
- •Основні напрями розвитку електроніки. Вакуумна, твердотільна і квантова електроніка. Визначення та завдання.
- •Основні етапи розвитку мікроелектроніки
- •Класифікація виробів електроніки по виду енергії, потужності, частоті. Активні і пасивні елементи.
- •4. Основні матеріали напівпровідникової техніки. Елементарні напівпровідники IV підгрупи періодичної системи. Сполуки а3в5 та а2в6. Інші напівпровідникові матеріали. Їх властивості та використання.
- •5.Зонна структура напівпровідників, її утворення. Метали, напівпровідники, діелектрики.
- •6.Власні та домішкові напівпровідники. Їх зонні діаграми. Основні носії у матеріалах.
- •7. Статистика електронів і дірок у напівпровідниках. Власна і домішкова провідність напівпровідників. Вирази для концентрації носіїв та провідності.
- •9. Рівень Фермі. Положення рівня Фермі у власних та домішкових напівпровідниках.
- •10. Вплив температури на положення рівня Фермі у власних та домішкових напівпровідниках.
- •11 И 12 Рекомбінація та генерація носіїв заряду. Швидкості рекомбінаціїта генерації. Тривалість життя носіїв заряду
- •13. Квазірівень Фермі.
- •14.Дрейфові і дифузійні струми у напівпровідниках.
- •17. Термоелектронна емісія в напівпровідниках. Формула Річардсона.
- •18. Спорідненість до електрону. Робота виходу з напівпровідника n- та p-типа.
- •19. Ефект поля в поверхневому шарі напівпровідникового кристалу. Зонні діаграми при ефекті поля. Області збіднення, збагачення, інверсії. Дебаєвська довжина екранування.
- •21. Енергетична діаграма контакту метал-напівпровідник. Перехід Шоткі у рівноважному стані. Його основні параметри.
- •22. Вольт-амперна характеристика переходу Шоткі. Переваги та недоліки діодів Шоткі.
- •24. Процеси на р-n - переході при відсутності зовнішньої напруги. Утворення запірного шару і електричного поля в ньому.
- •25. Контактна різниця потенціалів на р-n - переході. Розподіл напруженості поля та потенціалу. Ширина збідненої області.
- •26.Процеси на р-n - переході під дією зовнішньої напруги. Діаграми енергетичних зон переходу. Вах ідеального p-n переходу.
- •27. Ємність р-n переход у та його еквівалентна схема.
- •29. Гетеропереходи. Вимоги до матеріалів гетеропереходу. Ізотипні та анізотипні гетеропереходи. Різкі та плавні гетеропереходи. Побудова зонних діаграм гетеропереходів
- •30. Вольт-амперна характеристика гетеропереходу. Зарядоперенесення через границю: теплові та нетеплові струми.
- •31. Основні параметри гетеропереходів: контактна різниця потенціалів, розподіл напруженості поля та потенціалу. Ширина збідненої області
- •32. Класифікація та система позначень діодів.
- •33. Випрямні діоди. Їх особливості та використання. Основні параметри.
- •35. Універсальні діоди. Вимоги до універсальний діодів
- •36.Імпульсні діоди та перехідні процеси в них. Шляхи отримання необхідних параметрів.
11 И 12 Рекомбінація та генерація носіїв заряду. Швидкості рекомбінаціїта генерації. Тривалість життя носіїв заряду
Спадання нерівноважної концентрації електронів з часом у дон’орному напівпровіднику
Рекомбінація носіїв
13. Квазірівень Фермі.
14.Дрейфові і дифузійні струми у напівпровідниках.
У відсутність електричного поля в кристалі і однаковій концентрації носіїв заряду в об’ємі напівпровідника електрони і дірки знаходяться в безперервному тепловому (хаотичному) русі, однаковому по всіх напрямах. Зважаючи на хаотичний характер руху носіїв заряду струм в кристалі дорівнює нулю.
Електричне поле і нерівномірність розподілу концентрації носіїв заряду є чинниками, що створюють впорядкований рух носіїв заряду, тобто такими, що обумовлюють електропровідність і електричний струм в напівпровіднику.
15и16 Фундаментальні рівняння твердотільної електроніки.Рівняння повного струму. Рівняння Пуассона
Рівняння електронейтральності
17.Термоелектронна емісія в напівпровідниках. Формула Річардсона.
18. Спорідненість до електрону. Робота виходу з напівпровідника n- таp-типа.
16.Фундаментальні рівняння твердотільної електроніки Рівняння неперервності. Закон електронейтральності.
Рівняння повного струму
=
+eDngrad(n)-
eDpgrad(p),
Фізичний зміст рівняння повного струму полягає в наступному:
струм в напівпровідникових приладах переноситься електронами і дірками, а переміщуються вони під дією сил електричного поля і градієнта концентрації.
Рівняння неперервності
Величина струму в напівпроводникових приладах визначається концентрацією носіїв і градієнтом їх концентрації. При цьому концентрація носіїв може змінюватися у часі. Характер зміни концентрації носіїв у часі дозволяє описувати рівняння неперервності. Це рівняння показує, як і за якими причинам змінюється концентрація носіїв у часі. Фізичний зміст рівняння можна представити наступною схемою.
Тобто, за рахунок процесів генерації концентрація носіїв у часі зростає, а рекомбінація і розтікання струму призводять до зменшення концентрації носіїв.
Математично це можна записати наступним чином.
=RGn
– RRn+
di(
jn),
=RGp
– RRp-
di(
jp)
di(jn)
=
,
di(jp)
=
- дивергенція
струмів.
Підставивши
значення величин у рівняння отримаємо
=
+
di(
jn),
=
-
di(
jp)
Якщо
струми носять дифузійний характер jn
=
eDn
,
jp
=
eDp
отримаємо остаточно
=
Dn
-
,
=
Dp
-