
- •Билет 1: Отличие понятий «вещество» и «материал»
- •Билет 2: Типы сингоний кристаллов
- •Билет 3: Основные структурные типы
- •Билет 4: Примеры полиморфных переходов для сложных веществ
- •Билет 5: Рентгенофазовый анализ, закон Вегарда
- •Билет 6: Дефекты
- •Билет 7: Применение материалов на основе галогенидов
- •Билет 8: Огнеупоротые оксидные материалы
- •Билет 9: Оксидные магнитные материалы, эффект колоссального магнетосопротивления
- •Билет 10: Семейства оксидных высокотемпературных сверхпроводников
- •Билет 11: Основы зонной теории твердых тел. Металлы, полупроводники и изоляторы, зависимость их электрического сопротивления от температуры.
- •Эти предположения нужны для:
- •Билет 12: Эффекты Зеебека и Пельтье, термоэлектрические материалы
- •Билет 13: Собственные и допированные полупроводники, p-n переход
- •Билет 14: Методы роста кристаллов
- •1) Из расплава:
- •3) Кристаллизация из газовой фазы:
- •Билет 15: Квантовые точки
- •Билет 16: Солнечные батареи
- •Билет 17: Применение графита
- •Билет 18: Применение материалов на основе SnO2
- •Билет 19: Применение материалов на основе свинца и его соединений
- •Билет 20. Применение материалов на основе кремния и его соединений
- •Билет 21: Применение фуллерена и углеродных нанотрубок
- •Билет 22: Применение материалов на основе бора и его соединений
- •Билет 23: Методы получения твердофазных материалов
- •Билет 24: Основные этапы получения керамики. Специфика получения нанокерамических материалов
- •Билет 27: Материалы на основе щелочных металлов и их соединений
- •Билет 28: Применение материалов на основе бериллия и его соединений
- •Билет 29: Применение материалов на основе магния и его соединений
- •Билет 30: Применение материалов на основе щелочноземельных металлов и их соединений
- •Билет 31: Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики, фазовые переходы первого и второго рода
- •Билет 32: Титанат бария: структура, получение и применение
- •Билет 33: Применение материалов на основе алюминия и его соединений
- •Билет 34: Применение материалов на основе галлия, индия, таллия и их соединений
- •Билет 35: Применение материалов на основе титана и его соединений
- •Билет 36: Принцип работы топливных элементов
- •Билет 37: Применение материалов на основе ванадия, ниобия, тантала и их соединений
- •Билет 38: Применение материалов на основе хрома, молибдена, вольфрама и их соединений
- •Билет 39: Принцип действия фото- и электрохромных устройств
- •Билет 41: Применение материалов но основе железа и его соединений
- •Билет 42: Применение материалов на основе кобальта и его соединений
- •Билет 43: Применение материалов на основе никеля и его соединений
- •Билет 44: Применение материалов на основе платиновых металлов и их соединений
- •Билет 45: Применение материалов на основе меди, серебра, золота и их соединений
- •Билет 46: Применение материалов на основе марганца, технеция, рения и их соединений. Элементы Лекланше
- •Билет 47: Применение материалов на основе цинка, кадмия, ртути и их соединений
- •Билет 48: Применение материалов на основе редкоземельных элементов и их соединений
- •Билет 49: Применение материалов на основе актиноидов и их соединений
- •Билет 50: Механическое поведение (зависимость деформации от напряжения) различных типов материалов (керамика, металлы, полимеры). Формула Холла-Петча.
3) Кристаллизация из газовой фазы:
В методах выращивания, основанных на физической конденсации кристаллизуемого вещества, вещество поступает к растущему кристаллу в виде пара.
Методе молекулярных пучков. Нагретый до высокой температуры в вакууме компактный источник испускает атомы или молекулы, которые распространяясь по законам геометрической оптики, попадают на подложку, где и происходит конденсация. Высокую локальную температуру позволяет получить электронно-лучевой нагрев испаряемого вещества. Фокусируя электронный луч, нагревают малый участок на сравнительно массивном слитке испаряемого вещества, иногда доводя его до плавления. Испаритель и подложку помещают в камеру с холодными стенками, в которой обеспечивают высокий вакуум. Если на пути частиц поместить экран в отверстиями («маску»), то он вырезает отдельные пучки частиц. Таким способом можно локализовать кристаллизацию на выбранных участках.
Для повышения совершенства пленок метод молекулярных пучков комбинируют с химическими методами осаждения.
Метод катодного распыления. Катодное распыление позволяет переводить в газовую фазу и осаждать на подложку в виде тонких пленок тугоплавкие материалы. Катод изготавливают из распыляемого материала. Между двумя электродами, удаленными друг от друга на несколько сантиметров возбуждается тлеющий разряд. Положительные ионы остаточного газа, как правило, аргона, ускоряются и бомбардируют катод, выбивая атомы катодного материала из кристаллической решетки. Эти атомы с относительно высокой энергией осаждаются на поверхность подложки. При этом образуется равномерная тонкая плёнка.
Методы с участием химической реакции. Относятся методы химического транспорта, методы разложения соединений и методы синтеза в паровой фазе.
В методах химического транспорта кристаллизуемое вещество в твердом или жидком виде взаимодействует в зоне источника с другим веществом и превращается в газообразные соединения, которые переносятся в зону с иной температурой и, разлагаясь по обратной реакции, выделяют исходное вещество. В методах разложения соединений в зону кристаллизации вводится летучее соединение, которое под действием газообразного восстановителя и высокой температуры или любого иного воздействия разлагается с выделением кристаллизуемого вещества. В методе синтеза в паровой фазе кристаллизуемое соединение образуется в результате реакции между газообразными компонентами непосредственно в зоне кристаллизации.
Билет 15: Квантовые точки
Квантовые
точки
- объект, локализующий электрон
по всем трем пространственным координатам.
Представлен как наночастица
полупроводника.Ширина запрещеной зоны
таких наночастиц зависит от размера по
закону
Таким
образом разные квантовые точки поглощают
на разных длинах волн, а вследствие
этого и имеют разные цвета. Материалами
для квантовых точек являются
InGaAs, CdSe или GaInP/InP
Применение:
· Визуализация частей органов и клеток: большая глубина фокуса и контраст,
· Биологические метки,
· Разрушение раковых клеток – фототермический эффект,
· Увеличение чувствительности аналитических методик.