4.3.2. Статичні характеристики бт із сб

Вхідні характеристики. При вмиканні транзисторів за схемою із СБ вхідні характеристики (рис.4.6) визначаються залежністю : І_В = f(U_ЕВ), U_CВ = сonst.

Параметром у даному випадку є U_СВ. Вхідні характеристики аналогічні характеристиці для прямого вмикання діода. При U_СВ= 0 характеристика проходить через початок координат (U_ВЕ = 0, І_В = 0). Якщо змінити лише U_СВ >0, то з’явиться невеликий початковий струм емітера І_ЕП. В активному режимі (для транзистора n-p-n U_ВЕ < 0, U_СВ >0) при підвищенні напруги на колекторі вхідні характеристики зміщуються вліво. Це обумовлено модуляцією товщини бази. У цьому випадку товщина бази зменшується, що підвищує коефіцієнт передачі струму внаслідок підвищення ефективності емітера. Із збільшенням напруги U_СВ при постійному струмі емітера пряма напруга емітерного переходу зменшується, що і спричиняє це зміщення характеристик.

В ихідні характеристики. При вмиканні БТ за схемою із СБ вихідні характеристики (рис.4.7) визначаються залежністю: І_С = f (U_СВ), І_Е= const.

Загальний характер цих залежностей аналогічний зворотній гілці ВАХ НД, оскільки колекторний перехід вмикається у зворотному напрямі. Параметром у цьому випадку є струм емітера І_Е, оскільки вхідний опір транзистора малий (великий вхідний струм) і джерело інформаційних сигналів працює як генератор струму. При І_Е = 0 характеристика проходить через початок ко­ординат (без струму емітера при U_СВ = 0 не може бути і колекторного струму). Якщо тепер збільшувати зворотну напругу на колекторі, то в його колі з’явиться вже відомий І_СВ0 – початковий струм колектора.

Робочі ділянки вихідних характеристик для різних І_Е являють собою прямі лінії з дуже малим нахилом. Це означає малий вплив напруги U_СВ на струм колектора.

У багатьох транзисторів вихідні характеристики мають вигляд прямих ліній, починаючи від осі U_СВ = 0. Залежність між струмами І_С і І_Е майже лінійна. Тому вихідні характеристики при однаковій зміні струму І_Е зміщуються вверх на однакову відстань. Це дуже важлива властивість схем із СБ. Вона свідчить про те, що при підсиленні інформаційних сигналів у схемі із СБ можна отримати істотно менші нелінійні спотворення, ніж у схемі із СЕ. На рис. 4.7 штриховими лініями показано, що при зміні знака напруги U_СВ вже при невеликих його значеннях струм колектора різко зменшується, а потім змінює свій напрям і швидко підвищується. У цьому ви­падку колекторний перехід вмикається в прямому напрямі і транзистор переводиться в режим насичення.

При великих напругах U_СВ спостерігається різке збільшення І_С, зумовлене пробоєм. Слід відзначити, що в схемі із СБ напруга пробою значно вища ніж в схемі із СЕ.

4.4. Температурний дрейф характеристик бт

Е лектропровідність напівпровідників суттєво змінюється зі зміною температури, що викликає відповідне зміщення характеристик БТ.

При підвищенні температури транзистора збільшується як прямий, так і зворотний струм бази. Тому вхідні характеристики при вмиканні транзистора за схемою із СЕ зміщуються вліво. Вихідні характеристики для схеми із СЕ при І_В = const зі зміною температури мають дуже великий дрейф (рис.4.8). Це необхідно враховувати при використанні транзисторів в апаратурі. Слід відмітити, що вихідні характеристики при U_ВЕ = сonst мають значно менший температурний дрейф, тому що більше відповідають режиму І_Е = сonst. У зв'язку з цим для температурної стабілізації робочого режиму транзистора пропонують працювати при постійній напрузі бази. Опір бази в колі бази повинен бути по можливості меншим.

При вмиканні БТ за схемою із СБ має місце значний дрейф вхідних характеристик. Одночасно така схема вмикання БТ забезпечує дуже невеликий температурний дрейф вихідних характеристик, оскільки коефіцієнт передачі струму емітера  мало залежить від температури.