
- •Лабораторная работа № 1
- •1. Цель работы:
- •2. Краткие теоретические сведения:
- •2.1. Компоненты Electronics Workbench
- •B asic (базовые компоненты)
- •1). Соединяющий узел.
- •4). Ключ.
- •1). Земля
- •Indicators (Приборы из библиотеки индикаторов).
- •1). Вольтметр
- •2). Амперметр
- •I nstruments (приборы из библиотеки инструментов).
- •1). Функциональный генератор
- •2 ). Осциллограф
- •3). Графопостроитель (Боде-плоттер)
- •2.2. Моделирование схем в Electronics Workbench
- •3. Задание к работе: Ознакомиться с моделированием электронных схем с использованием программы Electronics Workbench.
- •4. Порядок выполнения работы:
- •5. Содержание отчета:
- •6. Контрольные вопросы:
- •Лабораторная работа № 2 исследование выпрямительного диода
- •1. Цель работы:
- •2. Литература:
- •3. Краткие теоретические сведения:
- •4. Задание к работе:
- •5. Порядок выполнения работы:
- •6. Содержание отчета:
- •7. Контрольные вопросы:
- •Лабораторная работа № 3 исследование стабилитрона
- •1. Цель работы:
- •2. Литература:
- •3. Краткие теоретические сведения:
- •5. Порядок выполнения работы:
- •6. Содержание отчета:
- •7. Контрольные вопросы:
- •Лабораторная работа № 4 исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером,
- •1. Цель работы:
- •2. Литература:
- •3. Краткие теоретические сведения:
- •5. Порядок выполнения работы:
- •6. Содержание отчета:
- •7. Контрольные вопросы:
- •Лабораторная работа № 5 исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой
- •1. Цель работы:
- •2. Литература:
- •3. Краткие теоретические сведения:
- •5. Порядок выполнения работы:
- •6. Содержание отчета:
- •7. Контрольные вопросы:
- •Лабораторная работа № 6 исследование полевых транзисторов
- •1. Цель работы:
- •2. Литература:
- •3. Краткие теоретические сведения:
- •5. Порядок выполнения работы:
- •6. Содержание отчета:
- •7. Контрольные вопросы:
- •Лабораторная работа № 7 исследование тиристора
- •1. Цель работы:
- •2. Литература:
- •3. Краткие теоретические сведения:
- •4. Задание к работе: Снять вах тринистора при различных величинах управляющих токов. Определить основные параметры исследуемого прибора.
- •5. Порядок выполнения работы:
- •6. Содержание отчета:
- •7. Контрольные вопросы:
5. Порядок выполнения работы:
5.1. Соберите схему для снятия передаточных статических ВАХ полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом (рис. 24). Задаваясь фиксированными значениями UСИ = 5B; 10B и меняя величину напряжения затвор-исток, снимите стоко–затворные характеристики IС =f(UЗИ). Определите напряжение отсечки UЗИ 0. Результаты занесите в таблицу 11.
Таблица 11
UСИ,B |
UЗИ,B |
|
|
|
|
|
|
|
5 |
IС, мкA |
|
|
|
|
|
|
|
10 |
IС, мкA |
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 24
5.2. Используя ту же схему, снимите выходную статическую характеристику IС = f (UСИ) и заполните таблицу 12. Для этого, задаваясь фиксированными значениями UЗИ = 0 B; -1 B; -2 B, определите значения стокового тока и напряжения сток-исток при различных значениях напряжения питания стоковой цепи.
Таблица 12
UЗИ,B |
Eс,B |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
10 |
0 |
Ic,mA |
|
|
|
|
|
|
|
|
Uси,B |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-1 |
Ic,mA |
|
|
|
|
|
|
|
|
Uси,B |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-2 |
Ic,mA |
|
|
|
|
|
|
|
|
Uси,B |
|
|
|
|
|
|
|
|
5.3. По полученным данным постройте ВАХ транзистора.
5.4. Исследуйте свойства полевого транзистора с изолированным затвором с индуцированным каналом. Для этого соберите схему, аналогичную изображенной на рис. 24, в которой измените тип транзистора. По аналогии с пп. 5.1 – 5.3 снимите статические характеристики, определите пороговое значение напряжения и постройте ВАХ исследуемого транзистора.
5.5. Определите значения крутизны передаточной характеристики и внутреннего сопротивления для двух типов рассмотренных транзисторов.
5.6. Сделайте выводы.
6. Содержание отчета:
6.1. Наименование и цель работы. Задание к работе.
6.2. Изображение используемых в работе электрических схем для снятия ВАХ полевых транзисторов.
6.3. Таблицы с результатами измерений.
6.4. Графики, изображающие стоковые и стоко-затворные характеристики для двух типов транзисторов.
6.5. Описание методики определения параметров полевых транзисторов и результаты их определения.
6.6. Выводы по работе.
6.7. Ответы на контрольные вопросы.