- •Введение
- •1.Теоретическая часть
- •1.1 Общие теоретические сведения о биполярных транзисторах
- •1.1.1 Устройство и принцип действия
- •1.1.2 Схемы включения биполярных транзисторов
- •1.1.3 Режим работы биполярных транзисторов
- •1.1.4 Область применения
- •1.2 Биполярный транзистор кт3102г
- •1.2.1 Описание транзистора
- •1.2.2 Электрические параметры
- •1.2.3 Предельные эксплуатационные данные
- •1.3 Задание и данные для расчетной части
- •2. Расчетная часть
- •2.1 Исходные данные
- •2.2 Построение нагрузочной линии по постоянному току
- •2.3 Выбор рабочей точки
- •2.4 Определение h-параметров
- •2.5 Расчёт величин элементов эквивалентной схемы
- •2.6 Расчёт граничных и предельных частот
- •2.7 Определение частотных зависимостей y-параметров
- •Список используемой литературы:
- •Содержание
- •Курсовая работа
- •Заключение
1.1.2 Схемы включения биполярных транзисторов
В
электрическую цепь транзистор включают
таким образом, что один из его
выводов(электрод) является входным,
второй - выходным,а третий-общим для
вхлдной и выходной цеп
ей.
В завсимости от того, какой электрод
является общим, различают три схемы
включения транзисторов: ОБ, ОЭ и ОК. Эти
схемы для транзистора типа p-n-p
приведены на рисунок 1.3. Для транзистора
n-p-n
в схемах включения изменяются лишь
полярности напряжений и направление
токов. При любой схеме включения
транзистора(в активном режиме) полярность
включения источников питания должна
быть выбрана так, чтобы эммитерный
переход был включен в прямом направлении,
а коллекторный- в обратном.
Рисунок 1.3 – схема включения биполярных транзисторов: а)ОБ; б)ОЭ;в)ОК.
1.1.3 Режим работы биполярных транзисторов
Транзистор может работать в трех режимах в зависимости от напряжения на его переходях. При работе в активном режиме на эмиттерном переходе напряжение прямое, а на коллекторном- обратное. Режим отсечки, или запирания, достигается подачей обратного напряжения на оба перехода (оба p-n- переходя закрыты).
Если же на обоих переходах напряжение прямое (оба p-n- перехода открыты), то транзистор работает в режиме насыщения.
В
режиме
отсечки
и режиме насыщения управление транзистором
почти отсутствует. В активном режиме
такое управление осуществляется наиболее
эффективно, причем транзистор может
может выполнять функции активного
элемента электрической схемы(усиление,
генерирование и т.п.).
1.1.4 Область применения
Биполярные транзисторы являются полупроводниковыми приборами универсального назначения и широко применяются в различных усилителях, генераторах, в импульсных и ключевых устройствах.
1.2 Биполярный транзистор кт3102г
1.2.1 Описание транзистора
Транзистор КТ3102Г - эпитаксиально-планарный, n-p-n структуры, кремниевый, универсальный. Применяется в НЧ устройствах, требовательных к уровню шумов, а также в генераторных и усилительных СЧ и ВЧ устройствах. Выпускается в металлическом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются транзисторы следующим образом: КТ3102Г на боковой поверхности корпуса непосредственно надписью. Масса транзистора не более 0,5 грамм.
Рисунок
1.4. - Биполярный тра
нзистор
КТ3102Г
1.2.2 Электрические параметры
-
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкэ=5В, Iэ=10мА, f=30МГц
tк≤100нс.
Модуль коэффициента передачи тока при Uкб=5В, Iэ=10мА, f=100МГц
не менее 3
Статистический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб=5В, Iэ=2мА
при Т=298К
h21э=400-1000
при Т= 233К
h21э=100-1000
при Т=358К
h21э≥ 400
Коэффициент шума при при Uкэ=5В, Iэ=0,2мА, f=кГц, Rr= 2 кОм
Кш≤10 дБ
Граничное напряжение при Iэ=10 мА
Uгр≥ 15В
Обратный ток коллектор-эмиттер при Uкэ=20В
Iкэо≤ 0,05мкА
Обратный ток коллектора при Uкэ= 20В
при Т=298К
Iко≤ 0,015мкА
при Т=358К
Iко≤ 5 мкА
Обратный ток эмиттера при Uбэ=5В
Iэо≤ 10 мкА.
