- •Основи електроніки навчальний посібник на базі програми схемотехнічного моделювання «multisim»
- •2.12. Поточний самоконтроль 83
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання 83
- •3.7 Поточний самоконтроль 117
- •4.13. Поточний самоконтроль 166
- •5.10. Поточний самоконтроль 195
- •6.7. Поточний самоконтроль 230
- •7.5. Поточний самоконтроль 264
- •Передмова
- •Частина 1. Базові визначення, параметри та характеристики Розділ 1. Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки.
- •1.1. Узагальнена структура інформаційних систем
- •1.2 Компоненти радіоелектронної апаратури
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2. Пасивні компоненти
- •1.2.3. Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3. Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом, в частотній та часовій областях
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3. Генератори напруги та струму
- •1.6.5. Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.6. Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.7. Типові електронні інформаційні системи
- •1.7.1. Електроніка та радіотехніка
- •1.7.2. Вимірювальна система
- •1.7.3. Аналогові та цифрові системи
- •1.8.1. Основні постулати радіоелектроніки
- •1.8.2. Наноелектроніка
- •1.9. Поточний самоконтроль
- •1.9.1. Завдання для дослідження схем в ms
- •1.9.2. Тестові контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти реа Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – напівпровідникова базова структура твердотілих компонентів реа
- •2.1. Класифікація речовин за провідністю
- •2.2. Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4. Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5. Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6. Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7. Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8. Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9. Пробій p-n переходу
- •2.10. Перехід метал-напівпровідник
- •2.11. Особливості р-n переходів та їх використання для побудови різноманітних компонентів електронної апаратури
- •2.12. Поточний самоконтроль
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1. Визначення, структура та класифікація
- •3.2. Вольт-амперна характеристика
- •3.3. Параметри нд
- •3.4. Модель та частотні властивості нд
- •3.5. Основні види пробою нд
- •3.6.Типові функціональні пристрої
- •3.6.1. Випрямлячі
- •3.6.3. Імпульсні діоди
- •3.6.4. Напівпровідникові стабілітрони. Параметричні стабілізатори напруги
- •3.6.5. Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6. Варикапи та їх використання
- •3.6.7. Діоди Шотткі
- •3.7 Поточний самоконтроль
- •3.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1. Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2.Фізичні процеси в бт
- •Повний струм колектора
- •4.3. Статичні характеристики бт
- •4.3.1. Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2. Статичні характеристики бт із сб
- •4.4. Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5. Підсилення за допомогою бт
- •4.6. Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку транзисторних схем
- •Коефіцієнт підсилення за струмом:
- •4.7. Динамічні властивості біполярних транзисторів
- •4.8. Ключовий режим бт
- •4.9. Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10. Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11. Температурний режим та пробій бт
- •4.12. Основні типи біполярних транзисторів
- •4.13. Поточний самоконтроль
- •5. Польові транзистори
- •5.1. Типи польових транзисторів
- •5.2. Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.4. Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.6. Ключовий режим мдн-транзистора
- •5.7. Температурні залежності та шуми польових транзисторів
- •5.8. Класифікація та особливості використання польових транзисторів
- •5.9. Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.10. Поточний самоконтроль
- •5.10.2.Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1. Особливості імс як активних компонентів
- •6.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3.Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1. Основні типи аіс
- •6.3.2. Схеми стабілізації режиму роботи каскаду підсилення.
- •6.3.3. Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4.Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5.Диференціальні підсилювачі
- •6.6. Операційні підсилювачі
- •6.6.1. Особливості оп
- •Р ис. 6.8. Принципова схема оп
- •6. 6. 2. Інвертувальна схема вмикання оп
- •Напругу на виході визначають напругою на конденсаторі:
- •6.6.4. Імпульсний режим оп
- •6.7. Поточний самоконтроль
- •6.7.2. Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1. Особливості оптоелектроніки
- •7.2. Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1.Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3. Випромінювальні діоди
- •7.3. Фотоелектричні напівпровідникові приймачі випромінювання
- •7.3.1. Внутрішній фотоефект
- •7.3.3. Фотодіоди
- •7.3.4. Фототранзистори
- •7.4. Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5. Поточний самоконтроль
- •7.5.1. Завдання для моделювання та дослідження схем в середовищі ms
- •Дослідити формування вихідних сигналів при надходженні інформаційних сигналів від двох джерел.
- •7.5.2.Контрольні запитання
- •Частина ш. Функціональні пристрої реа
- •8.1. Визначення, структурні схеми та класифікація підсилювачів
- •8.2. Основні характеристики та параметри еп
- •Для багато каскадного підсилювача
- •8.3. Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1. Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.2. Дослідження в частотній області.
4.5. Підсилення за допомогою бт
В
сі
три схеми вмикання БТ є підсилювачами
потужності, оскільки за допомогою БТ
можна ефективно керувати потужністю,
яка поступає від джерела живлення в
навантаження, тобто реалізувати принцип
реле.
Розглянемо це на прикладі схеми із CЕ (рис. 4.9). Для нормальної роботи транзисторного підсилювача треба забезпечити необхідний режим БТ за постійним струмом. При роботі в активному режимі на емітерний перехід транзисторів подається пряма напруга, а на колекторний – зворотна. За допомогою подільника напруги R1 i R2 формується необхідна початкова напруга UBE0. Розглянемо випадок, коли ця напруга невелика (0,1 – 0,2 В). Така, що емітерний перехід майже закритий. Напруга колектора значно більша напруги бази, а тому колекторний перехід зміщений в зворотному напрямі.
Струм бази ІB0, який в такій схемі керує струмом емітера, а відтак і струмом колектора, в початковому стані зовсім малий, а значить малим буде і початковий струм колектора ІC0. Навантаження може бути ввімкненим безпосередньо (послідовно) в коло транзистора замість резистора RC або паралельно транзистору (рис.4.9). Відокремлюючі конденсатори С1 і С2 забезпечують передачу змінного інформаційного сигналу, але відокремлюють джерело вхідного сигналу і навантаження від підсилювача за постійним струмом.
Ц
е
виключає вплив попереднього і подальшого
каскадів на початковий режим підсилювача
за постійним струмом.
В
даному випадку між каскадами створюється
резистивно-ємнісний зв`язок.
Підсилювачі з таким зв`язком називають
RC-підсилювачами.
(розд.
8.2) Еквівалентна схема колекторного
кола БТ показана на рис.4.10.
В початковому стані мале пряме зміщення
емітерного переходу забезпечує малий
колекторний струм, тобто великий опір
колекторного переходу rC*.
Для забезпечення такого опору необхідно
двигунець потенціометра rC*
перевести
в положення "А".
В
підсилювачах завжди rC*
> RC.
Для вихідного кола справедливі
співвідношення Rн
> rC*,
тобто впливом Rн
можна знехтувати.
EC = UCE+URC = UCE + IC0RC. Напруга на навантаженні (на транзисторі):
UCE=UН=EC - ICRC.
В початковому стані, якщо на базі діє напруга UBE0, то ІCО приблизно дорівнює нулю, на колекторі транзистора і на навантаженні формується напруга Uн UCЕ0 C (рис.4.11). якщо на базу поступає позитивний інформаційний сигнал UBХ, що обумовлює зростання прямої напруги на емітерному переході. Транзистор переводиться в режим насичення. Це забезпечує зростання струму колектора і значне зменшення опору колекторного переходу rC*. Такому стану відповідає положення “В” двигунця потенціометра (рис.4.10). Струм колектора значно зростає, що збільшує падіння напруги нa RC (URC). В результаті напруга на колекторі і навантаженні досягає мінімального значення U ВCE.
Т
аким
чином, керуючи струмом колектора, тобто
регулюючи опір колекторного переходу
rC*,
здійснюють керування потужністю, яка
поступає з джерела живлення в навантаження.
Емітерний перехід увімкнений в прямому
напрямі, а тому керується малою напругою
UBE
при малому вхідному струмі ІB.
Потужність вхідного гармонічного
сигналу, яка необхідна для керування
станом транзистора (провідністю),
визначають рівнянням РВХ=0,5×
×ІmB·UmBE,
де індекс «m»
вказує на амплітудні значення струму
і напруги. Наприклад, у каскадах,
побудованих на малопотужних транзисторах,
типовими є значення ІmB
=150
мкА, UmBE
= 0,2 В, тобто потужність вхідного сигналу
РВХ
= 15
мкВт.
Колекторний перехід працює при зворотній напрузі, тому для живлення колекторного кола використовують джерела з напругами одиниць, десятків і сотень вольт. У транзисторних підсилювачах часто використовують напругу джерел живлення 9 В. Це забезпечує відповідну амплітуду вихідного сигналу. Нехай UmCE = 4В при амплітуді колекторного струму ІmC = 15 мА, тоді керована потужність РВИХ = 0,5UmCEІmC = 30 мВт. У результаті коефіцієнт підсилення за потужністю
Gр = РВИХ / РВХ = 2000.
Таким чином, за допомогою транзистора здійснюється керування потужністю, яка поступає з джерела живлення в навантаження (згідно із зміною вхідного сигналу). Причому потужність вхідного сигналу в тисячі разів менша, ніж керована потужність на навантаженні. Так реалізується принцип реле у транзисторних підсилювачах, імпульсних та цифрових схемах.
