- •Билет 1: Отличие понятий «вещество» и «материал»
- •Билет 2: Типы сингоний кристаллов
- •Билет 3: Основные структурные типы
- •Билет 4: Примеры полиморфных переходов для сложных веществ
- •Билет 5: Рентгенофазовый анализ, закон Вегарда
- •Билет 6: Дефекты
- •Билет 7: Применение материалов на основе галогенидов
- •Билет 8: Огнеупоротые оксидные материалы
- •Билет 9: Оксидные магнитные материалы, эффект колоссального магнетосопротивления
- •Билет 10: Семейства оксидных высокотемпературных сверхпроводников
- •Билет 11: Основы зонной теории твердых тел. Металлы, полупроводники и изоляторы, зависимость их электрического сопротивления от температуры.
- •Эти предположения нужны для:
- •Билет 12: Эффекты Зеебека и Пельтье, термоэлектрические материалы
- •Билет 13: Собственные и допированные полупроводники, p-n переход
- •Билет 14: Методы роста кристаллов
- •1) Из расплава:
- •3) Кристаллизация из газовой фазы:
- •Билет 15: Квантовые точки
- •Билет 16: Солнечные батареи
- •Билет 17: Применение графита
- •Билет 18: Применение материалов на основе SnO2
- •Билет 19: Применение материалов на основе свинца и его соединений
- •Билет 20. Применение материалов на основе кремния и его соединений
- •Билет 21: Применение фуллерена и углеродных нанотрубок
- •Билет 22: Применение материалов на основе бора и его соединений
- •Билет 23: Методы получения твердофазных материалов
- •Билет 24: Основные этапы получения керамики. Специфика получения нанокерамических материалов
- •Билет 27: Материалы на основе щелочных металлов и их соединений
- •Билет 28: Применение материалов на основе бериллия и его соединений
- •Билет 29: Применение материалов на основе магния и его соединений
- •Билет 30: Применение материалов на основе щелочноземельных металлов и их соединений
- •Билет 31: Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики, фазовые переходы первого и второго рода
- •Билет 32: Титанат бария: структура, получение и применение
- •Билет 33: Применение материалов на основе алюминия и его соединений
- •Билет 34: Применение материалов на основе галлия, индия, таллия и их соединений
- •Билет 35: Применение материалов на основе титана и его соединений
- •Билет 36: Принцип работы топливных элементов
- •Билет 37: Применение материалов на основе ванадия, ниобия, тантала и их соединений
- •Билет 38: Применение материалов на основе хрома, молибдена, вольфрама и их соединений
- •Билет 39: Принцип действия фото- и электрохромных устройств
- •Билет 41: Применение материалов но основе железа и его соединений
- •Билет 42: Применение материалов на основе кобальта и его соединений
- •Билет 43: Применение материалов на основе никеля и его соединений
- •Билет 44: Применение материалов на основе платиновых металлов и их соединений
- •Билет 45: Применение материалов на основе меди, серебра, золота и их соединений
- •Билет 46: Применение материалов на основе марганца, технеция, рения и их соединений. Элементы Лекланше
- •Билет 47: Применение материалов на основе цинка, кадмия, ртути и их соединений
- •Билет 48: Применение материалов на основе редкоземельных элементов и их соединений
- •Билет 49: Применение материалов на основе актиноидов и их соединений
- •Билет 50: Механическое поведение (зависимость деформации от напряжения) различных типов материалов (керамика, металлы, полимеры). Формула Холла-Петча.
Билет 12: Эффекты Зеебека и Пельтье, термоэлектрические материалы
Термоэлектрические материалы — сплавы металлов или химические соединения, обладающие выраженными Термоэлектрическими свойствами и применяемые в той или иной степени в современной промышленности. Их используют для преобразования тепла в электричество, термоэлектрического охлаждения или измерения температур. Термоэлектрические материалы представляют собой замкнутую цепь из двух спаянных проводников. Принципами их работы являются эффект Зеебека - получение электрического тока вследствие разности температур; эффект Пельтье - возникновение градиента температур на разных электродах при пропускании через проводник электрического тока (более ярко выражены для полупроводников). Самый распространённый термоэлектрик - теллурид висмута (добавки сурьмы, свинца и иода)
Билет 13: Собственные и допированные полупроводники, p-n переход
Собственные полупроводники имеют полностью заполненные валентные зоны, но ширина запрещённой зоны меньше, чем у изолятора (2-3 эВ).
При допировании возникают либо свободные электроны в зоне проводимости (n-допированный), либо дырки в валентной зоне (р-допированный). На стыке двух полупроводников происходит переход от одного типа проводимости к другому, на этом основан принцип работы полупроводниковых диодов и триодов.
Билет 14: Методы роста кристаллов
1) Из расплава:
Метод Чохральского — метод выращивания кристаллов путём вытягивания их вверх от свободной поверхности большого объёма расплава с инициацией начала кристаллизации путём приведения затравочного кристалла (или нескольких кристаллов) заданной структуры и кристаллографической ориентации в контакт со свободной поверхностью расплава.
Может использоваться для выращивания кристаллов элементов и химических соединений, устойчивых при температурах плавления-кристаллизации. Метод наиболее известен применительно к выращиванию монокристаллического кремния.
2) Из раствора:
Под кристаллизацией из растворов подразумевается рост кристалла соединения, химический состав которого заметно отличается от химического состава исходной жидкой фазы. Растворителями могут быть вода, многокомпонентные водные и неводные растворы, расплавы каких-либо химических соединений. В зависимости от температуры процесса и химической природы растворителя различают процессы выращивания из низкотемпературных водных растворов (при температурах не выше 80-90оС), перегретых водных растворов (гидротермальный метод, температуры до 800оС), солевых расплавов (методы кристаллизации из раствора в расплаве, температуры кристаллизации до 1500оС).
Кристаллизацию из растворов применяют при выращивании веществ, разлагающихся при температурах ниже температуры плавления или имеющих несколько полиморфных модификаций. Рост кристаллов осуществляется при температурах ниже температуры плавления. При выращивании кристаллов из растворов движущей силой процесса является пересыщение, уровень которого характеризует величина переохлаждения.
Кристаллизацию из растворов можно осуществлять за счет изменения температуры раствора, за счет изменения состава раствора, а также использовать кристаллизацию при химической реакции.
Кристаллизация при электрохимической реакции может рассматриваться как частный случай кристаллизации путем химической реакции, в которой участвуют электроны. Типичным примером являются выделения металлов в электролитической ванне. Электрокристаллизация в основном используется для осаждения металлов. Этот метод получил развитие при совмещении способа вытягивания кристалла из расплава при одновременном его электролизе (электрохимический способ Чохральского). В этом случае растущий кристалл является одним из электродов, и должен обладать достаточно высокой электропроводностью при температуре выращивания. Этим способом можно выращивать кубические кристаллы натрий-вольфрамовых бронз из расплава.
Разнообразные способы кристаллизации веществ из высокотемпературных водных растворов при высоких давлениях пара раствора объединяют общим термином «гидротермальный способ» выращивания кристаллов. Его отличают: наличие водной среды, температуры выше 100оС и давления выше атмосферного. При гидротермальном методе за счет высоких температур, давлений, введения минерализатора (хорошо растворимое соединение) достигаются условия, позволяющие перевести в растворимое состояние кристаллизуемое вещество и обеспечить необходимо пересыщение раствора и кристаллизацию соединения. Гидротермальный метод позволяет выращивать кристаллы соединений, обладающих высокими температурами плавления при температурах более низких.
