
- •Основи електроніки навчальний посібник на базі програми схемотехнічного моделювання «multisim»
- •2.12. Поточний самоконтроль 83
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання 83
- •3.7 Поточний самоконтроль 117
- •4.13. Поточний самоконтроль 166
- •5.10. Поточний самоконтроль 195
- •6.7. Поточний самоконтроль 230
- •7.5. Поточний самоконтроль 264
- •Передмова
- •Частина 1. Базові визначення, параметри та характеристики Розділ 1. Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки.
- •1.1. Узагальнена структура інформаційних систем
- •1.2 Компоненти радіоелектронної апаратури
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2. Пасивні компоненти
- •1.2.3. Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3. Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом, в частотній та часовій областях
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3. Генератори напруги та струму
- •1.6.5. Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.6. Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.7. Типові електронні інформаційні системи
- •1.7.1. Електроніка та радіотехніка
- •1.7.2. Вимірювальна система
- •1.7.3. Аналогові та цифрові системи
- •1.8.1. Основні постулати радіоелектроніки
- •1.8.2. Наноелектроніка
- •1.9. Поточний самоконтроль
- •1.9.1. Завдання для дослідження схем в ms
- •1.9.2. Тестові контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти реа Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – напівпровідникова базова структура твердотілих компонентів реа
- •2.1. Класифікація речовин за провідністю
- •2.2. Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4. Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5. Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6. Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7. Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8. Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9. Пробій p-n переходу
- •2.10. Перехід метал-напівпровідник
- •2.11. Особливості р-n переходів та їх використання для побудови різноманітних компонентів електронної апаратури
- •2.12. Поточний самоконтроль
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1. Визначення, структура та класифікація
- •3.2. Вольт-амперна характеристика
- •3.3. Параметри нд
- •3.4. Модель та частотні властивості нд
- •3.5. Основні види пробою нд
- •3.6.Типові функціональні пристрої
- •3.6.1. Випрямлячі
- •3.6.3. Імпульсні діоди
- •3.6.4. Напівпровідникові стабілітрони. Параметричні стабілізатори напруги
- •3.6.5. Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6. Варикапи та їх використання
- •3.6.7. Діоди Шотткі
- •3.7 Поточний самоконтроль
- •3.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1. Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2.Фізичні процеси в бт
- •Повний струм колектора
- •4.3. Статичні характеристики бт
- •4.3.1. Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2. Статичні характеристики бт із сб
- •4.4. Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5. Підсилення за допомогою бт
- •4.6. Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку транзисторних схем
- •Коефіцієнт підсилення за струмом:
- •4.7. Динамічні властивості біполярних транзисторів
- •4.8. Ключовий режим бт
- •4.9. Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10. Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11. Температурний режим та пробій бт
- •4.12. Основні типи біполярних транзисторів
- •4.13. Поточний самоконтроль
- •5. Польові транзистори
- •5.1. Типи польових транзисторів
- •5.2. Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.4. Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.6. Ключовий режим мдн-транзистора
- •5.7. Температурні залежності та шуми польових транзисторів
- •5.8. Класифікація та особливості використання польових транзисторів
- •5.9. Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.10. Поточний самоконтроль
- •5.10.2.Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1. Особливості імс як активних компонентів
- •6.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3.Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1. Основні типи аіс
- •6.3.2. Схеми стабілізації режиму роботи каскаду підсилення.
- •6.3.3. Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4.Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5.Диференціальні підсилювачі
- •6.6. Операційні підсилювачі
- •6.6.1. Особливості оп
- •Р ис. 6.8. Принципова схема оп
- •6. 6. 2. Інвертувальна схема вмикання оп
- •Напругу на виході визначають напругою на конденсаторі:
- •6.6.4. Імпульсний режим оп
- •6.7. Поточний самоконтроль
- •6.7.2. Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1. Особливості оптоелектроніки
- •7.2. Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1.Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3. Випромінювальні діоди
- •7.3. Фотоелектричні напівпровідникові приймачі випромінювання
- •7.3.1. Внутрішній фотоефект
- •7.3.3. Фотодіоди
- •7.3.4. Фототранзистори
- •7.4. Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5. Поточний самоконтроль
- •7.5.1. Завдання для моделювання та дослідження схем в середовищі ms
- •Дослідити формування вихідних сигналів при надходженні інформаційних сигналів від двох джерел.
- •7.5.2.Контрольні запитання
- •Частина ш. Функціональні пристрої реа
- •8.1. Визначення, структурні схеми та класифікація підсилювачів
- •8.2. Основні характеристики та параметри еп
- •Для багато каскадного підсилювача
- •8.3. Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1. Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.2. Дослідження в частотній області.
4.9. Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
Усі три схеми вмикання БТ підсилюють потужність, а тому їх використовують для побудови електронних пристроїв. Кожна із схем має свої специфічні властивості, що і визначає її використання в тому чи іншому функціональному вузлі. Для того, щоб виявити ці властивості, вдамося до порівняльного аналізу цих схем, з`ясовуючи:
інвертує чи не інвертує схема сигнал, тобто вносить чи не вносить постійний зсув фази;
яка із схем має максимальний коефіцієнт підсилення за напругою, струмом та потужністю;
як співвідносяться між собою вхідні та вихідні опори схем;
яка із схем забезпечує найменші частотні спотворення;
яка із схем забезпечує найменші нелінійні спотворення.
Проаналізуємо послідовно транзисторні каскади при вмиканні БТ за різними схемами.
Схема із СЕ. Така схема (рис.4.9) детально проаналізована графоаналітичним методом (розд.4.5). Там же наведені результати розрахунку підсилювача на БТ КТ201А за схемою із СЕ. Скористаємося цими даними, за яким можна констатувати: схема із СЕ при підсиленні гармонічних сигналів вносить постійний фазовий зсув (180 град) (рис.4.14,а), тобто змінює полярність вихідного сигналу, фаза вихідної напруги протилежна фазі вхідної (рис.4.14,б).
При обробці цифрових сигналів ключ за схемою із СЕ реалізує логічну функцію "НІ".
Висновки:
1.Підсилювач із СЕ має вхідний опір, що досягає сотень Ом – одиниць кОм. GU >> 1, GI >> 1, забезбечує максимальний коефіцієнт підсилення потужності; вихідний опір з боку затискачів навантаження RВИХ ≈ RC.
2.Частотні та нелінійні спотворення схеми із СЕ більше ніж в схемі із СБ.
Схема із СБ. Використовують два варіанти вмикання БТ за схемою із СБ: з подільником напруги (рис.4.19, а) та з додатковим джерелом живлення (рис.4.19, б). Полярність і значення напруги UEB визначаються за необхідним початковим положенням точки спокою.
Розглянемо роботу схеми, якщо на вхід (на емітер) подається позитивний імпульс. Будемо вважати, що тривалість інформаційного сигналу набагато перевищує тривалість перехідних процесів, а тому ними можна знехтувати.
Проаналізуємо формування вихідного сигналу при надходженні позитивного імпульсу. У схемі рис.4.19 використовується транзистор типу n-p-n. При дії інформаційного сигналу на емітер (n-ділянку) подається позитивний стрибок напруги, тобто це буде зворотне вмикання емітерного переходу. Таким чином, для підсилення позитивного імпульсу в початковому стані емітерний перехід повинен бути відкритим. Для цього точку спокою необхідно змістити в точку А (рис. 4.20, а). Це відповідає режиму насичення. За допомогою подільника напруги або джерела EB необхідно забезпечити струм емітера не меншим ніж І E. Великий струм відкритого транзистора забезпечує відповідний спад напруги на RC, а тому напруга U0СB майже дорівнює нулю:
U 0CB = ЕC – ІC RC 0
Ця небажана залишкова напруга U0CB (рис. 4.20, б) у схемі із СБ може бути зовсім відсутньою, що обумовлено структурою вихідних характеристик.
Під час дії позитивного імпульсу струм емітера зменшується до значення ІЕВ , транзистор переводиться в режим відсікання.
Напруга колектора зростає до U1СB (майже ЕC). Після закінчення вхідного сигналу робоча точка повертається в положення точки спокою А. З рис.4.20, б видно, що позитивний імпульс на вході формує позитивний сигнал на виході, тобто схема із СБ не інвертує сигнал.
Висновки.
1. Підсилювач із СБ не інвертує вихідний сигнал (вхідна і вихідна напруги збігаются за фазою) і має малий вхідний опір (одиниці - десятки ом), GI < 1, GU >> 1.
2.Динамічні властивості схеми із СБ значно кращі ніж в схемі із СЕ, а тому частотні спотворення в підсилювачах на БТ за схемою із СБ набагато менші, а швидкодія ключів за такою схемою значно вища.
3. Вихідні характеристики схеми із СБ при збільшенні струму емітера на одне і те ж значення ІE зміщуються вгору майже на одне і те ж значення ІC. Це забезпечує в схемі із СБ значно менші нелінійні спотворення, що важливо у вихідних каскадах підсилення потужності.
У таких каскадах важливим також є зменшення або навіть повне вилучення залишкової напруги U0CB (рис.4.20, а).
Схема із СК. Схема підсилювача при вмиканні БТ із СК показана на рис.4.21. В усіх схемах при визначенні загального для входу і виходу електрода розглядається схема за змінним струмом. Колектор в показаній схемі через велику ємність джерела живлення підключається до точки схеми, яка є спільною для входу та виходу (до корпусу). Керуючим сигналом є напруга UBE, а формування вихідного сигналу здійснюється змінюванням напруги UCE, тому для аналізу цієї схеми використовуються статичні вхідні і вихідні характеристики транзистора, одержані для схеми із СЕ (рис.4.12, 4.13). Подільник напруги R1 - R2 визначає струми в точці спокою.
Розглянемо формування вихідного сигналу, коли на вхід подаються позитивні імпульси. Як і в схемі із ЗЕ такі імпульси відкривають емітерний перехід, а тому в початковому стані схема із ЗК повинна бути в режимі відсікання (точка спокою - точка А) (рис.4.33, а). Вихідний сигнал формується на резисторі RE, а тому в початковому стані U0E = U0ВИХ майже дорівнює нулю. На характе-ристиках цю напругу U0E позначаєть відрізком між ЕС і спадом напруги U1СE на закритому транзисторі в точці А:
U0E = U0ВИХ = ЕC – U1CE.
Якщо на вході діє позитивний стрибок напруги, струм бази збільшується, робоча точка по лінії навантаження зміщується вгору в точку В. Будемо вважати, що амплітуда вхідного сигналу забезпечує такий струм бази ІB’’’. Транзистор відкривається, струми емітера і колектора збільшуються, напруга на виході схеми зростає (рис.4.33, б): U 1 ВИХ = U 1E = ЕC – U 0CE = ІERE.
П
ісля
закінчення імпульсу схема повертається
в початковий стан.
Аналіз осцилограм на рис.4.33, б дозволяє зробити висновок за першим показником: схема із ЗК не інвертує сигнал, тобто не змінює його полярність, вхідна та вихідна напруги збігаються за фазою.
Напруга UBE, яка керує струмом транзистора, визнача різницею вхідної і вихідної напруги: UBE = UВХ - UВИХ, тобто вихідна наруга повністю передається у вихідне коло. Це 100-процентний негативний зворотній зв'язок за напругою. Наявність такого зв'язку визначає основні параметри підсилювача за схемою СК.
Оскількив схемі із СК GU ≈ 1 і фаза вихідної напруги збігається із фазою UВХ, цю схему називають емітерним повторювачем (напруга на виході повторює вхідний сигнал за амплітудою та фазою).
Негативний зворотний зв'язок за напругою значно підвищує вхідний опір і зменшує вихідний. Схему із СК ще називають трансформатором провідності. Вона має максимальний вхідний опір і мінімальний вихідний. Це дозволяє широко використовувати її для побудови узгоджувальних каскадів. Практично кожний функціональний електронний блок на вході і виході містить в собі схеми із СК. Зворотний зв'язок зменшує лінійні (частотні) і нелінійні спотворення.
Висновки. Схема із СК (емітерний повторювач) має великий вхідний опір (одиниці – десятки кОм), вихідний опір зазвичай малий (десятки ом). Фази вхідного та вихідного сигналів збігаються, GP GI. Схема має стабільну величину GU 1 та великий діапазон вхідного сигналу за рахунок 100% негативного зв’язку за напругою.