5.Выпрямительные диоды.Стабилитроны.Диод Шотки.

Выпрямительные и силовые диоды используются в выпрямительных устройствах низкой частоты. Силовыми называют диоды, прямой ток которых превышает 10 А. Выпрямительные диоды – это обыкновенные плоскостные диоды. Широко используются в различных схемах, рабочие частоты которых невелики. Параметры определяются из ВАХ, прямая ветвь которой представляет зависимость среднего значения прямого тока от среднего значения прямого напряжения в режиме однополупериодного выпрямления. Обратная ветвь представляет зависимость среднего значения обратного тока от амплитудного значения обратного напряжения.

Стабилитроны – это полупроводниковые диоды, у которых в области пробоя (на обратной ветки ВАХ) напряжение на диоде почти не изменяется при изменении тока пробоя. Причина заключается в том, что в p-n-переходе происходит только электрический пробой, который не приводит к разрушению p-n-перехода. Стабилитроны используются для стабилизации напряжения или для ограничения напряжения, а так же в качестве эталонного напряжения. Кремниевые стабилитроны – стабилитроны, выполненные из кремния сплавным методом.

Основой диода Шоттки(ДШ) является барьер Шоттки, который образуется в переходе металл-полупроводник, если в результате перехода электронов уменьшается концентрация основных носителей. По своим свойствам ДШ аналогичен p-n-переходам, но отличается от них параметрами.

Важнейшей особенностью ДШ по сравнению с диодами на p-n-переходах является отсутствие инжекции основных носителей. Прямой ток осуществляется основными носителями, что повышает быстродействие ДШ. Имеет более низкую стоимость.

6.Устройство и принцип действия биполяроного транзистора. Схема с общей базой.

Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, основу которого составляют два взаимодействующих p-n-перехода, образованные в едином кристалле полупроводника и разделенные очень узкой областью взаимодействия, называемой базой. Широко используется как усилительный элемент и как переключательный.

Конструктивно транзистор состоит из эмиттера (левая p-область), эмиттерного p-n-перехода, коллектора (правая p-область), коллекторного p-n-перехода и узкой базы (n-область между переходами). Эмиттерная область имеет внешний вывод Э, коллекторная – вывод К, а база – базовый вывод Б.

Каждый из p-n-переходов транзистора может быть смещен в прямом, либо в обратном направлении. В зависимости от полярности смещений двух переходов возможны 4 режима транзистора. Основным является активный (усилительный) режим, при котором эмиттерный переход смещается в прямом направлении, а коллекторный в обратном.

Включение с общей базой:(не усиливает ток)

Эмиттор инжектирует в базу дырки, где они являются неосновным носителем заряда. При небольшом напряжении смещения ток эмиттора достаточно велик. Изначально база нейтральна, электрического поля в ней нет. Такой транзистор бездрейфовый.

Инжектированные дырки увеличивают концентрацию неосновных зарядов вблизи перехода ЭБ. Образуется градиент концентрации дырок в базе. Начинается диффузия инжектированных дырок в сторону коллекторного перехода.

Часть дырок рекомбинирует, встречая электроны, так образуется ток базы. Большая часть достигает коллекторного перехода. Коллекторный переход смещен в обратном направлении, его поле является ускоряющим для дырок. Дырки экстрагируют (втягиваются) в коллектор, так образуется ток коллектора.

Ток коллектора управляется током эмиттора (чем больше ток эмиттора, тем больше ток коллектора).

; - коэффициент передачи тока;