- •Основи електроніки навчальний посібник на базі програми схемотехнічного моделювання «multisim»
- •2.12. Поточний самоконтроль 83
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання 83
- •3.7 Поточний самоконтроль 117
- •4.13. Поточний самоконтроль 166
- •5.10. Поточний самоконтроль 195
- •6.7. Поточний самоконтроль 230
- •7.5. Поточний самоконтроль 264
- •Передмова
- •Частина 1. Базові визначення, параметри та характеристики Розділ 1. Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки.
- •1.1. Узагальнена структура інформаційних систем
- •1.2 Компоненти радіоелектронної апаратури
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2. Пасивні компоненти
- •1.2.3. Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3. Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом, в частотній та часовій областях
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3. Генератори напруги та струму
- •1.6.5. Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.6. Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.7. Типові електронні інформаційні системи
- •1.7.1. Електроніка та радіотехніка
- •1.7.2. Вимірювальна система
- •1.7.3. Аналогові та цифрові системи
- •1.8.1. Основні постулати радіоелектроніки
- •1.8.2. Наноелектроніка
- •1.9. Поточний самоконтроль
- •1.9.1. Завдання для дослідження схем в ms
- •1.9.2. Тестові контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти реа Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – напівпровідникова базова структура твердотілих компонентів реа
- •2.1. Класифікація речовин за провідністю
- •2.2. Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4. Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5. Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6. Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7. Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8. Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9. Пробій p-n переходу
- •2.10. Перехід метал-напівпровідник
- •2.11. Особливості р-n переходів та їх використання для побудови різноманітних компонентів електронної апаратури
- •2.12. Поточний самоконтроль
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1. Визначення, структура та класифікація
- •3.2. Вольт-амперна характеристика
- •3.3. Параметри нд
- •3.4. Модель та частотні властивості нд
- •3.5. Основні види пробою нд
- •3.6.Типові функціональні пристрої
- •3.6.1. Випрямлячі
- •3.6.3. Імпульсні діоди
- •3.6.4. Напівпровідникові стабілітрони. Параметричні стабілізатори напруги
- •3.6.5. Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6. Варикапи та їх використання
- •3.6.7. Діоди Шотткі
- •3.7 Поточний самоконтроль
- •3.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1. Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2.Фізичні процеси в бт
- •Повний струм колектора
- •4.3. Статичні характеристики бт
- •4.3.1. Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2. Статичні характеристики бт із сб
- •4.4. Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5. Підсилення за допомогою бт
- •4.6. Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку транзисторних схем
- •Коефіцієнт підсилення за струмом:
- •4.7. Динамічні властивості біполярних транзисторів
- •4.8. Ключовий режим бт
- •4.9. Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10. Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11. Температурний режим та пробій бт
- •4.12. Основні типи біполярних транзисторів
- •4.13. Поточний самоконтроль
- •5. Польові транзистори
- •5.1. Типи польових транзисторів
- •5.2. Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.4. Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.6. Ключовий режим мдн-транзистора
- •5.7. Температурні залежності та шуми польових транзисторів
- •5.8. Класифікація та особливості використання польових транзисторів
- •5.9. Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.10. Поточний самоконтроль
- •5.10.2.Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1. Особливості імс як активних компонентів
- •6.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3.Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1. Основні типи аіс
- •6.3.2. Схеми стабілізації режиму роботи каскаду підсилення.
- •6.3.3. Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4.Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5.Диференціальні підсилювачі
- •6.6. Операційні підсилювачі
- •6.6.1. Особливості оп
- •Р ис. 6.8. Принципова схема оп
- •6. 6. 2. Інвертувальна схема вмикання оп
- •Напругу на виході визначають напругою на конденсаторі:
- •6.6.4. Імпульсний режим оп
- •6.7. Поточний самоконтроль
- •6.7.2. Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1. Особливості оптоелектроніки
- •7.2. Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1.Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3. Випромінювальні діоди
- •7.3. Фотоелектричні напівпровідникові приймачі випромінювання
- •7.3.1. Внутрішній фотоефект
- •7.3.3. Фотодіоди
- •7.3.4. Фототранзистори
- •7.4. Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5. Поточний самоконтроль
- •7.5.1. Завдання для моделювання та дослідження схем в середовищі ms
- •Дослідити формування вихідних сигналів при надходженні інформаційних сигналів від двох джерел.
- •7.5.2.Контрольні запитання
- •Частина ш. Функціональні пристрої реа
- •8.1. Визначення, структурні схеми та класифікація підсилювачів
- •8.2. Основні характеристики та параметри еп
- •Для багато каскадного підсилювача
- •8.3. Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1. Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.2. Дослідження в частотній області.
3.6.4. Напівпровідникові стабілітрони. Параметричні стабілізатори напруги
Напівпровідникові діоди, що працюють за зворотної напруги в режимі пробою і використовуються як джерело опорної напруги, називають напівпровідниковими стабілітронами. Вони є основним регулювальним елементом у стабілізаторах напруги для живлення радіоелектронних пристроїв. На їхніх ВАХ (рис. 3.12) є ділянка з високою крутістю, на якій напруга на діоді мало залежить від струму через діод.
У радіоелектронній апаратурі використовують стабілітрони загального призначення, прецизійні, імпульсні, двоанодні та стабістори.
Стабілітрони загального призначення використовують у схемах стабілізаторів джерел живлення, обмежувачів, фіксаторів рівня напруги тощо.
Прецизійні стабілітрони застосовують як джерело опорної напруги з високою точністю стабілізації та термокомпенсації рівня напруги. Імпульсні стабілітрони використовують для стабілізації постійної та імпульсної напруги й обмеження амплітуди імпульсів напруги малої тривалості, а двоанодні – у схемах стабілізаторів, обмежувачів напруги різної полярності, а також у схемах двостороннього обмеження напруги як опорний елемент з термокомпенсованою напругою і т. ін.
Стабістори призначені для стабілізації малих напруг (постійних, імпульсних). Їх використовують як термокомпенсуючі елементи для підтримки заданого рівня напруги в схемі під час зміни температури навколишнього середовища.
Принцип роботи більшості стабілітронів, за винятком стабісторів, ґрунтується на використанні електричного пробою в p-n‑переході при подачі зворотної напруги (розд. 2.10).
Якщо концентрація домішок в базі діода відносно мала, відбувається лавинний пробій. Це використовується для побудови високовольтних стабілітронів з напругою стабілізації Uz > 6,3 В. Якщо концентрація домішок висока, виникає тунельний пробій (в низьковольтних стабілітронах з Uz < 6,3 В).
Параметрами стабілітронів є: напруга стабілізації Uz – номінальне значення напруги стабілітрона під час проходження струму стабілізації; струм стабілізації Iz – значення постійного струму через стабілітрон у режимі стабілізації (рис. 3.12); Iz min – мінімальний струм стабілізації, тобто значення струму на ділянці пробою ВАХ стабілітрона, зі зменшенням якого збільшується диференціальний опір стабілітрона і пробій стає нестійким; Iz max – допустимий струм стабілізації, що визначається допустимою потужністю розсіювання Pz max, за якої забезпечується гарантована надійність приладу під час тривалої його роботи; rz = ∂Uz/∂Iz – диференціальний опір за заданого струму стабілізації; Rz = Uz/Iz – статичний опір при заданому струмі стабілізації; Kz = Rz/rz – критерій якості стабілітрона; Cz – ємність стабілітрона або ємність між виводами стабілітрона при заданій напрузі.
Принципову електричну схему параметричного стабілізатора показано на рис. 3.13. До настання пробою зворотний струм дуже малий, але в режимі пробою p-n‑переходу, тобто в режимі стабілізації, він стає сумірним з прямим струмом. У точці А ( рис. 3.12), де пробій досить сталий, струм має значення 50...100 мкА. Після точки А струм стрімко зростає і максимально допустиме його значення Iz max обмежується лише максимально допустимою потужністю розсіювання Pz max:
Iz max = Pz max/Uz.
Напруга стабілітрона в робочому режимі мало залежить від струму, що є основою використання цих приладів. На робочій ділянці характеристики (від Iz min до Iz max) залежність напруги від струму характеризують диференціальним опором стабілітрона:
Диференціальний oпip становить декілька десятків i навіть одиниць омів. Аналіз ВАХ стабілітронів показує: чим менше диференціальний опір ( чим вища крутість зворотної гілки )
тим ефективніше відбувається стабілізація напруги в параметричних стабілізаторах.
Стабілітрони широко використовують для побудови параметричних стабілізаторів напруги (рис. 3.13)
Для побудови стабілізатора напруги стабілітрон вмикають паралельно навантаженню Rн. Послідовно із цими елементами вмикають обмежувальний (баластний) резистор Rоб, oпip якого має бути значно більший, ніж диференціальний опір стабілітрона rz. Чим більше відношення Rоб/rz, тим краща стабілізація напруги. Такий стабілізатор називають параметричним (рис. 3.13).
Стабілізація напруги в радіоелектронних пристроях потрібна для збереження постійної напруги джерела живлення (Uн = сonst) у разі зміни напруги в електричній мережі або струму навантаження. У першому випадку змінюється напруга на виході випрямляча, тобто на вході стабілізатора (Е), у другому – збільшується або зменшується струм навантаження Ін.
Якщо напруга на вході стабілізатора Е під час роботи змінюється в обох напрямах відносно деякого значення Uz, то робочу точку С на ВАХ стабілітрона вибирають посередині робочої ділянки ( рис. 3.12), де струм стабілітрона Іz = 0,5Іz mах.
Напруги на вході та виході стабілізатора зв’язані рівняннями:
Е = Uz + І0Rоб = Uz + Rоб(Іz + Ін);
Uн = Uz = E – І0Rоб. (3.8)
Розглянемо стабілізацію напруги у разі змiни напруги в електричній мережі.
Припустимо, що напруга на вході стабілізатора через нестабільність електричної мережі збільшилася на Е. Тоді починає зростати напруга на стабілітроні та навантаженні. Але навіть незначне збільшення Uz спричинить різке зростання струму стабілітрона Іz ( рис.3.12). Струм, який протікає через обмежувальний резистор Rоб,
І0 = Іz + Ін. (3.9)
Тому, як тільки почне збільшуватися струм стабілітрона, почне збільшуватися і струм через баластний резистор, що, в свою чергу, посилить спад напруги на цьому резисторі:
Uоб = (І0 + Іz) Rоб. (3.10)
Автоматична система регулювання напруги на навантаженні (Uн = = Uвх – І0Rоб), робота якої ґрунтується на властивостях ВАХ стабілітрона, забезпечує майже однакові зміни І0Rоб Е, а отже,
Uн = (Е + Е) – (І0 + Іz)Rоб сonst.
Таким чином, зі збільшенням напруги на вході E параметричний стабілізатор внаслідок особливості ВАХ стабілітрона ( Uz ≈ 0) автоматично збільшує спад напруги на баластному резисторі, що і компенсує (значною мipою) зміну Е. Зрештою напруга на виході, тобто на навантаженні, залишається майже незмінною. Аналогічно схема працює під час зменшення вхідної напруги. Сталість напруги на виході схеми забезпечується відповідно зміною струму стабілітрона. Параметричний стабілізатор як схема автоматичного регуювання забезпечує необхідний коефіцієнт стабілізації тільки в заданих межах Е, які визначаються значеннями від Іz mах до Іz mіn.
Розглянемо стабілізацію напруги у разі зміни струму навантаження Ін.
Припустимо він збільшився. Toдi згідно iз співвідношенням (3.9) зросте струм І0 і, як наслідок, збільшиться спад напруги на баластному резисторі Uоб (див. формулу (3.8)). Напруга на стабілітроні почне зменшуватися, але це зразу викличе різке зменшення його струму. Якщо струм навантаження збільшиться на Ін, то майже на таке саме значення зменшиться струм стабілітрона Іz, а струм І0 залишиться майже без змін; майже незмінною залишиться також напруга на виході стабілізатора.
Очевидно, що стабілізатор працюватиме в необхідному режимі доти, доки для компенсації зміни струму навантаження буде достатньою зміна струму стабілітрона – від Іz mах до Іz mіn.
Для засвоєння принципу побудови параметричних стабілізаторів, методики їх розрахунку та набуття навиків їх «монтажу» і налаштовування пропоную сформувати та дослідити в середовищі MS схему, яка подана на рис.3.14.
Рис.3.14. Принципова схема моделювання параметричного стабілізатора
В схемі використовується стабілітрон BZX85-C20 аналог стабілітрона КС 509В ( напруга пробою 20 В, струм 10 мА ). Дослідіть залежності вихідної напруги, струму стабілітрона та струму навантаження від напруги на вході при її зміні в межах від 10 до 30 вольт. Побудуйте графіки.
Для стабілізації малих напруг (близько 0,7 В) у параметричних стабілізаторах використовують стабістори. Це НД, які мають ділянку ВАХ з майже постійною напругою у разі прямого вмикання. Значення цієї напруги мало залежить від значення струму в деяких його межах. Для одержання стабільної напруги в межах 1 В послідовно з’єднують декілька стабісторів.
