Визначення, структура та класифікація
- •3.2. Вольт-амперна характеристика
- •3.3. Параметри нд
- •3.4. Модель та частотні властивості нд
- •3.5. Основні види пробою нд
- •3.6.Типові функціональні пристрої
- •3.6.1. Випрямлячі
- •3.6.3. Імпульсні діоди
- •3.6.4. Напівпровідникові стабілітрони. Параметричні стабілізатори напруги
- •3.6.5. Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6. Варикапи та їх використання
- •3.6.7. Діоди Шотткі
- •3.7 Поточний самоконтроль
- •3.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1. Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2.Фізичні процеси в бт
- •Повний струм колектора
- •4.3. Статичні характеристики бт
- •4.3.1. Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2. Статичні характеристики бт із сб
- •4.4. Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5. Підсилення за допомогою бт
- •4.6. Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку транзисторних схем
- •Коефіцієнт підсилення за струмом:
- •4.7. Динамічні властивості біполярних транзисторів
- •4.8. Ключовий режим бт
- •4.9. Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10. Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11. Температурний режим та пробій бт
- •4.12. Основні типи біполярних транзисторів
- •4.13. Поточний самоконтроль
- •5. Польові транзистори
- •5.1. Типи польових транзисторів
- •5.2. Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.4. Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.6. Ключовий режим мдн-транзистора
- •5.7. Температурні залежності та шуми польових транзисторів
- •5.8. Класифікація та особливості використання польових транзисторів
- •5.9. Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.10. Поточний самоконтроль
- •5.10.2.Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1. Особливості імс як активних компонентів
- •6.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3.Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1. Основні типи аіс
- •6.3.2. Схеми стабілізації режиму роботи каскаду підсилення.
- •6.3.3. Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4.Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5.Диференціальні підсилювачі
- •6.6. Операційні підсилювачі
- •6.6.1. Особливості оп
- •Р ис. 6.8. Принципова схема оп
- •6. 6. 2. Інвертувальна схема вмикання оп
- •Напругу на виході визначають напругою на конденсаторі:
- •6.6.4. Імпульсний режим оп
- •6.7. Поточний самоконтроль
- •6.7.2. Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1. Особливості оптоелектроніки
- •7.2. Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1.Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3. Випромінювальні діоди
- •7.3. Фотоелектричні напівпровідникові приймачі випромінювання
- •7.3.1. Внутрішній фотоефект
- •7.3.3. Фотодіоди
- •7.3.4. Фототранзистори
- •7.4. Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5. Поточний самоконтроль
- •7.5.1. Завдання для моделювання та дослідження схем в середовищі ms
- •Дослідити формування вихідних сигналів при надходженні інформаційних сигналів від двох джерел.
- •7.5.2.Контрольні запитання
- •Частина ш. Функціональні пристрої реа
- •8.1. Визначення, структурні схеми та класифікація підсилювачів
- •8.2. Основні характеристики та параметри еп
- •Для багато каскадного підсилювача
- •8.3. Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1. Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.2. Дослідження в частотній області.
5.2. Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
Такий ПТ має два омічні переходи, які забезпечують підключення електродів витоку і стоку, та один або два керувальні переходи, які зміщуються напругою у зворотному напрямі (рис. 5.1).
З
і
зміною зворотної напруги на керувальному
p-n‑переході
(на затворі) змінюється ширина збідненої
зони, а отже, і поперечний переріз
провідного каналу.
Рис. 5.1. Структура ПТ з керувальним p-п переходом: а – з одним переходом; б – з двома переходами.
Керування струмом стоку, тобто струмом зовнішнього потужного джерела в колі навантаження, здійснюється за законом змінювання вхідного інформаційного сигналу на p-n‑переході затвора (або на двох одночасно (рис. 5.2). Через малі значення зворотних струмів потужність, яка необхідна для керування струмом в навантаженні, тобто потужність, що споживається від джерела інформаційного сигналу в колі затвора, виявляється дуже малою. Тому ПТ забезпечує підсилення електричних сигналів як за потужністю, так і за струмом та напругою.
Таким чином, ПТ з керувальним p‑n‑переходом за принципом дії нагадує вакуумний тріод. Витік ПТ – це катод, затвор – сітка, стік – анод. Але при цьому ПТ суттєво відрізняється від вакуумного тріода: для роботи ПТ не потрібно розігрівати електроди, витік та стік можна міняти місцями.
Польові
транзистори можуть бути сформовані як
з p-каналом,
так і з n‑каналом
(рис. 5.3, а).
У ПТ з керувальним p-n‑переходом
з n
Рис.
5.1. Схема вмикання ПТ із загальним
витоком
‑каналом
полярність напруг на затворі (–) і на
стоці (+) відносно витоку відповідає
полярності напруг на сітці та аноді
відносно катода вакуумного тріода,
який, як і інші підсилювальні лампи, має
«ліву» анодно-сіткову характеристику.
Це дозволяє під час використання ПТ з
керувальним п
Р
a
б
а – умовні графічні позначення; б – схема підсилювача зі спільним витоком та автоматичним зміщенням
Статичні характеристики.
Польовий транзистор має великі вхідні та вихідні опори. Тому на відміну від БТ статичні характеристики ПТ досліджуються як залежність від напруг. Вхідна характеристика через дуже малий вхідний струм не несе інформації і не використовується. Для оцінки ПТ як активного елемента електронних схем використовують дві сім’ї статичних характеристик:
характеристики керування (стокзатворні), що відображають залежність струму стоку від напруги на затворі при різних напругах на стоці: ID = f (UGS), якщо UDS = const;
вихідні характеристики (стокові), що відображають залежність струму стоку від напруги на стоці відносно витоку при різних постійних напругах на затворі:
ID = f (UDS), якщо UGS = const.
Стокзатворну характеристику ПТ з керувальним p-n‑переходом показано на рис. (5.4,а). Якщо UGS = 0, канал не перекривається, його поперечний переріз має максимальне значення, а тому і струм стоку за наявності напруги між витоком і стоком має максимальне значення IDmax. Зі збільшенням зворотної напруги на переході (напруги між затвором та витоком UGS) збіднені ділянки переходів розширюються, зменшуючи поперечний переріз каналу, струм ID зменшується.
При напрузі відсікання UGS(off) канал практично перекривається, струм стоку припиняється: ID » 0. Витік і стік стають ізольованими один від одного.
Рис. 5.4. Статичні характеристики ПТ з керувальним p-n‑переходом: а – стокзатворна; б – сім’я вихідних характеристик
Вихідні характеристики ПТ мають дві ділянки (рис.5.4, б). Перша ділянка вирізняється різкою залежністю ID зі збільшенням UDS. Розглянемо спочатку залежність ID = f (UDS), якщо UGS = 0. Струм стоку, протікаючи по каналу, створює його нееквіпотенціальність. Потенціал каналу зростає від нуля біля витоку до UD біля стоку, а це, у свою чергу, збільшує зворотну напругу на p-n‑переході в напрямі до стоку. Таким чином, найбільша ширина збідненої зони і відповідно найменший поперечний переріз каналу формуються біля стоку (див. рис. 5.2). Навіть тоді, коли затвор буде закорочений з витоком, із збільшенням напруги UDS канал звужується. При деякій напрузі на стоці UDS sat (напрузі насичення) поперечний переріз каналу біля стоку досягає мінімального значення. Подальше збільшення UDS не викликає збільшення струму стоку. Мінімальний переріз каналу автоматично підтримується на деякому рівні. Дійсно, збільшення UDS повинно було б перекрити канал, але тоді значення струму стоку досягло б нуля і припинилося б розподілення напруги вздовж каналу, а це, у свою чергу, усуває причини, які зумовлюють перекриття каналу. Зрештою з подальшим збільшенням UDS (коли UDS > UDSSat) струм стоку залишається незмінним, формується полога ділянка вихідних характеристик ПТ. Режим пологої ділянки ВАХ умовно називають режимом насичення. Зауважимо, що як такого процесу насичення у цьому випадку немає. За умови, коли UGS = 0, напруга насичення дорівнює значенню напруги відсікання UGS (off).
Струм стоку, якщо UGS = 0 і UDS = UDSSat, називають початковим струмом стоку IDss (рис. 5.4, б).
Розглянемо тепер зміщення та зміни вихідних статичних характеристик зі зміною напруги на затворі. З подачею на затвор зворотної напруги та з її збільшенням за абсолютним значенням зменшується початковий поперечний переріз каналу. Тому початкові ділянки вихідних характеристик за умови |UGS| > 0 мають менший нахил, що зумовлено більшим початковим опором каналу. При цьому на розмір збідненої зони впливають одночасно дві напруги: напруга на звороті, що формує поперечне електричне поле, і напруга на стоці, що створює поздовжне електричне поле. Напруга насичення зменшується, і для будь-якого значення напруги на затворі становить:
UDS sat = UGS (off) – UGS
Зі зменшенням напруги насичення зменшується також струм насичення стоку. Характеристики зміщуються вниз. У робочому режимі використовують пологі ділянки вихідних характеристик. За умови великої напруги на стоці, коли UDS перевищує максимальну допустиму напругу UDSmax, настає пробій структури. Тому в робочому режимі перевищення максимально допустимої напруги стоку неприпустиме.
Основні параметри польових транзисторів.
Крутість характеристики керування
.
(5.2)
Фізичне значення цього параметра полягає в тому, що він показує на скільки міліамперів змінюється струм стоку при зміні напруги на затворі на 1В, якщо UDS = const. Крутість характеризує підсилювальні властивості приладу. Для її визначення можна скористатися характеристикою керування (рис. 5.4, а). Числові значення цього параметра становлять 0,5…30 мА/В;
Внутрішній опір транзистора
.
(5.3)
З начення цього параметра для конкретного приладу можна визначити за вихідними характеристиками на пологій (робочій) ділянці (рис. 5.4, б). Оскільки струм стоку на цій ділянці змінюється дуже мало, то цей параметр має значення сотень кілоомів – одиниць мегомів.
Вхідний опір
(5.4)
Він являє собою диференціальний опір p-n‑переходу, зміщеного у зворотному напрямі. Оскільки струм затвора IG визначається зворотним струмом переходу, то вхідний опір ПТ з керувальним p-n‑переходом досягає значень 106…109 Ом.
Статичний коефіцієнт підсилення за напругою
(5.5)
Цей коефіцієнт показує, наскільки дужче на зміну струму стоку впливає зміна напруги на затворі, ніж зміна напруги на стоці. Для визначення цього параметра беруть взаємно компенсуючі за дією на струм ID прирости напруги ∆UDS і ∆UGS. Якщо UGS = const, приріст +∆UDS викликає +∆ID, тому за умови UDS = const необхідно підібрати таке значення –UGS, щоб струм стоку зменшився на таку саму величину –∆ID, і таким чином забезпечити ID = const. Оскільки вказані прирости мають різні знаки, то беруть модуль відношення.
Цей коефіцієнт визначає потенційні можливості ПТ як підсилювача напруги. Ураховуючи співвідношення 5.2 і 5.3, одержуємо:
.
(5.6)
Значення статичного коефіцієнта підсилення за напругою ПТ з керувальним переходом дорівнює декілька сотень.
Крім розглянутих параметрів, ПТ характеризується граничною частотою, на якій модуль крутизни характеристики керування зменшується в 1/Ö2 раз, вхідною CGS, прохідною CGD і вихідною CDS ємностями та максимально допустимою потужністю розсіювання PDmax. Слід зазначити, що параметри ПТ, як і в інших напівпровідникових приладах, залежать від режиму роботи, температури навколишнього середовища, а також від геометрії елементів структури.
Використовують схеми зі спільним витоком, спільним затвором та спільним стоком. Схема зі спільним витоком подібна до схеми зі спільним катодом, яка використовується в схемах на вакуумних лампах. Вона вносить постійний зсув за фазою (інвертує сигнал, виконує логічну операцію НІ), підсилює струм, напругу та забезпечує максимальний коефіцієнт підсилення за потужністю.
Схема зі спільним стоком так само, як схема зі спільним анодом (катодний повторювач) та схема зі СК (емітерний повторювач), широко використовується як трансформатор провідності для узгодження вихідних і вхідних опорів плат, блоків та ін. Коефіцієнт підсилення за напругою такої схеми менший за одиницю.
На відміну від схем із СЕ при побудові схеми зі спільним витоком ефективно використовують автоматичне зміщення точки спокою в центр стокзатворної характеристики (або біля нього). Це обумовлено тим, що ПТ із керувальним p-n‑переходом мають «ліву» характеристику (полярності напруг на стоці та затворі не збігаються). Таку схему показано на рис.(5.3, б). Для розрахунку скористаємося типовими характеристиками транзистора з керувальним p-n‑переходом (рис. 5.5).
Рис. 5.5. Типові характеристики ПТ з керувальним p-n‑переходом та n‑каналом: а – стокзатворна; б – вихідні;
Типові вхідні а та вихідні б характеристики ПТ з керувальним р-п переходом.
Розглянемо випадок, коли точка спокою знаходиться у точці А з координатами ID = 15 мА і UGS = –3,5 В. Тобто у схемі необхідно забезпечити напругу зміщення UGS = –3,5 В. На стоці діє позитивна напруга, а тому за допомогою подільника напруги, як у схемах з БТ (див. рис. 4.12), в цьому випадку неможливо забезпечити таку напругу (-UGS). Для цього потрібно: або підключити витік до загальної точки схеми (корпусу) і за допомогою додаткового джерела напруги подати на затвор –3,5 В, або зафіксувати на затворі UGS = 0, а потенціал витоку підняти (збільшити) до US = +3,5 В. (У такий спосіб забезпечення –UGS = 0 є ефективнішим, оскільки не потребує додаткового джерела живлення). У коло витоку вмикають резистор RS (див. рис. 5.3, а), а нульовий потенціал затвора фіксують за допомогою високоомного резистора RG , опір якого досягає сотень кілоомів – одиниць мегомів.
Опір резистора RS визначають з урахуванням струму стоку в точці спокою так, щоб забезпечити формування необхідного зміщення:
RS = = 5.5/15·10-3 »330 Ом.
Наявність резистора в колі витоку зумовлює негативний зворотний зв’язок за струмом, що зменшує коефіцієнт передачі підсилювача для змінної складової інформаційного сигналу. Для запобігання цьому небажаному зв’язку паралельно резистору RS вмикають конденсатор великої ємності CS, який шунтує резистор у діапазоні робочих частот підсилювача.
