2.12. Поточний самоконтроль 83

2.10.1. Тестові контрольні запитання 83

Розділ 3. НАПІВПРОВІДНИКОВІ ДІОДИ ТА ЇХ ВИКОРИСТАННЯ 84

3.1. Визначення, структура та класифікація 84

3.2. Вольт-амперна характеристика 85

3.3. Параметри НД 87

3.4. Модель та частотні властивості НД 90

3.5. Основні види пробою НД 91

3.6.Типові функціональні пристрої 92

3.6.1. Випрямлячі 93

3.6.2. Високочастотні діоди 102

Високочастотні діоди – це напівпровідникові прилади універсального призначення. Вони об’єднують цілу групу НД, які використовуються для нелінійної обробки високочастотних сигналів. Їх застосовують як і випрямні діоди, але при меншому електричному навантаженні, а також в детекторах для виділення низькочастотного інформаційного сигналу з високочастотного модульованого коливання; у змішувачах для зміни несучої частоти модульованого коливання; у модуляторах для модуляції високочастотного коливання та в інших перетворювачах електричних сигналів. 102

3.6.3. Імпульсні діоди 103

3.6.4. Напівпровідникові стабілітрони. Параметричні стабілізатори напруги 106

3.6.5. Обмежувачі амплітуди 111

3.6.6. Варикапи та їх використання 113

3.6.7. Діоди Шотткі 115

3.7 Поточний самоконтроль 117

3.7.2 Контрольні запитання 121

Розділ 4. БІПОЛЯРНІ ТРАНЗИСТОРИ 122

4.1. Структури, режими та схеми вмикання 122

4.2.Фізичні процеси в БТ 125

Повний струм колектора 126

4.3. Статичні характеристики БТ 128

4.3.1. Статичні характеристики БТ із СЕ 129

4.3.2. Статичні характеристики БТ із СБ 131

4.4. Температурний дрейф характеристик БТ 133

4.5. Підсилення за допомогою БТ 134

4.6. Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку 136

транзисторних схем 136

Коефіцієнт підсилення за струмом: 144

G_І =І_mC/I_mB, 144

4.7. Динамічні властивості біполярних транзисторів 147

4.8. Ключовий режим БТ 150

4.9. Порівняльний аналіз трьох схем вмикання БТ 156

U ⁰_CB = Е_C – І_C R_C 0 157

158

4.10. Власні шуми та шумові параметри транзисторів 161

4.11. Температурний режим та пробій БТ 162

4.12. Основні типи біполярних транзисторів 164

4.13. Поточний самоконтроль 166

5. ПОЛЬОВІ ТРАНЗИСТОРИ 171

5.1. Типи польових транзисторів 171

5.2. Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом 172

5.4. Польові транзистори з ізольованими затворами 180

5.6. Ключовий режим МДН-транзистора 183

5.7. Температурні залежності та шуми польових транзисторів 190

5.8. Класифікація та особливості використання польових транзисторів 191

5.9. Порівняння польових та біполярних транзисторів 193

5.10. Поточний самоконтроль 195

5.10.2.Контрольні запитання 199

РОЗДІЛ 6. ІНТЕГРАЛЬНІ МІКРОСХЕМИ 199

6.1. Особливості ІМС як активних компонентів 199

6.2. Класифікація інтегральних мікросхем 204

6.3.Аналогові інтегральні мікросхеми 209

6.3.1. Основні типи АІС 209

6.3.2. Схеми стабілізації режиму роботи каскаду підсилення. 210

6.3.3. Схеми зсуву рівнів напруг 213

6.4.Однокаскадні багатоцільові підсилювачі 214

6.5.Диференціальні підсилювачі 216

6.6. Операційні підсилювачі 220

6.6.1. Особливості ОП 220

6. 6. 2. Інвертувальна схема вмикання ОП 223

Рис. 11. Масштабний підсилювач 225

Напругу на виході визначають напругою на конденсаторі: 225

Рис. 6.13 Повторювач напруги 227

6.6.4. Імпульсний режим ОП 227