Міністерство освіти і науки України

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

Затверджую

Ректор                            С. В. Мельничук

“27” лютого 2014 р.

Програма фахового іспиту

для вступників на освітньо-кваліфікаційний рівень

“спеціаліст”

(повна форма навчання)

галузь знань 0507 – Електротехніка та електромеханіка

спеціальність 7.05070107 – Нетрадиційні та відновлювані джерела енергії

Схвалено

Вченою радою ІФТКН

Протокол № 6 від 13 лютого 2014 р.

Голова ради Ангельський О.В.

Чернівці-2014

Програма для вступників

на здобуття кваліфікаційного рівня "Спеціаліст"

Спеціальність 7.05070107 – Нетрадиційні та відновлювані джерела енергії

Інститут фізико-технічних та комп’ютерних наук. Кафедра електроніки і енергетики

Електронні процеси в напівпровідниках

Температурна залежність концентрації електронів в напівпровіднику n-типу. Температурна залежність електропровідності для напівпровідника n-типу. Температурна залежність рухливості, механізми розсіювання електронів. Термоерс і ефект Холла в напівпровідниках.

Матеріалознавство і технологія матеріалів

Гомогенні та гетерогенні системи. Діаграма стану двохкомпонентної системи при умові утворення неперервних твердих розчинів. Умови очистки речовин кристалізацією. Рівноважний і ефективний коефіцієнт розподілу і їх зв’язок. Вплив різних факторів на ефективність очистки речовини зонною перекристалізацією. Класифікація методів вирощування кристалів. Методи Чохральського, Бріджмена. Сорбційні методи очистки речовин. Принцип іонного обміну в одержанні чистих речовин. Одержання деіонізованої води і її використання.

Електротехнічні матеріали

Основні властивості та застосування металів високої електропровідності та сплавів високого опору в електротехніці. Опір провідних матеріалів на високих частотах. Основні властивості і застосування кремнію та карбіду кремнію в електротехніці. Основні властивості та застосування магнітом’яких і магнітотвердих магнітних матеріалів та феритів в електротехніці.

Промислова електроніка

Біполярний транзистор. Режими роботи та характеристики. Польові транзистори з p-n-переходом. Провідний канал. Характеристики та параметри. Фізичні процеси у багатошарових p-n-p-n-структурах. Тиристори та їх типи. Принцип роботи ВАХ. Швидкодія польових транзисторів. Шляхи її підвищення.

Взаємодія світла з речовиною напівпровідника

Оптичні коефіцієнти. Основні типи поглинання світла речовиною. Власне поглинання світла у напівпровідниках. Край власного поглинання. Типи оптичних переходів електронів із валентної зони у зону провідності. Явище фотопровідності. Залежність її величини від часу дії світла. Стаціонарна фотопровідність. Внутрішній фотоефект. Інтенсивність оптичної генерації нерівноважних носіїв заряду, її фізичний зміст. Час життя нерівноважних носіїв заряду, основні величини та співвідношення, що визначають його величину.

Фізика сонячних елементів

Призначення, будова, принцип роботи та практичне використання сонячних елементів. Класифікація напівпровідникових p-n-переходів. Причини виникнення вбудованого електричного поля в області контакту напівпровідників n- і p-типу провідності. Контактна різниця потенціалів, її залежність від концентрації легуючих домішок та ширини забороненої зони напівпровідника. Енергетична діаграма напівпровідникового p-n-переходу в стані термодинамічної рівноваги та при підєднанні постійної зовнішньої напруги. Вольт-амперна характеристика неосвітленого і освітленого напівпровідникового p-n-переходу (аналітичний вираз та графічне зображення). Визначення основних параметрів фотоперетворювача з експериментально отриманих ВАХ. Основні режими роботи напівпровідникового фотоперетворювача (режим короткого замикання, холостого ходу) та максимальної потужності. Коефіцієнт корисної дії сонячного елемента. Його залежність від ширини забороненої зони напівпровідника. Послідовний і шунтуючий опори напівпровідникового фотоперетворювача. Їх вплив на його основні параметри (струм короткого замикання, напругу холостого ходу, фактор заповнення ВАХ).