- •Основи електроніки навчальний посібник на базі програми схемотехнічного моделювання «multisim»
- •2.12. Поточний самоконтроль 83
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання 83
- •3.7 Поточний самоконтроль 117
- •4.13. Поточний самоконтроль 166
- •5.10. Поточний самоконтроль 195
- •6.7. Поточний самоконтроль 230
- •7.5. Поточний самоконтроль 264
- •Передмова
- •Частина 1. Базові визначення, параметри та характеристики Розділ 1. Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки.
- •1.1. Узагальнена структура інформаційних систем
- •1.2 Компоненти радіоелектронної апаратури
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2. Пасивні компоненти
- •1.2.3. Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3. Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом, в частотній та часовій областях
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3. Генератори напруги та струму
- •1.6.5. Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.6. Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.7. Типові електронні інформаційні системи
- •1.7.1. Електроніка та радіотехніка
- •1.7.2. Вимірювальна система
- •1.7.3. Аналогові та цифрові системи
- •1.8.1. Основні постулати радіоелектроніки
- •1.8.2. Наноелектроніка
- •1.9. Поточний самоконтроль
- •1.9.1. Завдання для дослідження схем в ms
- •1.9.2. Тестові контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти реа Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – напівпровідникова базова структура твердотілих компонентів реа
- •2.1. Класифікація речовин за провідністю
- •2.2. Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4. Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5. Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6. Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7. Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8. Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9. Пробій p-n переходу
- •2.10. Перехід метал-напівпровідник
- •2.11. Особливості р-n переходів та їх використання для побудови різноманітних компонентів електронної апаратури
- •2.12. Поточний самоконтроль
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1. Визначення, структура та класифікація
- •3.2. Вольт-амперна характеристика
- •3.3. Параметри нд
- •3.4. Модель та частотні властивості нд
- •3.5. Основні види пробою нд
- •3.6.Типові функціональні пристрої
- •3.6.1. Випрямлячі
- •3.6.3. Імпульсні діоди
- •3.6.4. Напівпровідникові стабілітрони. Параметричні стабілізатори напруги
- •3.6.5. Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6. Варикапи та їх використання
- •3.6.7. Діоди Шотткі
- •3.7 Поточний самоконтроль
- •3.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1. Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2.Фізичні процеси в бт
- •Повний струм колектора
- •4.3. Статичні характеристики бт
- •4.3.1. Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2. Статичні характеристики бт із сб
- •4.4. Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5. Підсилення за допомогою бт
- •4.6. Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку транзисторних схем
- •Коефіцієнт підсилення за струмом:
- •4.7. Динамічні властивості біполярних транзисторів
- •4.8. Ключовий режим бт
- •4.9. Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10. Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11. Температурний режим та пробій бт
- •4.12. Основні типи біполярних транзисторів
- •4.13. Поточний самоконтроль
- •5. Польові транзистори
- •5.1. Типи польових транзисторів
- •5.2. Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.4. Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.6. Ключовий режим мдн-транзистора
- •5.7. Температурні залежності та шуми польових транзисторів
- •5.8. Класифікація та особливості використання польових транзисторів
- •5.9. Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.10. Поточний самоконтроль
- •5.10.2.Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1. Особливості імс як активних компонентів
- •6.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3.Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1. Основні типи аіс
- •6.3.2. Схеми стабілізації режиму роботи каскаду підсилення.
- •6.3.3. Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4.Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5.Диференціальні підсилювачі
- •6.6. Операційні підсилювачі
- •6.6.1. Особливості оп
- •Р ис. 6.8. Принципова схема оп
- •6. 6. 2. Інвертувальна схема вмикання оп
- •Напругу на виході визначають напругою на конденсаторі:
- •6.6.4. Імпульсний режим оп
- •6.7. Поточний самоконтроль
- •6.7.2. Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1. Особливості оптоелектроніки
- •7.2. Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1.Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3. Випромінювальні діоди
- •7.3. Фотоелектричні напівпровідникові приймачі випромінювання
- •7.3.1. Внутрішній фотоефект
- •7.3.3. Фотодіоди
- •7.3.4. Фототранзистори
- •7.4. Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5. Поточний самоконтроль
- •7.5.1. Завдання для моделювання та дослідження схем в середовищі ms
- •Дослідити формування вихідних сигналів при надходженні інформаційних сигналів від двох джерел.
- •7.5.2.Контрольні запитання
- •Частина ш. Функціональні пристрої реа
- •8.1. Визначення, структурні схеми та класифікація підсилювачів
- •8.2. Основні характеристики та параметри еп
- •Для багато каскадного підсилювача
- •8.3. Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1. Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.2. Дослідження в частотній області.
1.9. Поточний самоконтроль
1.9.1. Завдання для дослідження схем в ms
1. Дослідити зміни вихідної напруги та зробити висновки за умов вмикання перемикачів: лише -J1; - J1, J2; - J1,J3; - J1, J2, J3; лише - J3 (рис. 1.23) .
2
Рис.
1.23. Модель ПН.
.
Сформувати та дослідити диференціюючі
RC- та LC-схеми, які забезпечують 10% та
100% спади вершин імпульсів тривалістю
3 мкс. Розрахувати та дослідити за
допомогою Bode Ploter межову частоту (рис.
1.24).
3. Створити та дослідити інтегруючі RC- та LC-схеми, які забезпечують тривалість переднього фронту, що становить 10% та 100% тривалості вхідного ЕІС (1 мкс). Розрахувати та дослідити за допомогою Bode Ploter межову частоту.
а
б Рис.
1.24. Диференціюючі схеми: а- RC схема; б
– RL схема
4. Дослідити диференціюючі RC- та RL- схеми (рис. 1.24) Звертаю увагу на те, що кожна пара має однакові сталі часу R*C = L/R, а тому на екранах осцилографів сформуються імпульси однакової форми на відповідних каналах. Необхідно провести два дослідження:
- проаналізувати форму вихідних імпульсів за різних співвідношень тривалості імпульсів та сталої часу;
- визначити тривалість вхідних імпульсів для кожної із чотирьох схем, за якої спад вершини на перевищить 0.1Uвих.макс. Для цього необхідно збільшити зображення відповідного імпульсу на екрані осцилографа та за допомогою візірних ліній визначити тривалість від початку імпульсу до вказаного рівня спаду.
5. Побудувати моделі інтегруючих RC та RL схем, користуючись параметрами елементів поданими на рис.1.24 шляхом моделювання в середовищі MS. Експериментально визначити параметри інтегруючих схем, за яких формуються сигнали, показані на рис. 1.18, якщо на вхід поступає імпульс тривалістю 10 мкс. Експериментально дослідити моделі. Визначити тривалість імпульсів, за якої спотворення вихідних сигналів не перевищить : cпад 10%, tфр = 0.1 tі.
Джерело енергії має внутрішній опір 10 кОм (R1). Дослідити в EWB залежність струму від опору навантаження. Визначити тип генератора.
Рис.
1.27.
Модель
генератора напруги.
Рис.
1.26.
Модель генератора струму.
Рис. 1.25 Модель
генератора струму
6. Джерело енергії має внутрішній опір 100 Ом (R1). Дослідити залежність напруги від опору навантаження. Визначити тип генератора.
1.9.2. Тестові контрольні запитання
1. Яка принципова відмінність між активними та пасивними компонентами радіоелектронних пристроїв?
2. Який принцип реалізується при підсиленні потужності ЕІС за допомогою електронних приладів?
3. Дайте визначення основних типових перетворень ЕІС.
4. Чому і в яких випадках електронні системи досліджуються в частотній та часовій областях?
5. Яким чином активні компоненти використовуються для підсилення потужності ЕІС?
6. Як змінюється коефіцієнт передачі подільника при зменшенні співвідношення R2 / R1?
7. Покажіть зміни АЧХ та ПХ диференціюючої та інтегруючої схем при збільшенні сталої часу .
8. Опишіть процеси формування, перетворення та передачі ЕІС в електронних вимірювальних системах .
9. Охарактеризуйте основні переваги та недоліки аналогових та цифрових інформаційних систем.
10. Сформулюйте основні постулати радіоелектроніки.
