
- •Введение. Немного теории
- •1 Источники напряжения
- •2 Электрические компоненты
- •3 Величины, применяемые при работе с электричеством. Законы Ома и Кирхгофа
- •4 Новые понятия
- •5 Пассивные компоненты электронных схем
- •5.1 Резисторы
- •5.2 Конденсаторы
- •5.3 Катушки индуктивности и дроссели
- •5.4 Трансформаторы и пьезотрансформаторы
- •6 Активные компоненты (полупроводники)
- •6.1 Диэлектрики, проводники, сверхпроводники и полупроводники
- •6.1.1 Диапазоны энергий и распределение носителей заряда в них
- •6.2 Диод
- •6.3 Общие сведения о полупроводниковых диодах
- •6.4 Конструкции и простейшие способы изготовления полупроводниковых диодов
- •6.5 Разновидности диодов
- •6.5.1 Выпрямительные диоды
- •6.5.2 Импульсные диоды
- •6.5.3 Варикапы
- •6.5.4 Стабилитроны и стабисторы
- •6.5.5 Светодиоды
- •6.5.6 Полупроводниковые лазеры
- •6.5.7 Фотодиоды
- •6.6 Эффекты полупроводников
- •6.6.1 Эффект Ганна
- •6.6.2 Эффекты Пельтье и Зеебека
- •6.6.3 Туннельный эффект
- •6.6.4 Эффект Холла
- •6.7 Биполярные транзисторы
- •6.7.1 Общие сведения о транзисторах
- •6.7.2 Конструкция некоторых биполярных транзисторов
- •6.7.3 Принцип действия биполярных транзисторов
- •6.7.4 Схемы включения биполярных транзисторов
- •6.7.5 Биполярные фототранзисторы
- •6.8 Полевые транзисторы с управляющим переходом
- •6.8.1 Конструкция полевых транзисторов с управляющим переходом
- •6.8.2 Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •6.8 Биполярные транзисторы с изолированными затворами
- •6.8.1 Общие сведения о бтиз
- •6.8.2 Конструкция и принцип действия бтиз
- •6.9 Тиристоры
- •6.9.1 Общая информация о тиристорах
- •6.9.2. Динисторы
- •6.9.3 Тринисторы
- •6.9.4 Запираемые тиристоры
- •6.9.5 Симисторы
- •6.10 Интегральные микросхемы
- •6.10.1 Определения гост 17021—88
- •6.10.2 Классификация микросхем
- •6.10.3 Технология изготовления пленочных имс
- •6.10.4 Гибридные интегральные микросхемы
- •6.10.5 Полупроводниковые микросхемы
- •7.Конструирование радиоэлектронных устройств
- •7.1 Изготовление печатных плат
- •7.2 Монтаж компонентов на печатной плате
- •7.2.1 Шелкография или маркировка.
- •7.2.2 Монтаж компонентов
- •8 Устройства отображения информации
- •8.1 Индикаторы
- •8.2 Светодиодные индикаторы
- •8.3 Жидкокристаллические индикаторы
- •8.4 Общие сведения об электронно-лучевых трубках
- •8.5 Жидкокристаллические дисплеи и панели
- •8.5.1 Общие сведения о жидкокристаллических дисплеях
- •8.5.2 Электролюминесцентная подсветка жидкокристаллических дисплеев
- •8.5 3 Светодиодная подсветка жидкокристаллических дисплеев
- •8.5.4 Время отклика жидкокристаллических дисплеев и влияние температуры на их работу
- •8.6 Плазменные панели
- •8.7 Дисплеи на углеродных нанотрубках
- •8.8 Сенсорные экраны и классификация их типов
- •8.9 Голографические системы
- •9 Простейшие схемы электроники
- •9.1 Усилители электрических сигналов
- •Классификация усилительных устройств.
- •9.2 Генераторы
- •9.3 Дискретные устройства
- •Список литературы
1 Источники напряжения
Для генерации положительного напряжения на одном выводе электрической батареи и отрицательного — на другом используется процесс электрохимических реакций. В батарее заряд создается помещением двух разных металлов в определенный тип химического вещества (электролит).
Батареи имеют два вывода (выводами называются металлические площадки на концах батареи, к которым подключаются провода).
Напряжение толкает электроны через провод от отрицательного вывода батареи к положительному; электроны, движущиеся по проводу, проходят через нить накала электрической лампочки и заставляют ее светиться.
Благодаря тому, что электроны двигаются только в одном направлении, от отрицательного вывода батареи к положительному, электрический ток, генерируемый батареей, называется постоянным током (на схемах часто обозначается DC - direct current). Он является противоположностью переменному току.
Проводки, идущие от лампочки, должны быть подключены к обоим выводам батареи. Это позволяет электронам двигаться от одного из них к другому, проходя через лампочку. Если не создать электронам подобную петлю из проводников, то они не смогут течь вообще.
Когда вы включаете лампу в электрическую розетку на стене, вы используете то электричество, которое выработала электростанция. Направление, в котором текут электроны, меняется 100 раз в секунду. Такое изменение потока электронов называется переменным током (АС - alternative current).
Изменение направления тока с возвращением к первоначальному направлению представляет собой цикл, или период. Количество таких периодов переменного тока в секунду называется частотой и измеряется в специальных единицах — герцах (Гц). В странах Европы используется частота, равная 50 Гц, а в Северной Америке — 60 Гц, т.е. там электроны меняют направление своего движения 120 раз в секунду.
Простой выбор: переменный ток или постоянный. Какая разница, какой ток использовать: переменный или постоянный? Оказывается, большая. Переменный ток дешевле получать и пересылать по линиям электропередачи, чем постоянный и легче получать напряжения произвольной величины. Именно поэтому бытовое электричество обычно работает от переменного тока: всевозможные лампы, нагреватели и тому подобное.
Переменный ток несколько сложнее контролировать чем постоянный, поскольку неизвестно, в каком направлении он течет каждый конкретный момент. В большинстве схем электроники для питания используется именно постоянный ток.
2 Электрические компоненты
Электрические компоненты, или, как их еще называют, радиоэлементы, служат для контроля, обеспечения передачи и управления потоком электронов.
Электрические компоненты делятся на пассивные и активные.
Например, ключ с помощью проводников соединяет электрическую лампочку с источником тока это пассивное устройство. К пассивным компонентам относятся так же резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, сами проводники.
Другие элементы, осуществляющие преобразование и усиление электрических сигналов называются активными: диоды, транзисторы, микросхемы.
Отличие пассивных компонентов от активных
Транзисторы, диоды, светоизлучающие диоды (СИД), интегральные схемы и многие другие электронные устройства изготавливаются из полупроводников.
Полупроводники, а к ним относятся кремний, германий, арсенид галлия и некоторые другие материалы, свойства которых имеют общие черты как с проводниками, так и с изоляторами.
Полупроводники без примесей проводят ток очень слабо. Полупроводниковые (активные) электронные приборы в чистом виде используются только как вспомогательный материал.
Электронные приборы приобретают нужные в электронике свойства при добавлении других веществ, например бора и фосфора. При этом они становятся несколько лучшими проводниками.
Если добавляется 5-и валентный фосфор, то, так как кремний 4-х валентный, полупроводник становится полупроводником так называемого n-типа, в котором имеются лишние электроны, если же подмешивается 3-х валентный бор, то он в полупроводнике не хватает электронов, зато появляются вакантные места, называемые «дырки», имеющие положительный заряд и такой полупроводник называется полупроводником р - типа. Полупроводник n - типа имеет больше электронов, чем обычный полупроводник, а полупроводник р - типа, соответственно, меньше.
Если два полупроводника, содержащие бор и фосфор вплавить друг в друга, получится так называемый p-n-переход. В таком переходе ток течет только в одном направлении, при подаче напряжения противоположной полярности ток не течет. Прибор, в котором находится такой сплавленный кристалл, называется диодом.
Диоды - элементы, которые служат для преобразования переменного тока в почти постоянный пропусканием тока, проходящего в одном направлении.
Под воздействием света p-n-переход может генерировать электрический ток; это свойство используется в солнечных батареях.
При пропускании тока, через p – n - переход полупроводников из определенного типа материала (арсенид галлия, например) электрический ток, то выделится свет, так работают светоизлучающие диоды (СИД).
В транзисторах используются переходы с тремя прилегающими областями с добавленными примесями. К примеру, одна с фосфором, вторая с бором, третья снова с фосфором, т.е. получается структура типа n – p - n. Ток управления в таком случае подастся на среднюю область: (так называемая база).
Интегральные микросхемы (ИМС) - дальнейшее развитие полупроводниковой технологии, в кристалле и на поверхности полупроводника создаются сотни и тысячи активных и пассивных элементов, соединенных в законченную схему. ИМС делятся на гибридные и собственно интегральные.
Полупроводниковая технология позволила значительно уменьшить размеры электронных устройств по сравнению с более ранними приборами на электронных лампах.