1. Запоминающие устройства (память). Постоянные (пзу) и оперативные (озу) запоминающие устройства.

Запоминающее устройство — носитель информации, предназначенный для записи и хранения данных. В основе работы запоминающего устройства может лежать любой физический эффект, обеспечивающий приведение системы к двум или более устойчивым состояниям.По устойчивости записи и возможности перезаписи ЗУ делятся на:

• Постоянные ЗУ (ПЗУ), содержание которых не может быть изменено конечным пользователем (например, BIOS). ПЗУ в рабочем режиме допускает только считывание информации.

• Записываемые ЗУ (ППЗУ), в которые конечный пользователь может записать информацию только один раз (например, CD-R).

• Многократно перезаписываемые ЗУ (ПППЗУ) (например, CD-RW).

• Оперативные ЗУ (ОЗУ) обеспечивают режим записи, хранения и считывания информации в процессе её обработки. Быстрые, но дорогие ОЗУ (SRAM) строят на триггерах, более медленные, но дешёвые разновидности ОЗУ — динамические ЗУ (DRAM) строят на полевых транзисторах, использующихся в качестве емкостей. В обоих видах ЗУ информация исчезает после отключения от источника питания (например, тока).

Инф-я хран-я в ячейках памяти. Объем памяти один из осн. пар-в памяти.она предст. собой кол-во входов, кот. хран. в памяти на разн. этих ходов.

Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ) предназначены для постоянного, энергонезависимого хранения информации.

По способу записи ПЗУ классифицируют [1] следующим образом:

1. однократно программируемые маской на предприятии-изготовителе;

2. однократно программируемые пользователем с помощью специальных устройств, называемых программаторами - ППЗУ;

3. перепрограммируемые, или репрограммируемые ПЗУ - РПЗУ.

1. Масочные пзу

Программирование масочных ПЗУ происходит в процессе изготовления БИС. Обычно на кристалле полупроводника вначале создаются все запоминающие элементы (ЗЭ), а затем на заключительных технологических операциях с помощью фотошаблона слоя коммутации реализуются связи между линиями адреса, данных и собственно запоминающим элементом. Этот шаблон (маска) выполняется в соответствии с пожеланиями заказчика по картам заказа. Перечень возможных вариантов карт заказов приводится в технических условиях на ИМС ПЗУ. Такие ПЗУизготавливаются на основе матриц диодов, биполярных или МОП-транзисторов.

2. Масочные пзу на основе диодной матрицы

Схема такого ПЗУ представлена на рис. 12.1. Здесь горизонтальные линии – адресные, а вертикальные – это линии данных, с них в данном случае снимаются 8-разрядные двоичные числа. В данной схеме ЗЭ – это условное пересечение линии адреса и линии данных. Выбор всей строки ЗЭ производится при подаче логического нуля на линию адреса ЛА_i c соответствующего выхода дешифратора. В выбранный ЗЭ записывается логический 0 при наличии диода на пересечении линии D_i и ЛА_i, т.к. в этом случае замыкается цепь: + 5 В, диод, земля на адресной линии. Так, в данном ПЗУ при подаче адреса 11₂ активный нулевой сигнал появляется на адресной линии ЛА₃, на ней будет уровень логического 0, на шине данных D7… D0 появится информация 01100011₂.

рис.12,1