- •Билет 1: Отличие понятий «вещество» и «материал»
- •Билет 2: Типы сингоний кристаллов
- •Билет 3: Основные структурные типы
- •Билет 4: Примеры полиморфных переходов для сложных веществ
- •Билет 5: Рентгенофазовый анализ, закон Вегарда
- •Билет 6: Дефекты
- •Билет 7: Применение материалов на основе галогенидов
- •Билет 8: Огнеупоротые оксидные материалы
- •Билет 9: Оксидные магнитные материалы, эффект колоссального магнетосопротивления
- •Билет 10: Семейства оксидных высокотемпературных сверхпроводников
- •Билет 11: Основы зонной теории твердых тел. Металлы, полупроводники и изоляторы, зависимость их электрического сопротивления от температуры.
- •Эти предположения нужны для:
- •Билет 12: Эффекты Зеебека и Пельтье, термоэлектрические материалы
- •Билет 13: Собственные и допированные полупроводники, p-n переход
- •Билет 14: Методы роста кристаллов
- •1) Из расплава:
- •3) Кристаллизация из газовой фазы:
- •Билет 15: Квантовые точки
- •Билет 16: Солнечные батареи
- •Билет 17: Применение графита
- •Билет 18: Применение материалов на основе SnO2
- •Билет 19: Применение материалов на основе свинца и его соединений
- •Билет 20. Применение материалов на основе кремния и его соединений
- •Билет 21: Применение фуллерена и углеродных нанотрубок
- •Билет 22: Применение материалов на основе бора и его соединений
- •Билет 23: Методы получения твердофазных материалов
- •Билет 24: Основные этапы получения керамики. Специфика получения нанокерамических материалов
- •Билет 27: Материалы на основе щелочных металлов и их соединений
- •Билет 28: Применение материалов на основе бериллия и его соединений
- •Билет 29: Применение материалов на основе магния и его соединений
- •Билет 30: Применение материалов на основе щелочноземельных металлов и их соединений
- •Билет 31: Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики, фазовые переходы первого и второго рода
- •Билет 32: Титанат бария: структура, получение и применение
- •Билет 33: Применение материалов на основе алюминия и его соединений
- •Билет 34: Применение материалов на основе галлия, индия, таллия и их соединений
- •Билет 35: Применение материалов на основе титана и его соединений
- •Билет 36: Принцип работы топливных элементов
- •Билет 37: Применение материалов на основе ванадия, ниобия, тантала и их соединений
- •Билет 38: Применение материалов на основе хрома, молибдена, вольфрама и их соединений
- •Билет 39: Принцип действия фото- и электрохромных устройств
- •Билет 41: Применение материалов но основе железа и его соединений
- •Билет 42: Применение материалов на основе кобальта и его соединений
- •Билет 43: Применение материалов на основе никеля и его соединений
- •Билет 44: Применение материалов на основе платиновых металлов и их соединений
- •Билет 45: Применение материалов на основе меди, серебра, золота и их соединений
- •Билет 46: Применение материалов на основе марганца, технеция, рения и их соединений. Элементы Лекланше
- •Билет 47: Применение материалов на основе цинка, кадмия, ртути и их соединений
- •Билет 48: Применение материалов на основе редкоземельных элементов и их соединений
- •Билет 49: Применение материалов на основе актиноидов и их соединений
- •Билет 50: Механическое поведение (зависимость деформации от напряжения) различных типов материалов (керамика, металлы, полимеры). Формула Холла-Петча.
Билет 4: Примеры полиморфных переходов для сложных веществ
Примеры:
ZnS: сфалерит-вюртцит
TiO2: рутил-брукит-анатаз
SiO2: а) кварц-кристобалит-тридимит
б) поворот отдельных атомных групп друг относительно друга (дисторсионный переход)
SiO2: a-b-модификации
Билет 5: Рентгенофазовый анализ, закон Вегарда
Дифракционные методы – наиболее важные методы при исследовании кристаллических твердых тел!
Получаемая информация:
1. фазовый состав смеси (продуктов реакции)
2. идентификация твердых тел
3. параметры элементарной ячейки
4. размер частиц и степень аморфизации
5. кристаллическая структура твердого тела
· 1% кинетической энергии электрона идёт на рентгеновское излучение, 99% энергии превращается в тепло
· Рентгеновские лучи образуются при бомбардировке металлической мишени электронами высокой энергии
· Электроны высокой энергии выбивают электроны внутренних оболочек атомов
· На место выбитых электронов перемещаются электроны с более удаленных оболочек, испуская при переходе рентгеновские лучи
· Длина
волны рентгеновского излучения зависит
от природы
Дифракционные методы
Формула Брэгга - Вульфа
nλ=d*sinθ
Рентгеновские лучи рассеиваются электронными оболочками атомов. Лучи, рассеяные разными атомами, интерферируют, складываясь или вычитаясь.
Размеры элементарных ячеек
h, k, l — индексы Миллера, определяющие, на сколько частей соответствующая их набору плоскость делит элементарную ячейку.
Для ортогональных ячеек: 1/d2 = h2/a2 + k2/b2 + l2/c2
(в частности для кубической ячейки 1/d2 = h2/a2)
Для гексагональной ячейки: 1/d2 = (4/3)([h2 + k2 + hk]/a2) + l2/c2
Процедура присвоения индексов Миллера каждому межплоскостному расстоянию для данного вещества называется индицированием. В результате процесса определяются параметры элементарной ячейки
Интенсивности линий:
Структурная амплитуда:
Ширина линий:
Формула
Шерера
FWHM
(full width at half maximum)
· положения линий - геометрия решетки (расстояния, углы)
· интенсивность - координаты атомов
· ширина - несовершенство кристалла
Другие дифракционные методы
Особенности дифракции нейтронов
· Нейтроны очень дороги - требуются реакторы для их получения;
· Используется для анализа кристаллических структур, содержащих легкие атомы - Н, Li, В;
· Единственный метод для анализа магнитной структуры.
Особенности электронной дифракции
· Можно использовать для очень малого количества вещества
· Используется для анализа особенностей кристаллической структуры на очень тонких образцах
Закон Вегарда
Закон Вегарда — аппроксимированное эмпирическое правило, которое гласит, что существует линейная зависимость при постоянной температуре между свойствами кристаллической решётки сплава и концентрацией отдельных его элементов.
Таким образом, параметры кристаллической решётки (а) твёрдого раствора (сплава) материалов с одинаковой структурой решётки, могут быть найдены путём линейной интерполяции между параметрами решётки исходных соединений, например для твёрдых растворов SixGe1-x и InPxAs1-x:
.
Можно также расширить это соотношение для определения энергии запрещенной зоны полупроводника. Используя, как и в предыдущем случае, InPxAs1-x, можно найти выражение, которое описывает зависимость энергии запрещенной зоны полупроводника Eg от соотношения её составляющих и параметра b:
