- •Основи електроніки навчальний посібник на базі програми схемотехнічного моделювання «multisim»
- •2.12. Поточний самоконтроль 83
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання 83
- •3.7 Поточний самоконтроль 117
- •4.13. Поточний самоконтроль 166
- •5.10. Поточний самоконтроль 195
- •6.7. Поточний самоконтроль 230
- •7.5. Поточний самоконтроль 264
- •Передмова
- •Частина 1. Базові визначення, параметри та характеристики Розділ 1. Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки.
- •1.1. Узагальнена структура інформаційних систем
- •1.2 Компоненти радіоелектронної апаратури
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2. Пасивні компоненти
- •1.2.3. Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3. Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом, в частотній та часовій областях
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3. Генератори напруги та струму
- •1.6.5. Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.6. Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.7. Типові електронні інформаційні системи
- •1.7.1. Електроніка та радіотехніка
- •1.7.2. Вимірювальна система
- •1.7.3. Аналогові та цифрові системи
- •1.8.1. Основні постулати радіоелектроніки
- •1.8.2. Наноелектроніка
- •1.9. Поточний самоконтроль
- •1.9.1. Завдання для дослідження схем в ms
- •1.9.2. Тестові контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти реа Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – напівпровідникова базова структура твердотілих компонентів реа
- •2.1. Класифікація речовин за провідністю
- •2.2. Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4. Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5. Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6. Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7. Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8. Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9. Пробій p-n переходу
- •2.10. Перехід метал-напівпровідник
- •2.11. Особливості р-n переходів та їх використання для побудови різноманітних компонентів електронної апаратури
- •2.12. Поточний самоконтроль
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1. Визначення, структура та класифікація
- •3.2. Вольт-амперна характеристика
- •3.3. Параметри нд
- •3.4. Модель та частотні властивості нд
- •3.5. Основні види пробою нд
- •3.6.Типові функціональні пристрої
- •3.6.1. Випрямлячі
- •3.6.3. Імпульсні діоди
- •3.6.4. Напівпровідникові стабілітрони. Параметричні стабілізатори напруги
- •3.6.5. Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6. Варикапи та їх використання
- •3.6.7. Діоди Шотткі
- •3.7 Поточний самоконтроль
- •3.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1. Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2.Фізичні процеси в бт
- •Повний струм колектора
- •4.3. Статичні характеристики бт
- •4.3.1. Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2. Статичні характеристики бт із сб
- •4.4. Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5. Підсилення за допомогою бт
- •4.6. Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку транзисторних схем
- •Коефіцієнт підсилення за струмом:
- •4.7. Динамічні властивості біполярних транзисторів
- •4.8. Ключовий режим бт
- •4.9. Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10. Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11. Температурний режим та пробій бт
- •4.12. Основні типи біполярних транзисторів
- •4.13. Поточний самоконтроль
- •5. Польові транзистори
- •5.1. Типи польових транзисторів
- •5.2. Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.4. Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.6. Ключовий режим мдн-транзистора
- •5.7. Температурні залежності та шуми польових транзисторів
- •5.8. Класифікація та особливості використання польових транзисторів
- •5.9. Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.10. Поточний самоконтроль
- •5.10.2.Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1. Особливості імс як активних компонентів
- •6.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3.Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1. Основні типи аіс
- •6.3.2. Схеми стабілізації режиму роботи каскаду підсилення.
- •6.3.3. Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4.Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5.Диференціальні підсилювачі
- •6.6. Операційні підсилювачі
- •6.6.1. Особливості оп
- •Р ис. 6.8. Принципова схема оп
- •6. 6. 2. Інвертувальна схема вмикання оп
- •Напругу на виході визначають напругою на конденсаторі:
- •6.6.4. Імпульсний режим оп
- •6.7. Поточний самоконтроль
- •6.7.2. Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1. Особливості оптоелектроніки
- •7.2. Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1.Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3. Випромінювальні діоди
- •7.3. Фотоелектричні напівпровідникові приймачі випромінювання
- •7.3.1. Внутрішній фотоефект
- •7.3.3. Фотодіоди
- •7.3.4. Фототранзистори
- •7.4. Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5. Поточний самоконтроль
- •7.5.1. Завдання для моделювання та дослідження схем в середовищі ms
- •Дослідити формування вихідних сигналів при надходженні інформаційних сигналів від двох джерел.
- •7.5.2.Контрольні запитання
- •Частина ш. Функціональні пристрої реа
- •8.1. Визначення, структурні схеми та класифікація підсилювачів
- •8.2. Основні характеристики та параметри еп
- •Для багато каскадного підсилювача
- •8.3. Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1. Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.2. Дослідження в частотній області.
1.6.5. Дослідження диференціюючих rc-схем
Схему, подану на рис.1.3а , називають диференційна, томущо за певних умов напруга на її виході пропорційна похідній напрузі входу, що забезпечується процесом зарядження конденсатора (рис.1.15, а).
1
.6.5.1
Перехідна характеристика диференціюючої
RC-схеми.
Така
характеристика використовується при
аналізі пристроїв в часовій області.
При цьому досліджуються процеси заряду
та розряду конденсатора. Як
тестовий використовують східчастий
перехід
При вмиканні конденсатора до джерела з напругою Uвх напруга на ньому (заряд конденсатора) змінюється за експонентою:
Рис.1.15. Перехідні
процеси в диференціючій
схемі: а-вхідний сигнал; б- зміна сигналу
на конденсаторі; в- перехідна характеристика
).
Напруга на виході:
Uвих = Uвх – Uc;
Uвих = Uвх е . (1.2)
У початковий момент (t = 0) напруга на конденсаторі дорівнює нулю, а напруга на виході стрибком досягає максимального значення, яке дорівнює амплітуді вхідного сигналу (рис.1.15в).
Починається зарядження конденсатора зi сталою часу = RC. Напруга Uc зростає, а Uвих падає.
Через
час
t
=
напруга на виході дорівнюватиме:Uвих
= Uвх
е
,тобто
напруга на виході зменшиться в “е”
разів та
за рахунок підвищення
Uc
досягне рівня: Uвих
= 0,37Uвх.
Напруга на конденсаторі Uc = Uвх –Uвих; Uс = 0,63Uвх.
Через час t = 2 напруга на виході зменшиться до рівня:
Uвих = Uвх e-2/ = Uвх e-2 = 0,13 Uвх, a Uc = 0,87 Uвх.
Через час t = 3 перехідні процеси практично закінчуються.
Тривалість перехідних процесів визначають як час зміни напруги Uвих від 0,05 до 0,95, що відбувається приблизно за 3.
Сигнал
на виході диференціюючої схеми суттєво
відрізняється за формою від вхідного.
Якщо на вхід поступає прямокутний
імпульс
на
виході одержимо 100% спад вершини, коли
тривалість імпульсу значно перевищує
сталу часу (t
>> ).
Такі ж RC-кола використовують у лінійних схемах, зокрема у підсилювачах. Треба зауважити, що в цьому випадку вимоги до величини зовсім інші. Необхідно, щоб інформаційний сигнал при підсиленні зберігав на виході форму вхідного сигналу, тобто якомога ближче відтворював форму вхідного сигналу. Це можливо коли за час дії імпульсу (tі) заряд конденсатора суттєво не зміниться, що відбувається за умови tі << . У даному випадку конденсатор використовують як елемент міжкаскадного зв`язку, що відокремлює електричні кола за постійним струмом, але передає змінні складові, що не обумовлює спотворень інформаційних сигналів (наприклад, в підсилювачах з резистивно-ємнісним зв`язком, в RC-підсилювачах). В таких пристроях диференціюючі схеми є вхідними колами, стала часу яких визначається ємністю відокремлюючого конденсатора та вхідним опором підсилювача.
При
проектуванні та налагодженні електронних
пристроїв з
такими
конденсаторами (при наявності
диференціюючої схеми) виникає задача
забезпечення допустимого
заряду конденсатора за
спаду вершини імпульсу ΔU.
Зазвичай допустимим вважається 10%-й
спад вершини імпульса, якщо спеціально
не підкреслено в технічному завдані,
тобто коли
ΔU
= 0.1 U
макс, де
U макс
– максимальне значення амплітуди
вихідного сигналу.
Пропоную самостійно за допомогою моделювання диференціюючих схем в середовищі MS набути навичок експериментального налагодження схем з метою визначення необхідної величини для передачі імпульсу заданої тривалості з указаним вище спадом.
Моделювання в середовищі MS дозволяє експериментально визначити ступінь спотворення імпульсів, а також опанувати методикою визначення тривалості імпульсів, за якої конкретна схема забезпечить допустимі зміни форми ЕІС.
Частотна характеристика диференціюючих RC-схем
Для вивчення процесів в таких схемах знову звернемось до схеми подільника напруги, коефіцієнт передачі якого залежить від співвідношення опорів R2/(R1+ R2). Якщо резистор R1 замінити конденсатором, то цей опір буде зростати зі зменшенням частоти
(ωС).
У результаті зі зменшенням частоти коефіцієнт передачі зменшується і за умови ω =0 досягає Кu = 0. В області середніх та великих частот опір конденсатора суттєво зменшується (ним можна знехтувати), а тому Кu = 1.
Властивості схеми в частотній області оцінюють за допомогою АЧХ, яка відображає залежність модуля коефіцієнта передачі від частоти. Для одержання такої характеристики в формулу 1.1 замість резистора R1 підставляємо комплексний опір конденсатора. Одержуємо вираз для комплексного коефіцієнта передачі, залежність модулю цього коефіцієнта від частоти. Визначають за формулою:
(1.3)
Це є АЧХ диференціюючої схеми.
С
мугу
пропускання схеми оцінюють на рівні,
коли модуль коефіцієнта передачі
зменшується в
рази. У диференціюючих RC-схемах
це відбувається у разі зменшення частоти
до
=
1/ RC
= 1/
.
Таким чином, диференціюючі RC-схеми пропускають сигнали і частотою н, тобто є фільтрами верхніх частот (рис. 1.14а.).
Рис.
1.16.
Дослідження АЧХ за допомогою
Bode-
Ploter.
Для експериментального визначення АЧХ як тестовий сигнал використовують гармонічний сигнал (сінусоїду) постійної амплітуди та змінної частоти. Це дає можливість визначити , на якій амплітуда сигналу на виході схеми зменшується до рівня 0.707Uвих максимум (-3 дБ). Для оперативної оцінки смуги пропускання при налагодженні РЕА використовують спеціальні прилади – вимірювачі АЧХ в яких АЧХ висвічується на екрані осцилографа.
При дослідженнях в середовищі MS для одержання АЧХ використовують Bode-Ploter(рис. 1.16). В області середніх частот, де Ku = 1, затухання відсутні (0 дБл). Для визначення межової частоти необхідно візирну лінію встановити на рівні - 3 дБл. Це відповідає зменшенню амплітуди до рівня 0.707 Uвих.макс (табл. 1).
Для більш точного визначення дослідження АЧХ доцільно проводити в два етапи. Спочатку діапазон Bode- Ploter виставляється в межах F=100МГц, I= 100мГц. Після попереднього визначення діапазон виставляється в межах одержаного значення. Виконуються більш точні заміри.
Діапазон ослаблення доцільно зменшити з 200дБ до 50 дБ.
В області середніх та високих частот конденсатор не впливає на параметри схеми, а тому процес диференціювання відбувається лише коли частота сигналів < .
Перехідна та частотна характеристики пов`язані між собою. Для покращення характеристик пристрою (підсилювача) необхідно розширити діапазон в області нижніх частот. Для цього збільшують н, що забезпечить зменшення н, а водночас зменшить спад вершини імпульсу.
