Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лекция радиометрия Часть2.doc
Скачиваний:
6
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
4.69 Mб
Скачать

4.5.2. Основные типы ппд Характеристики кремния и германия

Кремний и германий – четырехвалентные элементы с простой структурой (8 атомов в элементарной ячейке) и ковалентными связями, полностью насыщенными при низких температурах. При повышении температуры часть ковалентных (двойных) связей разрывается, что ведет к образованию электронно-дырочных пар. Число пар собственных носителей в собственном полупроводнике пi следующим образом зависит от температуры Т и ширины зоны:

где bconst данного материала; Т – температура по шкале Кельвина.

Величина тока в полупроводнике, созданная дрейфующими под действием поля носителями, определяет удельное сопротивление полупроводника ρ. Из определения ρ как величины обратной проводимости σ следует, что

где μ+, μподвижности носителей; р, п – объемные плотности положительных и отрицательных носителей.

Некоторые характеристики чистых (беспримесных) кремния и германия приведены в табл. 3.1.

Из таблицы видно, что ширины запрещенных зон кремния и германия отличаются меньше чем в два раза, а число носителей – на три порядка. Это связано с экспоненциальной зависимостью числа носителей от ширины запрещенной зоны. Подвижности носителей близки по величине и, что очень важно для спектрометрических измерений, подвижности электронов и дырок – одного порядка и в германии, и в кремнии. Видно, что если полупроводник охладить, то подвижности резко возрастут, а следовательно, улучшатся временные характеристики детектора. Уменьшение μ+ и μ с ростом Т объясняется увеличением сечения неупругих столкновений носителей с решеткой.

Таблица 3.1. Физические характеристики кремния и германия

Характеристика

Si

Ge

Атомный номер

Атомная масса

Плотность при 300 оК, г ¤см3

Диэлектрическая постоянная

Ширина щели при 300 оК, эВ

Энергия ионизации, эВ

Плотность собственных носителей при 300 оК, см – 3

Подвижность электронов при 300 оК, см3/(В×с)

Подвижность дырок при 300 оК, см3/(В×с)

Подвижность электронов при 77 оК, см3/(В×с)

Подвижность дырок при 77 оК, см3/(В×с)

Собственное удельное сопротивление при 300 оК, Ом×см

Собственное удельное сопротивление при 77 оК, Ом×см

14

28,06

2,33

12

1,106

3,66

1,5×1010

1350

480

4×104

1,8×104

3×105

-

32

72,60

5,33

16

0,67

2,96

2,4×1013

3900

1900

3,6×104

4,2×104

50

5×104

Используя характеристики германия и кремния, приведенные в табл. 3.1, получаем при Т = 300 °К для беспримесных полупроводников численные значения удельного сопротивления:

Ом·см, =230·103 Ом·см.

Видно, что сопротивление очень быстро растет с уменьшением температуры. При Т = 77 °К собственная проводимость и кремния, и германия падает настолько, что (при отсутствии примесных уровней) они являются превосходными изоляторами и, следовательно, их можно использовать для изготовления однородных полупроводниковых счетчиков.