Помітне пропорційне зростання пропускання в області уф 6-4 еВ. Висновки

1. По результатам аналізу науково-технічної літератури встановлені основні методи одежання плівок ZnGa₂Se₄ і введення в них домішок. Виявлені недоліки методів і розроблено методику введення домішок в плівки на основі модифікованого методу 3-ох температур.

2. Проведено спектрофотометричний аналіз плівок ZnGa2Se4 з домішками Ge 6 концентрацій і виявлено появу піка пропускання в області спектру 4-6 еВ.

3. Ріст пропускання пропорційний концентрації домішки впровадження. Література

1. Arnulf JagerWaldau. Cu(In, Ga)(S,Se) Research and Examples Solar cell

Production Cjnclusions.//Cu(In,Ga)(S,Se)₂ Based Solar Cells Sino-European

Billateral meeting on Material Aspects for FutureEnergy Supply. Nice, 6-8

December 2004.-p.1-18.

2. Jiang Xiao-Shu, Yan Ying –Ce, Yuang Shi-Min at all. Trends in the band –Gap

pressure coefficients and bulk moduli in different structures ofZnGa2S4, ZnGa₂Se₄ and ZnGa₂Te₄.-Chin.phys. B., 2010.-V.19, N10.-p.107104-1 ---107104-8.

3. Panach-Zade, S.A., Rustamov, P.G.Untersuchung der Sintezenbedingungen und

einiger Eigenschaften von Verbindungen des Types AB₂C₄/Institut Neorg. Fiz. Khim., Baku.//Azerb. Khem. Zh., 1976.-N5.-p.109-112.

4. Cadenas R., Castro J., Delgado G. Estructura, Diagrama de fases TERMICO y

Brecha de energia de Las Aleaciones Semiconductoras Magneticas Diluades Zn_1-xMn_xGa₂Se₄ para 0<x<0.10. /Revista electronic Facultad de Ingenirie VVM Deposito Legal: PPX 399693TR2436.-V.6, Edicion No1.-Ano 2012.-p.1-13.

5. Майсел Л., Глэнг Р. Технология тонких пленок. –М.:Сов. Радио, 1977г.-Т.1-

662 стр.

6. Керимова Т.Г., Султанова А.Г., Мехдиев Г.С. Излучательная

рекомбинация в ZnGa₂Se₄.//Междунар. конф. “Fizika-2005”-7-9 June 2005.-Baku.-N202.-p.769-770.

7. I.S. Yahia, M. Fadel, G.B. Sakr, S.S. Shenouda at all. Impedance Spectroscopy

of Nanostructure p-ZnGa₂Se₄ /n-Si Heterojunction Diode./Acta Physica Polonica A.2011.-V.120,N3.- p.563-567

8. Тагиев Б.Г., Асадуллаева С.Г. Электрические свойства поликристаллов

соединения ZnGa₂Se₄/Институт физики Азербайджана. 2010г.-N2.- C. 155-160.

8. Morocoima M., Quintero M., Tovar R., Conflant P. Temperature variation of

lattice parameters and thermal expansion coefficients of the compound

ZnGa₂Se₄./J. Phis. Chem. Solids. 1997.-V.58, N3.-P.503-507.

9. Сharlotte K. Lowe-Ma, Terrell A. Vanderah. Crystal Structure of ZnGa₂Se₄, A

defect Sphalerite –Derivate./Acta Crystallographica C. Chemistry Division Research Department Naval Weapons Center China Lake, CA 93555.October 1989.-22p.