- •Основи електроніки навчальний посібник на базі програми схемотехнічного моделювання «multisim»
- •2.12. Поточний самоконтроль 83
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання 83
- •3.7 Поточний самоконтроль 117
- •4.13. Поточний самоконтроль 166
- •5.10. Поточний самоконтроль 195
- •6.7. Поточний самоконтроль 230
- •7.5. Поточний самоконтроль 264
- •Передмова
- •Частина 1. Базові визначення, параметри та характеристики Розділ 1. Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки.
- •1.1. Узагальнена структура інформаційних систем
- •1.2 Компоненти радіоелектронної апаратури
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2. Пасивні компоненти
- •1.2.3. Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3. Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом, в частотній та часовій областях
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3. Генератори напруги та струму
- •1.6.5. Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.6. Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.7. Типові електронні інформаційні системи
- •1.7.1. Електроніка та радіотехніка
- •1.7.2. Вимірювальна система
- •1.7.3. Аналогові та цифрові системи
- •1.8.1. Основні постулати радіоелектроніки
- •1.8.2. Наноелектроніка
- •1.9. Поточний самоконтроль
- •1.9.1. Завдання для дослідження схем в ms
- •1.9.2. Тестові контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти реа Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – напівпровідникова базова структура твердотілих компонентів реа
- •2.1. Класифікація речовин за провідністю
- •2.2. Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4. Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5. Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6. Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7. Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8. Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9. Пробій p-n переходу
- •2.10. Перехід метал-напівпровідник
- •2.11. Особливості р-n переходів та їх використання для побудови різноманітних компонентів електронної апаратури
- •2.12. Поточний самоконтроль
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1. Визначення, структура та класифікація
- •3.2. Вольт-амперна характеристика
- •3.3. Параметри нд
- •3.4. Модель та частотні властивості нд
- •3.5. Основні види пробою нд
- •3.6.Типові функціональні пристрої
- •3.6.1. Випрямлячі
- •3.6.3. Імпульсні діоди
- •3.6.4. Напівпровідникові стабілітрони. Параметричні стабілізатори напруги
- •3.6.5. Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6. Варикапи та їх використання
- •3.6.7. Діоди Шотткі
- •3.7 Поточний самоконтроль
- •3.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1. Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2.Фізичні процеси в бт
- •Повний струм колектора
- •4.3. Статичні характеристики бт
- •4.3.1. Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2. Статичні характеристики бт із сб
- •4.4. Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5. Підсилення за допомогою бт
- •4.6. Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку транзисторних схем
- •Коефіцієнт підсилення за струмом:
- •4.7. Динамічні властивості біполярних транзисторів
- •4.8. Ключовий режим бт
- •4.9. Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10. Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11. Температурний режим та пробій бт
- •4.12. Основні типи біполярних транзисторів
- •4.13. Поточний самоконтроль
- •5. Польові транзистори
- •5.1. Типи польових транзисторів
- •5.2. Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.4. Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.6. Ключовий режим мдн-транзистора
- •5.7. Температурні залежності та шуми польових транзисторів
- •5.8. Класифікація та особливості використання польових транзисторів
- •5.9. Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.10. Поточний самоконтроль
- •5.10.2.Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1. Особливості імс як активних компонентів
- •6.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3.Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1. Основні типи аіс
- •6.3.2. Схеми стабілізації режиму роботи каскаду підсилення.
- •6.3.3. Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4.Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5.Диференціальні підсилювачі
- •6.6. Операційні підсилювачі
- •6.6.1. Особливості оп
- •Р ис. 6.8. Принципова схема оп
- •6. 6. 2. Інвертувальна схема вмикання оп
- •Напругу на виході визначають напругою на конденсаторі:
- •6.6.4. Імпульсний режим оп
- •6.7. Поточний самоконтроль
- •6.7.2. Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1. Особливості оптоелектроніки
- •7.2. Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1.Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3. Випромінювальні діоди
- •7.3. Фотоелектричні напівпровідникові приймачі випромінювання
- •7.3.1. Внутрішній фотоефект
- •7.3.3. Фотодіоди
- •7.3.4. Фототранзистори
- •7.4. Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5. Поточний самоконтроль
- •7.5.1. Завдання для моделювання та дослідження схем в середовищі ms
- •Дослідити формування вихідних сигналів при надходженні інформаційних сигналів від двох джерел.
- •7.5.2.Контрольні запитання
- •Частина ш. Функціональні пристрої реа
- •8.1. Визначення, структурні схеми та класифікація підсилювачів
- •8.2. Основні характеристики та параметри еп
- •Для багато каскадного підсилювача
- •8.3. Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1. Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.2. Дослідження в частотній області.
3.6.Типові функціональні пристрої
Розглянемо найбільш поширені електронні пристрої на базі НД, за допомогою яких відбувається керування електронними потоками та реалізуються відповідні процеси перетворення електричних інформаційних сигналів.
3.6.1. Випрямлячі
Випрямлення змінного струму – один з поширених процесів в електро-техніці та радіоелектроніці. У випрямлячах енергія змінного струму перетворюється в енергію постійного струму. Принцип випрямлення полягає у пропусканні змінного струму через вентильні елементи електричного кола. Для реалізації такого процесу використовують різку несиметрію ВАХ р-п‑переходу. Використовуються спеціальні НД – випрямні. Напівпровідникові діоди є вентильними елементами. У разі перетворення промислового змінного струму робоча частота становить 50 Гц. Верхня межа робочих чатот випрямних діодів зазвичай не перевищує 50 Гц...100 кГц.
Найпростішу схему для випрямлення змінного струму показано на рис. 3.2. Таку схему називають однофазною однопівперіодною.
Інші, складніші схеми
для випрямлення (двофазні, мостові, трифазні, двотактні та ін.) являють собою комбінацію кількох однофазних однотактних.Розглянемо роботу найпростішого випрямляча. Будемо вважати, що на вторинній обмотці трансформатора напруга змінюється за синусоїдальним законом U2(t) = Um sin t (рис. 3.3, а). Такий сигнал є типовим в силових мережах (220В, 50 Гц ). Синусоїдальний сигнал – симетричний сигнал, а тому постійна складова відсутня. Зазвичай для живлення РЕА використовуються джерела постійного струму, для чого використовуються випрямлячі.
Спочатку розглянемо роботу схеми без конденсатора (без фільтра). Протягом одного півперіоду (позитивного) напруга для діода є прямою, проходить струм і(t), який спричиняє на резисторі навантаження Rн спад напруги uн(t) (рис. 3.5, б). Протягом наступного півперіоду (негативного) напруга для діода є зворотною, струму майже немає i тому uн = 0 Отже, через діод i резистор навантаження проходить пульсуючий струм. Це одно направлений, випрямлений струм. Biн створює на резисторі Rн випрямлену напругу. Опip навантаження, як правило, в багато разів більший від опору діода, i тоді нелінійністю діода можна знехтувати. У цьому разі випрямлений струм має форму імпульсів, наближену до півсинусоїди з максимальним значенням Іmax (рис. 3.3, б). Цей самий графік струму в іншому масштабі відображає випрямлену напругу uн, оскільки uн = ІRн.
Графiк рис. 3.3, в зображає напругу на діоді uд. Амплітуди позитивних i негативних півперіодів UR значною мipою відрізня-
ються одна від одної. Це пояснюється тим, що коли проходить прямий струм, то більша частина напруги спадає на резисторі навантаження Rн, oпip якого значно перевищує прямий опір діода. В даному випадку випрямляч можливо розглядати як подільник напруги (1.5.2.) коефіцієнт передачі якого завдяки асиметрії ВАХ НД автоматично установлюється рівним одиниці в позитивний на півперіод і рівним нулю – в негативний.
Для звичайних НД пряма напруга не перевищує 1...2 В. Протягом негативного півперіоду струм через навантаження не протікає. Уся напруга вторинної обмотки трансформатора, прикладена до діода, i є для нього зворотною напругою UR.
Отже, максимальне значення зворотної напруги URmax дорівнює амплітуді синусоїдального сигналу вторинної обмотки трансформатора Um. Як видно з рис. 3.3, б, випрямлений струм Iн – пульсуючий. Протягом негативного півперіоду Iн = 0, напруга на навантаженні не формується. Корисною часткою такого струму є його постійна складова або середнє за період значення струму діода IF(AV) (рис. 3.3, б). Нескладні розрахунки показують, що в цьому випадку (за відсутності фільтра ):
IF(AV) = 0,318 Im.
На резисторі навантаження такий струм формує відповідну напругу.
Для оцінки ступеня наближення пульсуючої напруги до постійної користуються коефіцієнтом пульсації Кп, який являє собою відношення амплітуди змінної складової випрямленої напруги U~ до постійної складової Uсер (середнього значення випрямленої напруги):
Кп=U~ /Uсер. ( 3.7.)
Під змінною складовою випрямленої напруги найчастіше розуміють першу гармоніку складного ( пульсуючого) сигналу , яка описується законом зміни випрямленої напруги uн(t) ( струму) (рис. 3.3,б). Для однофазного однопівперіодного випрямляча коефіцієнт пульсації випрямленої напруги Кп = 1,57 = 157 %. Це свідчить про те, що амплітуда першої гармоніки пульсації у 1,57 раза перевищує постійну складову випрямленої напруги.
Для зменшення коефіцієнта пульсацій використовують згладжувальні фільтри, для чого у схеми вмикають конденсатори великої ємності та дроселі з великою індуктивністю.
Розглянемо роботу випрямляча з резистивно-ємнісним навантаженням. Паралельно опору навантаження Rн підключають конденсатор великої ємнocті
( рис. 3.2). Це істотно змінює умови роботи діода. Конденсатор добре згладжує пульсації, якщо його ємність така, що забезпечує нерівність 1/(c) << Rн. Тобто, необхідні параметри фільтра (ємність конденсатора ) визначаються опором (струмом) навантаження та частотою струму у вторинній обмотці трансформатора.
Протягом деякого часу позитивного півперіоду, коли на діод подається пряма напруга, через нього проходить струм, який заряджає конденсатор до напруги, наближеної до Um. У той час, коли струм через діод не проходить, конденсатор розряджається через опір навантаження Rн і створює на ньому напругу, яка поступово зменшується. У кожний наступний позитивний півперіод, коли напруга живлення ( на вторинній обмотці трансформатора) за абсолютною величиною перевищує напругу на ємності ( |u| > uc = uн ) діод відкривається, конденсатор підзаряджається i його напруга знову підвищується (рис. 3.3, г). Конденсатор заряджається через порівняно малий oпip діода, а розряджається через oпip навантаження. Унаслідок цього напруга на конденсаторі та навантаженні пульсує незначно. Kpiм того, конденсатор різко підвищує постійну складову випрямленої напруги, а за досить великої ємності Uн = Uс i наближається до Um.
Отже, в однофазному однотактному випрямлячі конденсатор підвищує випрямлену напругу приблизно в три рази. Такі випрямлячі використовують для живлення малопотужних електричних та радіоелектронних кіл. Максимальна зворотна напруга на діоді установлюється в негативний півперіод, коли u2 = Um. Напруга конденсатора також майже дорівнює Um, тоді найбільша зворотна напруга досягає значення 2Um. Для побудови випрямлячів за такими схемами необхідно використовувати діоди, максимально допустима зворотна напруга яких вдвічі перевищує амплітуду сигналу на вторинній обмотці трансфоматора.
З метою засвоєння принципів побудови випрямлячів та набуття навиків їх «монтажу» сформуйте моделы в середовищі MS. Дослідіть вплив на коефіцієнт пульсації струму навантаження, оцініть співвідношення сталої часу фільтра (τ ) та тривалості періода вхідних коливань ( Т ). За рахунок зміни сталої часу RC-фільтра досягніть вихідних сигналів, форма яких подана на рис.3.5. Визначте коефіцієнти пульсацій. Частота вхідних сигналів 100 Гц…10 кГц, амплітуда 1…10 В.
Рис. 3.4. Дослідження однопівперіодного випрямляча в середовищі MS
Р
ис.
3.5.Осцилограма на вході та виході
випрамляча:
а) вхідний сигнал
б)вихідний сигнал за відсутності фільтра (коефіцієнт пульсації 1,57);
в) вихідний сигнал з пульсаціями 0.7;
г)вихідний сигнал з пульсаціям
За
максимально допустимим випрямленим
струмом діоди поділено на три групи:
НД малої потужності (IF
0,3 А),
НД середньої потужності (0,3 А
IF
10 А)
та потужні (силові) діоди (IF
10 А).
До параметрів НД належать також діапазон температур навколишнього середовища (для кремнієвих діодів зазвичай від мінус 60 до +125 єС, для германієвих від мінус 60 до +75 єС) та максимальна температура корпусу.
Для перетворення змінного струму в постійний у схемах з напругою, яка перевищує гранично допустиму зворотну напругу окремого діода, промисловість випускає випрямні стовпи. Це декілька випрямних НД, з’єднаних послідовно і складених в єдину конструкцію з двома виводами. Максимальна допустима зворотна напруга кремнієвих випрямних стовпів становить декілька кіловольтів. Для випрямлення струму, який перевищує значення, допустиме для одного діода, використовують паралельне ввімкнення діодів.
Для зручності використання випрямних діодів у випрямлячах промисловість випускає випрямні напівпровідникові блоки. Такі блоки складаються з випрямних НД, з’єднаних за певною електричною схемою в єдину конструкцію, що має більше двох виводів. Найчастіше використовують з’єднання діодів за мостовими схемами ( рис.3.6.)
Підкреслимо особливості цієї схеми: - струм в навантажені протікає як в позитивний так і в негативний півперіоди, що забезпечує збільшення вдвічі частоти пульсацій (рис.3.7.), а відтак – зменшення значення сталої часу ( зменшення величини ємності конденсатора ) для забезпечення заданного коефіцієнта пульсацій; - до загальної точки схеми підключається лише один вивід моста, як показано на рис. 3.6.
Побудуйте модель мостового випрямляча в середовищі MS та дослідіть значення пульсацій напруги на навантажені при 20%, 50%, 90% ємності конденсатора фільтра. Частота вхідних сигналів установляється в межах 100 Гц… 10 кГц., амплітуда 1…10 В. Експериментально визначте ємність конденсатора фільтра, за якої коефіцієнт пульсацій не перевищить 0.1. Порівняйте обидві досліджені схеми випрямлячів.
Рис.
3.6 Випрямляч
за мостовою
схемою
Рис. 3.7 Осцилограми нa вході (а) та виході (б)
Особливості германієвих та кремнієвих випрямних діодів зрештою пов’язані з різницею ширини заборонених зон напівпровідникових матеріалів ∆W (у германії 0,72 еВ, у кремнії 1,12 еВ). Випрямні діоди, виготовлені з напівпровідникового матеріалу з більшою шириною забороненої зони, мають суттєві переваги щодо якості та параметрів. Тому для виготовлення НД почали використовувати арсенід галію, ширина забороненої зони якого при кімнатній температурі ∆W = 1,43 еВ. Позитивними особливостями арсенід-галієвих випрямних діодів є значно більший діапазон робочих температур (до 250 С) та поліпшені частотні властивості. Деякі типи таких діодів спроможні працювати в діапазоні частот до 1 МГц. Але арсенід-галієві прилади мають невеликий максимально допустимий прямий струм, значний спад прямої напруги (до 3 В), низьке значення пробивної напруги.
Тенденції до одночасного збільшення граничних струму і напруги, підвищення швидкодії та зменшення прямої напруги перешкоджають фізичні обмеження. Наприклад, для збільшення струму необхідно збільшувати площу електричного переходу, а це призводить до збільшення ємності і зменшення граничної частоти. Таку задачу вирішують за допомогою діодів Шотткі.
3.6.2. Високочастотні діоди
Високочастотні діоди – це напівпровідникові прилади універсального призначення. Вони об’єднують цілу групу НД, які використовуються для нелінійної обробки високочастотних сигналів. Їх застосовують як і випрямні діоди, але при меншому електричному навантаженні, а також в детекторах для виділення низькочастотного інформаційного сигналу з високочастотного модульованого коливання; у змішувачах для зміни несучої частоти модульованого коливання; у модуляторах для модуляції високочастотного коливання та в інших перетворювачах електричних сигналів.
Принципи модуляції та детектування електричних інформаційних сигналів розглянуті в розділі 1.
Високочастотні діоди працюють у широкому діапазоні частот (до кількох сотень мегагерців). Тому важливими стають ємнісні властивості НД. Перетворення сигналів за допомогою високочастотних діодів відбувається здебільшого за рахунок несиметрії ВАХ. Але із збільшенням частоти опір ємності діода Ctot зменшується, стає сумірним з опором у запірному напрямі .Тобто із зростанням частоти діоди втрачають вентильні якості (рис. 3.13). Це пов’язано з процесами накопичення та розосередження носіїв заряду в базі.
Рис. 3.8. Криві струму через діод на частотах: а – низьких; б – середніх;в – високих
На великих частотах заряд дірок, що інжектували в n-базу за позитивний півперіод, повністю виводиться в зовнішнє коло за негативний півперіод, що створює значний зворотній струм. Діод втрачає випрямні властивості.
Одним з головних параметрів високочастотних діодів є статична ємність Сtot між зовнішніми виводами, яка визначається бар’єрною ємністю p‑n‑переходу. Зазвичай Сtot ≤ 1 пФ.
За частотними властивостями високочастотні діоди поділяють на дві групи: 1) fmax ≤ 100 МГц; 2) 300 МГц ≤ fmax ≤ 1000 МГц. На вищих частотах використовують надвисокочастотні діоди з дуже малим радіусом точкового контакту (2...3 мкм) та особливою конструкцією, а також діоди Шотткі.
