- •Основи електроніки навчальний посібник на базі програми схемотехнічного моделювання «multisim»
- •2.12. Поточний самоконтроль 83
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання 83
- •3.7 Поточний самоконтроль 117
- •4.13. Поточний самоконтроль 166
- •5.10. Поточний самоконтроль 195
- •6.7. Поточний самоконтроль 230
- •7.5. Поточний самоконтроль 264
- •Передмова
- •Частина 1. Базові визначення, параметри та характеристики Розділ 1. Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки.
- •1.1. Узагальнена структура інформаційних систем
- •1.2 Компоненти радіоелектронної апаратури
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2. Пасивні компоненти
- •1.2.3. Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3. Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом, в частотній та часовій областях
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3. Генератори напруги та струму
- •1.6.5. Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.6. Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.7. Типові електронні інформаційні системи
- •1.7.1. Електроніка та радіотехніка
- •1.7.2. Вимірювальна система
- •1.7.3. Аналогові та цифрові системи
- •1.8.1. Основні постулати радіоелектроніки
- •1.8.2. Наноелектроніка
- •1.9. Поточний самоконтроль
- •1.9.1. Завдання для дослідження схем в ms
- •1.9.2. Тестові контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти реа Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – напівпровідникова базова структура твердотілих компонентів реа
- •2.1. Класифікація речовин за провідністю
- •2.2. Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4. Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5. Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6. Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7. Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8. Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9. Пробій p-n переходу
- •2.10. Перехід метал-напівпровідник
- •2.11. Особливості р-n переходів та їх використання для побудови різноманітних компонентів електронної апаратури
- •2.12. Поточний самоконтроль
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1. Визначення, структура та класифікація
- •3.2. Вольт-амперна характеристика
- •3.3. Параметри нд
- •3.4. Модель та частотні властивості нд
- •3.5. Основні види пробою нд
- •3.6.Типові функціональні пристрої
- •3.6.1. Випрямлячі
- •3.6.3. Імпульсні діоди
- •3.6.4. Напівпровідникові стабілітрони. Параметричні стабілізатори напруги
- •3.6.5. Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6. Варикапи та їх використання
- •3.6.7. Діоди Шотткі
- •3.7 Поточний самоконтроль
- •3.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1. Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2.Фізичні процеси в бт
- •Повний струм колектора
- •4.3. Статичні характеристики бт
- •4.3.1. Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2. Статичні характеристики бт із сб
- •4.4. Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5. Підсилення за допомогою бт
- •4.6. Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку транзисторних схем
- •Коефіцієнт підсилення за струмом:
- •4.7. Динамічні властивості біполярних транзисторів
- •4.8. Ключовий режим бт
- •4.9. Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10. Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11. Температурний режим та пробій бт
- •4.12. Основні типи біполярних транзисторів
- •4.13. Поточний самоконтроль
- •5. Польові транзистори
- •5.1. Типи польових транзисторів
- •5.2. Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.4. Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.6. Ключовий режим мдн-транзистора
- •5.7. Температурні залежності та шуми польових транзисторів
- •5.8. Класифікація та особливості використання польових транзисторів
- •5.9. Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.10. Поточний самоконтроль
- •5.10.2.Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1. Особливості імс як активних компонентів
- •6.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3.Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1. Основні типи аіс
- •6.3.2. Схеми стабілізації режиму роботи каскаду підсилення.
- •6.3.3. Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4.Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5.Диференціальні підсилювачі
- •6.6. Операційні підсилювачі
- •6.6.1. Особливості оп
- •Р ис. 6.8. Принципова схема оп
- •6. 6. 2. Інвертувальна схема вмикання оп
- •Напругу на виході визначають напругою на конденсаторі:
- •6.6.4. Імпульсний режим оп
- •6.7. Поточний самоконтроль
- •6.7.2. Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1. Особливості оптоелектроніки
- •7.2. Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1.Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3. Випромінювальні діоди
- •7.3. Фотоелектричні напівпровідникові приймачі випромінювання
- •7.3.1. Внутрішній фотоефект
- •7.3.3. Фотодіоди
- •7.3.4. Фототранзистори
- •7.4. Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5. Поточний самоконтроль
- •7.5.1. Завдання для моделювання та дослідження схем в середовищі ms
- •Дослідити формування вихідних сигналів при надходженні інформаційних сигналів від двох джерел.
- •7.5.2.Контрольні запитання
- •Частина ш. Функціональні пристрої реа
- •8.1. Визначення, структурні схеми та класифікація підсилювачів
- •8.2. Основні характеристики та параметри еп
- •Для багато каскадного підсилювача
- •8.3. Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1. Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.2. Дослідження в частотній області.
5. Польові транзистори
5.1. Типи польових транзисторів
Струм напівпровідникового бруска n-типу лінійно залежить від напруги. Коефіцієнтом пропорційності є його провідність, яка дорівнює
G = snA/L = nqmn A /L, (5.1)
де sn = qnmn – питома електрична провідність; А – поперечний переріз бруска; L – довжина бруска.
Для побудови активних приладів необхідно забезпечити майже безінерційне керування провідністю. Із рівняння (5.1) видно, що є два способи, за допомогою яких можна здійснювати модуляцію провідності бруска: зробити залежними від керувальної напруги концентрацію носіїв n або геометрію зразка А/L. Заряд електрона q – це універсальна стала. Нею неможливо керувати, так само, як і рухомістю електронів mn та довжиною бруска L.
Для створення ПТ використовують способи керування питомою електричною провідністю матеріалу sn або поперечним перерізом провідного каналу (А), по якому рухаються основні носії заряду. Залежно від цього виділяють два різновиди ПТ: з ізольованим затвором та з керувальним електричним переходом.
Польовий транзистор має три напівпровідникові ділянки одного і того ж типу провідності, які називають витоком (S), каналом і стоком (D), а також керувальний електрод – затвор (G). У транзисторі використовується рух носіїв заряду тільки одного знака (основних носіїв), які з витоку через канал рухаються до стоку. Цим пояснюються назви: витік – це ділянка, з якої виходять (витікають) носії заряду, а стік – ділянка, куди вони входять (стікають). Електричне поле, яке виникає за наявності напруги між затвором та стоком, змінює електропровідність каналу, а отже, і струм через канал. Це керувальне електричне поле направлене перпендикулярно до руху носіїв у каналі, тобто є поперечним. Воно формується і змінюється малопотужними інформаційними сигналами. Носії в каналі рухаються від витоку до стоку під дією поздовжнього електричного поля, створюваного між стоком та витоком, при підключенні зовнішнього потужного джерела живлення. Таким чином, ПТ, як і БТ, за рахунок майже безінерційної зміни провідністі дозволяють керувати потужністю від джерела енергії в навантаження, тобто реалізувати принцип реле (див. рис. 1.1, 1.2 , 4.12).
У ПТ з ізольованим затвором між металевим затвором і каналом знаходиться прошарок діелектрика так, що утворюється структура метал – дієлектрік – напівпровідник. Тому такі транзистори називають МДН-транзисторами. Напівпровідником для ПТ з ізольованим затвором здебільшого є кремній. Як дієлектрик під затвором використовують переважно шар оксиду кремнію SiO2. У такому разі це структура метал – оксид – напівпровідник. Такі транзистори називають МОН-транзисторами; поширенішою є загальна назва – МДН-транзистори. Поперечне електричне поле в цих транзисторах проникає через тонкий шар діелектрика і модулює концентрацію носіїв заряду в каналі. Створені два різновиди МДН-транзисторів: з індукованим каналом та з вбудованим каналом.
У ПТ з керувальним електричним переходом створюється випрямний контакт, на який в робочому режимі подається зворотна напруга. Вона змінює товщину збідненого шару і таким чином керує поперечним перерізом провідного каналу та числом носіїв зарядів, що переміщуються від витоку до стоку, а отже, струмом і провідністю ПТ.Як випрямний електричний контакт у таких ПТ використовується p-п‑перехід або випрямний перехід Шотткі.
Польові транзистори розрізняють також за типом провідності каналу: транзистори з р-каналом і транзистори з n-каналом.
Характерним для всіх ПТ є дуже малий струм у колі затвора, оскільки затвор може бути або ізольованим або ж утворювати з каналом випрямний перехід, що вмикається у зворотному напрямі. Затвор в електронних схемах зазвичай є вхідним електродом, а тому ПТ мають високий вхідний опір за постійним струмом (понад 108...1010 Ом). У цьому полягає найважливіша відмінність ПТ від БТ, у вхідному колі яких протікає значний струм при прямій напрузі на емітерному переході, зумовлюючи тим самим дуже малий вхідний опір БТ (десятки – сотні омів у схемах із СБ і СЕ). Тому інколи кажуть, що ПТ – це прилад, що керується напругою (електричним полем), а БТ прилад, що керується струмом.
