Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
005. Навчальний посібник на базі Multisim.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
28.83 Mб
Скачать

5. Польові транзистори

5.1. Типи польових транзисторів

Струм напівпровідникового бруска n-типу лінійно залежить від напруги. Коефіцієнтом пропорційності є його провідність, яка дорівнює

G = snA/L = nqmn A /L, (5.1)

де sn = qnmn – питома електрична провідність; А – поперечний переріз бруска; L – довжина бруска.

Для побудови активних приладів необхідно забезпечити майже безінерційне керування провідністю. Із рівняння (5.1) видно, що є два способи, за допомогою яких можна здійснювати модуляцію провідності бруска: зробити залежними від керувальної напруги концентрацію носіїв n або геометрію зразка А/L. Заряд електрона q – це універсальна стала. Нею неможливо керувати, так само, як і рухомістю електронів mn та довжиною бруска L.

Для створення ПТ використовують способи керування питомою електричною провідністю матеріалу sn або поперечним перерізом провідного каналу (А), по якому рухаються основні носії заряду. Залежно від цього виділяють два різновиди ПТ: з ізольованим затвором та з керувальним електричним переходом.

Польовий транзистор має три напівпровідникові ділянки одного і того ж типу провідності, які називають витоком (S), каналом і стоком (D), а також керувальний електрод – затвор (G). У транзисторі використовується рух носіїв заряду тільки одного знака (основних носіїв), які з витоку через канал рухаються до стоку. Цим пояснюються назви: витік – це ділянка, з якої виходять (витікають) носії заряду, а стік – ділянка, куди вони входять (стікають). Електричне поле, яке виникає за наявності напруги між затвором та стоком, змінює електропровідність каналу, а отже, і струм через канал. Це керувальне електричне поле направлене перпендикулярно до руху носіїв у каналі, тобто є поперечним. Воно формується і змінюється малопотужними інформаційними сигналами. Носії в каналі рухаються від витоку до стоку під дією поздовжнього електричного поля, створюваного між стоком та витоком, при підключенні зовнішнього потужного джерела живлення. Таким чином, ПТ, як і БТ, за рахунок майже безінерційної зміни провідністі дозволяють керувати потужністю від джерела енергії в навантаження, тобто реалізувати принцип реле (див. рис. 1.1, 1.2 , 4.12).

У ПТ з ізольованим затвором між металевим затвором і каналом знаходиться прошарок діелектрика так, що утворюється структура метал – дієлектрік – напівпровідник. Тому такі транзистори називають МДН-транзисторами. Напівпровідником для ПТ з ізольованим затвором здебіль­шого є кремній. Як дієлектрик під затвором використовують переважно шар оксиду кремнію SiO2. У такому разі це структура метал – оксид – напів­провідник. Такі транзистори називають МОН-транзисторами; пошире­ні­шою є загальна назва – МДН-транзистори. Поперечне електричне поле в цих транзисторах проникає через тонкий шар діелектрика і модулює концентрацію носіїв заряду в каналі. Створені два різновиди МДН-транзисторів: з індукованим каналом та з вбудованим каналом.

У ПТ з керувальним електричним переходом створюється випрямний контакт, на який в робочому режимі подається зворотна напруга. Вона змінює товщину збідненого шару і таким чином керує поперечним перерізом провідного каналу та числом носіїв зарядів, що переміщуються від витоку до стоку, а отже, струмом і провідністю ПТ.Як випрямний електричний контакт у таких ПТ використовується p-п‑перехід або випрямний перехід Шотткі.

Польові транзистори розрізняють також за типом провідності каналу: транзистори з р-каналом і транзистори з n-каналом.

Характерним для всіх ПТ є дуже малий струм у колі затвора, оскільки затвор може бути або ізольованим або ж утворювати з каналом випрямний перехід, що вмикається у зворотному напрямі. Затвор в електронних схемах зазвичай є вхідним електродом, а тому ПТ мають високий вхідний опір за постійним струмом (понад 108...1010 Ом). У цьому полягає найважливіша відмінність ПТ від БТ, у вхідному колі яких протікає значний струм при прямій напрузі на емітерному переході, зумовлюючи тим самим дуже малий вхідний опір БТ (десятки – сотні омів у схемах із СБ і СЕ). Тому інколи кажуть, що ПТ – це прилад, що керується напругою (електричним полем), а БТ прилад, що керується струмом.