- •Минобрнауки россии
- •Бакалавра Тема: Исследование статического распределения основных электрофизических параметров по полупроводниковой пластине со светодиодными чипами на основе нитрида галия
- •Минобрнауки россии Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “лэти” им. В.И. Ульянова (Ленина)
- •Задание на выпускную квалификационную работу бакалавра
- •Аннотация
- •Сокращения
- •Светодиоды.
- •Светодиод. Назначение и свойства основных элементов светодиодов.
- •Светодиодный чип.
- •1.2.3.Методы выращивания GaN.
- •1.2.1. Светодиодные чипы, выращенные на сапфире.
- •2. Метод спектроскопии адмиттанса и его аппаратная реализация.
- •2.1 Емкость полупроводниковой структуры
- •2.2 Квазистатические методы спектроскопии адмиттанса
- •2.3 Динамические методы спектроскопии адмиттанса
Минобрнауки россии
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”
им. В.И. Ульянова (Ленина)
|
Направление |
210100– Электроника и микроэлектроника |
|
|
Кафедра |
микро – и наноэлектроники |
К защите допустить:
Заведующий кафедрой В. В. Лучинин
д.т.н.
ВЫПУСКНАЯ
КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА
Бакалавра Тема: Исследование статического распределения основных электрофизических параметров по полупроводниковой пластине со светодиодными чипами на основе нитрида галия
Студент |
|
|
|
/ Клеймёнов А.А. / |
|
|
|
|
|
Руководитель |
к.т.н., асс. |
|
|
/Кучерова О.В. / |
|
|
|
|
|
Консультант по безопасности |
доц. |
|
|
/Трусов А.О. / |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Санкт-Петербург
2014
Минобрнауки россии Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “лэти” им. В.И. Ульянова (Ленина)
|
|
|
|
|
|
|
УТВЕРЖДАЮ |
||
Факультет |
ФЭЛ |
|
|
Заведующий кафедрой |
||||
Кафедра |
микро – и наноэлектроники |
|
|
В. В. Лучинин |
||||
|
|
|
|
Фамилия И.О. |
||||
|
|
|
|
«_25_» _апреля_ 2014 г. |
||||
Задание на выпускную квалификационную работу бакалавра
Студент |
Клеймёнов Антон Александрович |
Группа № |
0205 |
1. Тема работы |
Исследование статистического распределения основных |
|
электрофизических параметров по полупроводниковой пластине со светодиодными |
||
чипами на основе нитрида галлия |
||
|
|
|
2. Исходные данные (технические требования) |
Пластина со светодиодными чипами |
|
чипами на основе GaN, криогенная зондовая станция |
||
|
||
|
||
3. Содержание работы |
Обзор информационных источников, описание |
технологического процесса, анализ характеристик исследуемых образцов образцов. |
|
|
|
4. Перечень отчетных материалов |
Текст выпускной квалификационной работы, |
|
презентационные материалы |
||
|
||
|
||
|
||
|
|
|
5. Дополнительные разделы |
БЖД |
|
|
||
Дата выдачи задания |
|
Дата представления работы к защите |
«_26_» __апреля__ 2014 г. |
|
«_12_» _июня___2014 г. |
-
Руководитель
к.т.н., асс.
/Кучерова О.В. /
Студент
/ Клеймёнов А.А. /
«_25_» _апреля_2014 г.