
- •Основи електроніки навчальний посібник на базі програми схемотехнічного моделювання «multisim»
- •2.12. Поточний самоконтроль 83
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання 83
- •3.7 Поточний самоконтроль 117
- •4.13. Поточний самоконтроль 166
- •5.10. Поточний самоконтроль 195
- •6.7. Поточний самоконтроль 230
- •7.5. Поточний самоконтроль 264
- •Передмова
- •Частина 1. Базові визначення, параметри та характеристики Розділ 1. Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки.
- •1.1. Узагальнена структура інформаційних систем
- •1.2 Компоненти радіоелектронної апаратури
- •1.2.1 Класифікація
- •1.2.2. Пасивні компоненти
- •1.2.3. Активні компоненти – електронні прилади
- •1.3. Типові процеси обробки еіс
- •1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом, в частотній та часовій областях
- •1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення
- •1.6.1 Класифікація
- •1.6.2 Подільники напруги
- •1.6.3. Генератори напруги та струму
- •1.6.5. Дослідження диференціюючих rc-схем
- •1.6.6. Дослідження інтегруючих rc-схем
- •1.7. Типові електронні інформаційні системи
- •1.7.1. Електроніка та радіотехніка
- •1.7.2. Вимірювальна система
- •1.7.3. Аналогові та цифрові системи
- •1.8.1. Основні постулати радіоелектроніки
- •1.8.2. Наноелектроніка
- •1.9. Поточний самоконтроль
- •1.9.1. Завдання для дослідження схем в ms
- •1.9.2. Тестові контрольні запитання
- •Частина іі. Активні компоненти реа Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – напівпровідникова базова структура твердотілих компонентів реа
- •2.1. Класифікація речовин за провідністю
- •2.2. Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників
- •2.3 Домішкові напівпровідники
- •2.4. Визначення та класифікація електричних переходів
- •2.5. Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги
- •2.6. Пряме та зворотне вмикання едп
- •2.7. Вольт-амперна характеристика ідеалізованого едп
- •2.8. Ємнісні властивості p-n переходу
- •2.9. Пробій p-n переходу
- •2.10. Перехід метал-напівпровідник
- •2.11. Особливості р-n переходів та їх використання для побудови різноманітних компонентів електронної апаратури
- •2.12. Поточний самоконтроль
- •2.10.1. Тестові контрольні запитання
- •Розділ 3. Напівпровідникові діоди та їх використання
- •3.1. Визначення, структура та класифікація
- •3.2. Вольт-амперна характеристика
- •3.3. Параметри нд
- •3.4. Модель та частотні властивості нд
- •3.5. Основні види пробою нд
- •3.6.Типові функціональні пристрої
- •3.6.1. Випрямлячі
- •3.6.3. Імпульсні діоди
- •3.6.4. Напівпровідникові стабілітрони. Параметричні стабілізатори напруги
- •3.6.5. Обмежувачі амплітуди
- •3.6.6. Варикапи та їх використання
- •3.6.7. Діоди Шотткі
- •3.7 Поточний самоконтроль
- •3.7.2 Контрольні запитання
- •Розділ 4. Біполярні транзистори
- •4.1. Структури, режими та схеми вмикання
- •4.2.Фізичні процеси в бт
- •Повний струм колектора
- •4.3. Статичні характеристики бт
- •4.3.1. Статичні характеристики бт із се
- •4.3.2. Статичні характеристики бт із сб
- •4.4. Температурний дрейф характеристик бт
- •4.5. Підсилення за допомогою бт
- •4.6. Графоаналітичний метод аналізу та розрахунку транзисторних схем
- •Коефіцієнт підсилення за струмом:
- •4.7. Динамічні властивості біполярних транзисторів
- •4.8. Ключовий режим бт
- •4.9. Порівняльний аналіз трьох схем вмикання бт
- •4.10. Власні шуми та шумові параметри транзисторів
- •4.11. Температурний режим та пробій бт
- •4.12. Основні типи біполярних транзисторів
- •4.13. Поточний самоконтроль
- •5. Польові транзистори
- •5.1. Типи польових транзисторів
- •5.2. Польовий транзистор з керувальним p-n‑переходом
- •5.4. Польові транзистори з ізольованими затворами
- •5.6. Ключовий режим мдн-транзистора
- •5.7. Температурні залежності та шуми польових транзисторів
- •5.8. Класифікація та особливості використання польових транзисторів
- •5.9. Порівняння польових та біполярних транзисторів
- •5.10. Поточний самоконтроль
- •5.10.2.Контрольні запитання
- •Розділ 6. Інтегральні мікросхеми
- •6.1. Особливості імс як активних компонентів
- •6.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •6.3.Аналогові інтегральні мікросхеми
- •6.3.1. Основні типи аіс
- •6.3.2. Схеми стабілізації режиму роботи каскаду підсилення.
- •6.3.3. Схеми зсуву рівнів напруг
- •6.4.Однокаскадні багатоцільові підсилювачі
- •6.5.Диференціальні підсилювачі
- •6.6. Операційні підсилювачі
- •6.6.1. Особливості оп
- •Р ис. 6.8. Принципова схема оп
- •6. 6. 2. Інвертувальна схема вмикання оп
- •Напругу на виході визначають напругою на конденсаторі:
- •6.6.4. Імпульсний режим оп
- •6.7. Поточний самоконтроль
- •6.7.2. Контрольні запитання
- •Розділ 7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •7.1. Особливості оптоелектроніки
- •7.2. Джерела оптичного випромінювання
- •7.2.1.Люмінесценція
- •7.2.2. Електролюмінесцентні індикатори
- •7.2.3. Випромінювальні діоди
- •7.3. Фотоелектричні напівпровідникові приймачі випромінювання
- •7.3.1. Внутрішній фотоефект
- •7.3.3. Фотодіоди
- •7.3.4. Фототранзистори
- •7.4. Оптрони та оптоелектронні імс
- •7.5. Поточний самоконтроль
- •7.5.1. Завдання для моделювання та дослідження схем в середовищі ms
- •Дослідити формування вихідних сигналів при надходженні інформаційних сигналів від двох джерел.
- •7.5.2.Контрольні запитання
- •Частина ш. Функціональні пристрої реа
- •8.1. Визначення, структурні схеми та класифікація підсилювачів
- •8.2. Основні характеристики та параметри еп
- •Для багато каскадного підсилювача
- •8.3. Підсилювачі з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.1. Особливості підсилювачів з резистивно-ємнісним зв`язком
- •8.3.2. Дослідження в частотній області.
Б.МЕДВЕДЕНКО
Основи електроніки навчальний посібник на базі програми схемотехнічного моделювання «multisim»
КИЇВ 2013
УДК 621.38(о75.8
ББК 32.859я73
Б.І.Медведенко Основи електроніки: Навчальний посібник для студентів радіоелектронних спеціальностей вищих навчальних закладів. – Київ ……… 410с.
Матеріал підручника, методика його подання та вивчення за допомогою інтенсивного використання моделювання електронних пристроїв в середовищі «Multisim» є елементами впровадження коп`ютерних технологій в навчальний процес.
Викладено основні принципи побудови електронних інформаційно-вимірювальних систем, типи та методи обробки електричних сигналів, аналіз пристроїв за постійним струмом, в частотній та часовій областях. Розглянуті основні типові елементи пристроїв: подільники напруги, диференціюючі та інтегруючі схеми, генератори струму та напруги.
Подані структури, характеристики, параметри та використання напівпровідникових діодів, біполярних та польових транзисторів, оптоелектронних приладів та інтегральних мікросхем.
Розглянуто структури, характеристики та параметри підсилювачів електронних сигналів, генераторів незгасаючих коливань та стабілізаторів напруги.
Для студентів вищих навчальних технічних закладів. Може бути корисним для фахівців з електронної техніки, які спеціалізуються в галузі проектування, виготовлення, дослідження та експлуатації електронних пристроїв та систем, а також радіоаматорам.
Зміст
8
Передмова 8
Частина 1. БАЗОВІ ВИЗНАЧЕННЯ, ПАРАМЕТРИ ТА ХАРАКТЕРИСТИКИ 12
Розділ 1. Електричні інформаційні сигнали та типові системи їх обробки. 12
1.1. Узагальнена структура інформаційних систем 12
1.2 Компоненти радіоелектронної апаратури 15
1.2.1 Класифікація 15
1.2.2. Пасивні компоненти 17
1.2.3. Активні компоненти – електронні прилади 20
1.3. Типові процеси обробки ЕІС 21
1.4 Аналіз електронних пристроїв за постійним струмом, в частотній та часовій областях 25
1.5 Відносні та логарифмічні коефіцієнти підсилення 27
1.6.1 Класифікація 30
1.6.2 Подільники напруги 30
1.6.3. Генератори напруги та струму 33
1.6.5. Дослідження диференціюючих RC-схем 37
1.6.6. Дослідження інтегруючих RC-схем 41
1.7. Типові електронні інформаційні системи 45
1.7.1. Електроніка та радіотехніка 45
1.7.2. Вимірювальна система 47
1.7.3. Аналогові та цифрові системи 48
1.8.1. Основні постулати радіоелектроніки 50
1.8.2. Наноелектроніка 50
1.9. Поточний самоконтроль 52
1.9.1. Завдання для дослідження схем в MS 52
1.9.2. Тестові контрольні запитання 55
ЧАСТИНА ІІ. АКТИВНІ КОМПОНЕНТИ РЕА 55
Розділ 2. Електронно-дірковий перехід – напівпровідникова базова структура твердотілих компонентів РЕА 55
2.1. Класифікація речовин за провідністю 55
2.2. Дрейфовий та дифузійний струми власних напівпровідників 62
2.3 Домішкові напівпровідники 65
2.4. Визначення та класифікація електричних переходів 67
2.5. Електронно-дірковий перехід в стані рівноваги 68
2.6. Пряме та зворотне вмикання ЕДП 72
2.7. Вольт-амперна характеристика ідеалізованого ЕДП 76
2.8. Ємнісні властивості p-n переходу 77
2.9. Пробій p-n переходу 79
2.10. Перехід метал-напівпровідник 80
2.11. Особливості р-n переходів та їх використання для побудови різноманітних компонентів електронної апаратури 82