
- •Введение. Немного теории
- •1 Источники напряжения
- •2 Электрические компоненты
- •3 Величины, применяемые при работе с электричеством. Законы Ома и Кирхгофа
- •4 Новые понятия
- •5 Пассивные компоненты электронных схем
- •5.1 Резисторы
- •5.2 Конденсаторы
- •5.3 Катушки индуктивности и дроссели
- •5.4 Трансформаторы и пьезотрансформаторы
- •6 Активные компоненты (полупроводники)
- •6.1 Диэлектрики, проводники, сверхпроводники и полупроводники
- •6.1.1 Диапазоны энергий и распределение носителей заряда в них
- •6.2 Диод
- •6.3 Общие сведения о полупроводниковых диодах
- •6.4 Конструкции и простейшие способы изготовления полупроводниковых диодов
- •6.5 Разновидности диодов
- •6.5.1 Выпрямительные диоды
- •6.5.2 Импульсные диоды
- •6.5.3 Варикапы
- •6.5.4 Стабилитроны и стабисторы
- •6.5.5 Светодиоды
- •6.5.6 Полупроводниковые лазеры
- •6.5.7 Фотодиоды
- •6.6 Эффекты полупроводников
- •6.6.1 Эффект Ганна
- •6.6.2 Эффекты Пельтье и Зеебека
- •6.6.3 Туннельный эффект
- •6.6.4 Эффект Холла
- •6.7 Биполярные транзисторы
- •6.7.1 Общие сведения о транзисторах
- •6.7.2 Конструкция некоторых биполярных транзисторов
- •6.7.3 Принцип действия биполярных транзисторов
- •6.7.4 Схемы включения биполярных транзисторов
- •6.7.5 Биполярные фототранзисторы
- •6.8 Полевые транзисторы с управляющим переходом
- •6.8.1 Конструкция полевых транзисторов с управляющим переходом
- •6.8.2 Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •6.8 Биполярные транзисторы с изолированными затворами
- •6.8.1 Общие сведения о бтиз
- •6.8.2 Конструкция и принцип действия бтиз
- •6.9 Тиристоры
- •6.9.1 Общая информация о тиристорах
- •6.9.2. Динисторы
- •6.9.3 Тринисторы
- •6.9.4 Запираемые тиристоры
- •6.9.5 Симисторы
- •6.10 Интегральные микросхемы
- •6.10.1 Определения гост 17021—88
- •6.10.2 Классификация микросхем
- •6.10.3 Технология изготовления пленочных имс
- •6.10.4 Гибридные интегральные микросхемы
- •6.10.5 Полупроводниковые микросхемы
- •7.Конструирование радиоэлектронных устройств
- •7.1 Изготовление печатных плат
- •7.2 Монтаж компонентов на печатной плате
- •7.2.1 Шелкография или маркировка.
- •7.2.2 Монтаж компонентов
- •8 Устройства отображения информации
- •8.1 Индикаторы
- •8.2 Светодиодные индикаторы
- •8.3 Жидкокристаллические индикаторы
- •8.4 Общие сведения об электронно-лучевых трубках
- •8.5 Жидкокристаллические дисплеи и панели
- •8.5.1 Общие сведения о жидкокристаллических дисплеях
- •8.5.2 Электролюминесцентная подсветка жидкокристаллических дисплеев
- •8.5 3 Светодиодная подсветка жидкокристаллических дисплеев
- •8.5.4 Время отклика жидкокристаллических дисплеев и влияние температуры на их работу
- •8.6 Плазменные панели
- •8.7 Дисплеи на углеродных нанотрубках
- •8.8 Сенсорные экраны и классификация их типов
- •8.9 Голографические системы
- •9 Простейшие схемы электроники
- •9.1 Усилители электрических сигналов
- •Классификация усилительных устройств.
- •9.2 Генераторы
- •9.3 Дискретные устройства
- •Список литературы
3 Величины, применяемые при работе с электричеством. Законы Ома и Кирхгофа
Единицы измерения служат для количественного определения какой-либо физической величины.
Таблица 1
Физическая величина |
Аббревиатура |
Единицы измерения |
Символ единиц |
Компонент |
Сопротивление |
R |
ом |
Ом, Q. |
Резистор |
Емкость |
С |
фарад |
Ф |
Конденсатор |
Индуктивность |
L |
генри |
Гн |
Катушка индуктивности |
Напряжение |
U (V или Е) |
вольт |
В |
|
Ток |
I |
ампер |
А |
|
Мощность |
Р |
ватт |
Вт |
|
Частота |
f |
герц |
Гц |
|
В реальных условиях используют краткую запись величин. Например, ток 5 миллиампер можно записать в виде 5 мА, а частоту 4 мегагерца — как 4 МГц.
Используется так же набор приставок для каждой физической величины. Ниже приведены такие комбинации величин и единиц их измерения.
Ток: пА, нА, мкА, мА, А, КА, МА.
Индуктивность: нГн, мкГн, мГн, Гн.
Емкость: пФ, нФ, мкФ, мФ, Ф.
Напряжение: мкВ, мВ, В, кВ.
Сопротивление: Ом, кОм, Мом, ТОм.
Частота: Гц, кГц, МГц, ГГц
Закон Ома
В начале 1800-х годов Георг Ом опубликовал уравнение, названное впоследствии законом Ома, который гласит: напряжение равняется произведению тока на сопротивление, или (в стандартной математической записи): U = I*R, или:
Можно рассчитать сопротивление при известных токе и напряжении, переставив члены того же уравнения:
.
Георг Ом также нашел выражение для мощности, вычисляемое при известных напряжении и токе:
Р = U * I;
или мощность = напряжение * ток.
Поскольку U = I * R, можно подставив это выражение в формулу для мощности, получим
P = I2 * R;
или Мощность = квадрат тока * сопротивление.
Правила Кирхгофа
Первое правило Кирхгофа (правило токов Кирхгофа) гласит, что алгебраическая сумма токов в каждом узле любой цепи равна нулю. При этом втекающий в узел ток принято считать положительным, а вытекающий - отрицательным:
Иными словами, сколько тока втекает в узел, столько из него и вытекает. Это правило следует из фундаментального закона сохранения энергии.
Первое правило
Сколько тока втекает в узел, столько из него и вытекает. i2 + i3 = i1 + i4
Второе правило
Второе правило Кирхгофа (правило напряжений Кирхгофа) гласит, что алгебраическая сумма падений напряжений на всех ветвях, принадлежащих любому замкнутому контуру цепи, равна алгебраической сумме ЭДС ветвей этого контура. Если в контуре нет источников ЭДС (идеализированных генераторов напряжения), то суммарное падение напряжений равно нулю:
для постоянных напряжений.
Для переменных напряжений:
Иными словами, при полном обходе контура потенциал, изменяясь, возвращается к исходному значению. Частным случаем второго правила для цепи, состоящей из одного контура, является закон Ома для этой цепи.
При составлении уравнения напряжений для контура нужно выбрать положительное направление обхода контура. При этом падение напряжения на ветви считают положительным, если направление обхода данной ветви совпадает с ранее выбранным направлением тока ветви, и отрицательным - в противном случае.
Правила Кирхгофа справедливы для линейных и нелинейных линеаризованных цепей при любом характере изменения во времени токов и напряжений.