76 Какие требования предъявляются к пинам управления прибора памяти, подключаемого в шине данных?

• Если выставить на пин направления логическую единицу, то полярность напряжения на клеммниках нагрузки будет соответствовать обозначению «+» и «-» на плате.

• При подаче на пин логического нуля, напряжение на клеммнике изменится на противоположное.

77 Первой операционной системой было CP/M. Укажите, как передfвалалось управление из ОС в прикладную программу и обратно.

CP/M-80 состояла из трех размещавшихся в памяти модулей: CCP (Console Command Processor — примитивный командный интерпретатор), BDOS (Basic Disk Operating System — реализация системных вызовов) и BIOS (Basic Input/Output System — драйвера стандартных устройств: диска, консоли, принтера и последовательного интерфейса). При портировании CP/M на новую машину нужно было переписать только BIOS; CCP и BDOS были аппаратно-независимы. Прикладные же программы могли пользоваться функциями BDOS, или, при необходимости, напрямую BIOS, но были избавлены от необходимости знать премудрости работы с дисковыми контроллерами разных машин.

78 Перечислите основные технологические различия приборов памяти типа ram.

Все персональные компьютеры используют оперативную память динамического типа (DRAM - Dynamic Random Access Memory), основным преимуществом которой перед статической оперативной памятью (SRAM - Static RAM) является низкая цена. Это связано с тем, что если элемент статической памяти (триггер) требует 4-6 транзисторов, то элемент динамической памяти - это интегральный конденсатор, для обслуживания которого требуется 1—2 транзистора. Отсюда же следуют два основных недостатка динамической памяти: она требует регенерации (то есть постоянного возобновления заряда на разряжающемся конденсаторе) и имеет в несколько раз меньшее быстродействие по сравнению со статической памятью. К тому же во время регенерации динамическая память недоступна для обмена, что также снижает быстродействие компьютера.

Второе поколение динамической памяти EDO RAM (Extended Data Output RAM) имело быстродействие примерно на 20—25% выше, чем у обычной памяти. Это достигается за счет того, что следующее обращение к памяти возможно еще до завершения предыдущего обращения. Третье поколение динамической памяти - SDRAM (Synchronous DRAM) - еще на столько же быстрее (рабочая частота в настоящее время достигает 133 МГц). Еще более быстродействующая память - DDR SDRAM (частота до 400 МГц) и память RDRAM (частота до 1 ГГц и выше).

79 Перечислите отличия прибора памяти 8185 (1kB) от приборов памяти общего назначения такого же размера.

80 Прибор памяти имеет время доступа 500 нс. Может ли этот прибор быть подключенным к МП 8085 (Fclk=5 МГц)?

Нет, т.к. Fclk = 250 нс

81 Укажите возможности расширения памяти мп системы на мп 8085.

ОЗУ ЭВМ подразделяется на две области: 1) непосредственно адресуемая память емкостью 1024 Кбайт, занимающая ячейки с адресами от 0 до 1024 Кбайт; 2) расширенная память с адресами 1024 Кбайт и выше, доступ к которой возможен при использовании специальных программ (драйверов). Стандартная память - непосредственно адресуемая память от 0 до 640 Кбайт. Верхняя память - непосредственно адресуемая память от 640 до 1024 Кбайт. Она зарезервирована для видеопамяти и работы ПЗУ.