Соответствие имеющихся производственных мощностей прогнозируемым объемам производственной программы. Участки эпитаксиального наращивания кремния оао «интеграл» показаны в таблицах 3.1 – 3.2.

Таблица 3.1. ЦИЭС Филиала «Завод полупроводниковых приборов»

Производство	Созданные мощности			Требуемые мощности
эпитаксиальных структур	Биполярные и КМОП	MOSFET	Диоды Шоттки	Биполярные и КМОП	MOSFET	Диоды Шоттки
100 мм, тыс. пл./месяц	10,0	нет	нет	12,0	-	-
150 мм, тыс. пл./месяц	0,5	нет	нет	1,0	3,5	5,0

Примечание – Источник: собственная разработка.

Таблица 3.2. Участок «Эпитаксия - Транзистор»

Производство	Созданные мощности			Требуемые мощности
эпитаксиальных структур	Биполярные и КМОП	MOSFET	Диоды Шоттки	Биполярные	MOSFET и КМОП	Диоды Шоттки
100 мм, тыс. пл./месяц	40,0	нет	нет	-	2,0	-
150 мм, тыс. пл./месяц	нет	нет	нет	10	-	4,5

Примечание – Источник: собственная разработка.

Как видно из таблиц 3.1, 3.2, участки эпитаксиального наращивания кремния ОАО «ИНТЕГРАЛ» (ЦИЭС и участок «Эпитаксия - Транзистор») не обеспечивают требуемых для выполнения перспективных планов производства ИМС производительности, номенклатуры по толщине и сопротивлению эпитаксиальных пленок (ЦИЭС), а также качество и воспроизводимость характеристик эпитаксиальных структур (участок «Эпитаксия-Транзистор»). Поэтому ОАО «ИНТЕГРАЛ» для выполнения планов производства согласно имеющимся заявкам вынуждено закупать дорогостоящие импортные эпитаксиальные структуры на сумму более 1,5 млн. долларов США в год.

Таким образом, имеющийся на ОАО «ИНТЕГРАЛ» парк эпитаксиального оборудования не позволяет решать задачи освоения новой продукции в условиях постоянно изменяющегося спроса на разные типы ИМС.

Большой износ оборудования участка «Эпитаксия-Транзистор» (общий износ 92,1%, установки эпитаксиального наращивания со сроком эксплуатации 4 года - 1 шт., 12 - 17 лет - 4 шт.) уже в ближайшее время может привести к снижению имеющихся производственных мощностей.

Для выполнения планов производства, освоения новой продукции необходимы дооснащение ЦИЭС и участка «Эпитаксия - Транзистор» дополнительным оборудованием для производства эпитаксиальных структур, обеспечение требуемыми технологическими средами и климатическими условиями для производства широкой номенклатуры эпитаксиальных структур.

Необходимость остановки действующего производства (отдельных участков) на период реконструкции.

Для размещения одной эпитаксиальной установки РE2061 на Филиале «Завод полупроводниковых приборов» в ЦИЭС производства 20 вместо установки Gemini - 1 потребуется кратковременная остановка ЦИЭС для выполнения работ, связанных с демонтажем и монтажом технологического оборудования, подключением к энергоносителям. Размещение установки возможно в 2015 году.

Для размещения трех установок PE2061 на Филиале «Транзистор» потребуется реконструкция участка «Эпитаксия-Транзистор», заключающаяся в создании новых чистых коридоров и подводе энергоносителей. С целью минимизации потерь и сохранения объемов производства эпитаксиальное оборудование предполагается запускать в два этапа: одна установка в 2017 году и две установки в 2018 году с предварительным подводом энергоносителей на имеющиеся свободные площади. На период реконструкции участка планируется также модернизация чистых помещений участка химобработки и измерений.

Для обеспечения кристального производства эпитаксиальными структурами на период остановки и перемещения двух установок на втором этапе реализации проекта и перемонтажа участка химобработки и измерений необходимо будет создать двухмесячный задел эпитаксиальных структур на Филиале «Транзистор» или проводить наращивание эпитаксиальных структур на Филиале «Завод полупроводниковых приборов».

Качество эпитаксиальных структур определяется однородностью толщины, удельного сопротивления и структурного совершенства кристаллической решётки эпитаксиального слоя. Кроме того, требуется обеспечить получение эпитаксиальных пленок в широком диапазоне толщин и удельных сопротивлений. Как уже отмечалось, имеющееся на Филиале «Завод полупроводниковых приборов» эпитаксиальное оборудование не обеспечивает получение толстых высокоомных эпитаксиальных пленок кремния, а оборудование Филиала «Транзистор» не позволяет получить эпитаксиальные пленки требуемого качества для обеспечения высокого процента выхода годных ряда изготавливаемых и большинства разрабатываемых изделий. Полностью отсутствует возможность обеспечивать технические требования, предъявляемые к структурам для диодов Шоттки, MOSFET, стабилизаторов напряжения, других новых перспективных изделий. В таблице 60 приведен анализ энергоносителей и производственных помещений ЦИЭС и участка «Эпитаксия-Транзистор». Видно, что при расширении производственных мощностей также требуется увеличить мощности по энергоносителям (инженерное оборудование), построить новые чистые помещения для технологического оборудования. Исходя из вышеизложенного, было определено, что для обеспечения освоения новых ИМС с эпитаксиальными слоями кремния и расширения производственных мощностей необходимо:

- приобрести современное оборудование для эпитаксиального наращивания;

- приобрести современное оборудование для химической обработки пластин;

- построить (модернизировать) чистые помещения класса 100, 1000 для размещения оборудования;

- улучшить качество магистральных и спецтехнологических газов;

- подключить энергоносители, необходимые для расширения производства;

- приобрести оборудование для зашиты обратной стороны пластин.

Разработка планировочных решений для размещения технологического и контрольно - измерительного оборудования выполнялась таким образом, чтобы минимизировать затраты на строительство чистых помещений. Так, площадь создаваемых помещений класса 100 и 1000 на участке «Эпитаксия-Транзистор» составляет 95 и 107 м², соответственно, при размещении трех (из четырех, планируемых к приобретению) установок эпитаксиального наращивания на участке «Эпитаксия - Транзистор», площадь помещений класса 100 и 1000 на производстве 20 не изменяется.

Оценка энергоносителей и помещений ЦИЭС и участка «Эпитаксия-Транзистор» показаны в таблице 3.3.

Таблица 3.3. Оценка энергоносителей и помещений ЦИЭС и участка «Эпитаксия-Транзистор»

Объект	ЦИЭС	Участок «Эпитаксия - Транзистор»
Производство водорода	Имеется 3 электролизера производительностью до 40 м3/ч суммарно 80-100 м3/ч Потребление водорода до 10 м3/ч на одну установку. Это является достаточным для подключения одной дополнительной установки. Для расширения производства требуется закупка дополнительного электролизера.	Имеется 3 электролизера производительностью до 40 м3/ч Суммарно 80-100 м3/ч Потребление водорода до 18 м3/ч на одну установку (максимально по участку - 90 м3/ч) Потребление водорода на установке PE2061 до 20 м3/ч. Для расширения производства требуется закупка дополнительного электролизера
Производство азота	Используется азот ОАО «Крион» Имеется запас	Используется азот собственного производства. Запас не создается.
Очистка азота и водорода	Осушка азота до 100 м3/ч Осушка водорода до 40 м3/ч Потребление азота до 10 м3/ч на одну установку Достаточно для подключения одной дополнительной установки Для расширения производства требуется закупка дополнительных установок очистки и осушки	Осушка азота до 40 м3/ч Осушка водорода до 50 м3/ч Качество газов не соответствует требованиям Потребление азота до 10 м3/ч на одну установку. Для расширения производства требуется закупка дополнительных установок очистки и осушки, устанавливаемых непосредственно на участке
Кондиционер	Имеющиеся системы кондиционирования не имеют запасов по мощностям При строительстве чистых помещений требуется установить дополнительный кондиционер При установке одной установки в имеющееся помещение кондиционер не требуется	Имеющиеся системы кондиционирования не имеют запасов по мощностям При строительстве чистых помещений требуется установить дополнительный кондиционер
Холодильная машина	Требуется установка холодильной системы для нового кондиционера.	Требуется установка холодильной системы для нового кондиционера.
Насосная станция	Требуется установка насосных станций для охлаждения кондиционера и замкнутой системы охлаждения для эпитаксиальных установок.	Требуется установка насосных станций для охлаждения кондиционера и замкнутой системы охлаждения для эпитаксиальных установок
Чистые помещения	Имеется коридор класса 100-1000. Требуется дооснащение этого коридора фильтрами. Одна установка может быть установлена в имеющееся чистое помещение. Для расширения производства требуется модернизация чистых помещений.	Требуется строительство чистых помещений класса 100, 1000 (сервисная зона) и помещения для систем подачи SiCl4, скрубберов (класс 10000).

Примечание – Источник: собственная разработка.

При выборе типа оборудования для эпитаксиального наращивания кремния принимались во внимание следующие факторы:

- однородность толщины и удельного сопротивления;

- кристаллографическое совершенство эпитаксиальных слоев;

- возможность получения толстых пленок и пленок с высоким удельным сопротивлением;

- высокая производительность;

- низкий уровень автолегирования;

- минимальные затраты на оснастку и материалы.

В настоящее время в мире используются несколько типов эпитаксиальных реакторов: вертикальные с плоскими подложкодержателями и индукционным нагревом, цилиндрические с пирамидой-подложкодержателем и индукционным или радиационным (ламповым) нагревом и реакторы поштучной обработки с радиационным нагревом. Вертикальные реакторы обеспечивают высокую однородность толщины и удельного сопротивления и требуемое кристаллографическое совершенство эпитаксиальных слоев при относительно низком потреблении водорода. Производительность таких реакторов достаточно высока. Однако они имеют высокий уровень автолегирования, а затраты на кварцевую оснастку при увеличении размеров реакторов значительно возрастают. Цилиндрические реакторы имеют большую производительность, приемлемую однородность толщины и удельного сопротивления и кристаллографическое совершенство. Они также обладают более низким уровнем автолегирования и позволяют проводить наращивание эпитаксиальных пленок толщиной до 150 мкм с высоким удельным сопротивлением. Реакторы с радиационным нагревом обеспечивают более высокое кристаллографическое совершенство, однако они требуют больших затрат на лампы нагрева и не позволяют получать толстые пленки из-за сильного осаждения реагента на стенках реактора. Реакторы поштучной обработки обеспечивают высокую однородность и воспроизводимость толщины и удельного сопротивления, низкий уровень автолегирования. Они позволяют варьировать состав пленки в процессе роста, обеспечивают высокое кристаллографическое совершенство эпитаксиальных пленок. Однако производительность реакторов поштучной обработки значительно снижается при увеличении толщины эпитаксиальной пленки.

Таким образом, оптимальным вариантом эпитаксиального оборудования для производства высоковольтных ИМС, а также МОП, КМОП ИМС, биполярных ИМС и дискретных полупроводниковых приборов являются эпитаксиальные установки с цилиндрическими реакторами с индукционным нагревом. В настоящее время оборудование такого типа выпускается фирмой LPE (Италия). Это двухреакторная установка PE2061S с одним высокочастотным генератором. Фирма также обеспечивает оборудование необходимым вспомогательным оборудованием (системы подачи паров жидких реагентов с барботером, комплект оснастки, контроллеры температуры и т.д.). Предприятий, разрабатывающих и выпускающих эпитаксиальное оборудование такого класса, в странах СНГ нет.

Одной из критичных технологических операций, влияющих на качество структур со «скрытыми» слоями, является степень химической очистки кремниевых пластин при прохождении их по технологическому маршруту изготовления и непосредственно перед проведением процесса эпитаксиального наращивания. Для решения данной задачи прежде всего необходимо кардинально улучшить химическую обработку пластин, а именно: ввести, наряду с очисткой в перекисно-аммиачном растворе, обработку в КАРО для удаления с поверхности пластин металлических загрязнений, обеспечить более стабильное поддержание температуры реагентов, автоматизировать подачу химреактивов в ванны и промывку пластин. Таким образом, необходима замена имеющегося технологического оборудования на новое. На территории СНГ производством оборудования для химической обработки кремниевых пластин занимается ОАО «Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения» г. Воронеж (Россия). Такие установки (серия «Лада») обеспечивают оптимальное соотношение цена-качество для потребностей производства Филиала «Транзистор».

Правильный выбор уровня легирования подложки является очень важным фактором для изделий силовой электроники, особенно при использовании достаточно тонких эпитаксиальных пленок с высоким удельным сопротивлением. При этом обычно используются высоколегированные подложки (сурьма – до 20 МОмсм, мышьяк – до 5 МОмсм, фосфор – до 1,5 МОмсм). Для получения на таких подложках высокоомных эпитаксиальных пленок с хорошей однородностью удельного сопротивления и с низким автолегированием во время эпитаксиального процесса необходимо защищать обратную сторону пластины. Обычно для этой цели используются пленки нелегированного оксида кремния толщиной от 0,4 до 1,0 мкм, полученного из моносилана (химическое осаждение из газовой фазы без плазменной активации). С целью повышения однородности толщины оксида кремния и исключения эффекта «пазов кассеты» (в этих местах толщина пленки существенно ниже) для осаждения оксида кремния наиболее широко используется оборудование типа WJ999 фирмы Watkins-Johnson, США.

Контрольно - измерительное оборудование также выбиралось, исходя из наилучшего соотношения качество-цена. Для контроля поверхностного сопротивления скрытых и эпитаксиальных слоев планируется приобрести установку Res MAP ф.CDE, США

Для улучшения качества водорода и азота, подаваемых на оборудование для эпитаксиального наращивания планируется приобретение установок тонкой очистки водорода «ВЕРА – 50/10А» и тонкой очистки азота «УТОА-40/10А» производства фирма «НТА Наука», Россия и приборов контроля качества азота и водорода.

Таким образом, для реализации бизнес - проекта развития производства эпитаксиальных структур в ОАО «ИНТЕГРАЛ» необходимо, наряду с эпитаксиальным оборудованием, дополнительно приобрести контрольно-измерительное оборудование и оборудование для защиты обратной стороны пластин. Рассматривались три варианта реализации проекта:

1) четыре эпитаксиальных установки РЕ2061 на участке «Эпитаксия-Транзистор»,

2) четыре эпитаксиальных установки РЕ2061 в ЦИЭС

3) смешанный вариант – одна эпитаксиальная установка РЕ2061 в ЦИЭС и три эпитаксиальных установки РЕ2061 на участке «Эпитаксия - Транзистор».

Наиболее высокую стоимость имеет вариант 1). В варианте 2) более высокая стоимость СМР из-за необходимости перестройки помещения. Смешанный вариант 3 позволяет уменьшить стоимость СМР по сравнению с вариантом 1). Основным преимуществом варианта 3) является возможность смонтировать и запустить одну эпитаксиальную установку уже в 2014 году (при наличии финансовых средств) в имеющемся чистом помещении ЦИЭС Филиала «Завод полупроводниковых приборов». Запуск установки позволит повысить производственные мощности и начать производство эпитаксиальных структур с 2014 года, а также освоение собственных MOSFET, диодов Шоттки и других высоковольтных приборов на пластинах диаметром 150 мм.

С учетом изложенного, для реализации проекта выбран смешанный вариант. В связи с большим объемом работ по строительству новых чистых коридоров участка «Эпитаксия - Транзистор» для размещения трех эпитаксиальных установок РЕ2061 проект будет реализован в два этапа.

На первом этапе реализации проекта планируется:

• На Филиале «Завод полупроводниковых приборов» в ЦИЭС в 2014 -2015 гг. (при наличии финансовых средств это возможно в 2014 году):

• приобретение, монтаж и запуск эпитаксиальной установки РЕ2061;

• приобретение, монтаж и запуск установки нанесения диэлектрических пленок WJ - 999 для защиты обратной стороны пластин от автолегирования.

• На Филиале «Транзистор»:

• начало строительства новых чистых коридоров участка «Эпитаксия-Транзистор» и подготовка площадей для размещения эпитаксиальной установки РЕ2061, измерителя Res MAP и перемещения имеющегося измерительного оборудования участка на новые площади в 2015 году,

• приобретение, монтаж и запуск эпитаксиальной установки РЕ2061, измерителя Res MAP и перемещение измерительного оборудования участка «Эпитаксия-Транзистор» на новые площади в 2016 году.

На втором этапе реализации проекта планируется:

• завершение строительство новых чистых коридоров участка «Эпитаксия-Транзистор» и модернизация систем подачи энергоносителей в 2017 году;

• подготовка площадей, приобретение, монтаж и запуск двух установок PE2061 на участке «Эпитаксия - Транзистор» в 2017 году.

В выбранном варианте эпитаксиальная установка PE2061 в ЦИЭС будет работать в основном с пластинами диаметром 150 мм, а три эпитаксиальные установки PE2061 на участке «Эпитаксия - Транзистор» в основном с пластинами диаметром 100 мм. Перечень необходимого спецтехнологического оборудования представлен в таблице 3.4. При оценке стоимости технологического оборудования для установки PE2061 закладывалась стоимость б/у установки.

Таблица 3.4. Перечень требуемого спецтехнологического и контрольно-измерительного оборудования

Назначение	Тип оборудования	Фирма-произ-водитель	Стоимость единицы, долл.	Требу-ется, шт.	Стоимость, всего, долл.
Наращивание слоев эпитаксиального кремния	Эпитаксиальная установка PE2061 в комплекте с:	LPE	800 000	4	3 200 000*
Подача SiCl4 в реактор	Блок подачи SiCl4		10 000	4	40 000*
Перевод SiCl4 в газовую фазу	Барботер		13 000	5	65 000*
Контроль температуры SiCl4 в барботере	Регулятор температуры барботеров		6 200	5	31 000*
Оснастка	Подложкодержатели, тарелки		26 000	4	104 000*
Аварийное водяное охлаждение			1 700	4	6 800*
Утилизация выхлопных газов	Скруббер		53 000	4	212 000*
Подача SiCl4 из бочки в барботеры	Система подачи объемного SiCl4		50 500	3	151 500*
Подача HCl из баллона на установку	Газобалонный шкаф для HCl		50 000	2	100 000*
Подача PH3 из баллона на установку	Газобалонный шкаф для PH3		50 000	2	100 000*
	Запчасти		25 300	4	101 200*
Контроль температуры	Пирометр		2 500	2	5 000*
Защита обратной стороны пластин	WJ-999	Watkins-Johnson	300 000	1	300 000*
Химическая очистка и травление	Лада	ОАО «НИИПМ» г. Воронеж (Россия)	145 000	1	145 400
Контроль поверхностного сопротивления	Res MAP	CDE, США	65 000	1	65 000*
Всего стоимость спецтехнологичского оборудования 4 626 900

Примечание – Источник: собственная разработка.

* - приобретается по импорту. Стоимость указана без таможенных сборов и НДС.

С учетом таможенных сборов (5 % от стоимости импортного оборудования) затраты на спецтехнологическое и контрольно-измерительное оборудование (без НДС) составят 4 851 тыс. долл. США.

Для обеспечения работы спецтехнологического оборудования и создания климатических условий планируется реконструкция имеющихся производственных помещений и строительство новых. Для этого требуется приобретение инженерного оборудования. Перечень необходимого инженерного оборудования приведен в таблице 3.5.

Таблица 3.5. Перечень требуемого инженерного оборудования

Инженерное оборудование	Стоимость единицы,долл.	Требуется, шт.	Стоимость, всего, долл.США*
Фильтры, шт.	2 100	295	619 500
Шлюз обдувочный	28 000	1	28 000
Вытяжки и системы очистки (РИФ)	70 000	1	70 000
Насосная станция (вода)	42 000	2	84 000
Слив	14 000	1	14 000
Газоанализаторы	2 800	14	39 200
Установки очистки осушки азота и водорода	140 000	2	280 000
Электролизер	658 000	1	658 000
Кондиционер	168 000	1	168 000
Холодильная машина	210 000	1	210 000
Системы автоматики	168 000	1	168 000
Всего стоимость инженерного оборудования				2 338 700

Примечание – Источник: собственная разработка.

* без таможенных сборов и НДС.

С учетом таможенных сборов (5 % от стоимости импортного оборудования) затраты на инженерное оборудование (без НДС) составят 2 456  тыс.долл. США.

Необходимые инвестиционные затраты и направления использования инвестиций приведены в таблице 3.6.

Таблица 3.6. Направления использования инвестиций и инвестиционные затраты

Направление использования инвестиций	Затраты, долл.США*
Проектные работы	63 000
Строительно-монтажные и общестроительные работы	392 000
Материалы	301 770
Инженерное оборудование	2 338 700
Спецтехнологическое и контрольно-измерительное оборудование	4 626 900
Всего инвестиций	7 722 370

Примечание – Источник: собственная разработка.

* без таможенных сборов и НДС.

С учетом таможенных сборов (5 % от стоимости импортного оборудования и материалов) капитальные затраты (без НДС) составят 8 075 тыс. долл. США.

Имеющиеся на ЦИЭС и участке «Эпитаксия-Транзистор» системы обеспечения технологическими газами и энергоносителями имеют достаточный запас мощности и производительности для подключения планируемого к приобретению спецтехнологического оборудования без создания новых инженерных коммуникаций.

Проектом предусмотрено создание вспомогательных инженерных систем для обеспечения приобретаемого оборудования технологическими средами требуемого качества.

В настоящее время на территории постсоветского пространства, отсутствуют предприятия, производящие оборудование для эпитаксиального наращивания кремния с групповой обработкой пластин. Поэтому было выбрано оборудование (установка PE2061) фирмы LPE (Италия). В настоящее время фирма продолжает выпускать установку PE 2061, поэтому предпочтительней иметь прямые поставки от нее.

Что касается другого оборудования, то при определении производителей и поставщиков конкретных единиц оборудования учитывался факт наличия в настоящее время на ОАО «ИНТЕГРАЛ» целого ряда оборудования мировых производителей. Использование установок тех же производителей значительно облегчает обучение технического и обслуживающего персонала, сокращает сроки освоения технологических процессов, уменьшает простои и затраты на техническое обслуживание за счет взаимозаменяемости узлов и агрегатов.

Как показала практика работы Филиалов «Завод полупроводниковых приборов» и «Транзистор», для обеспечения новых техпроцессов эффективна закупка восстановленного бывшего в употреблении оборудования. Такая политика широко используется фирмами, не являющимися признанными лидерами и монополистами в отрасли и не получающими сверхприбыли от продаж суперсовременных приборов. В случае закупки бывшего в употреблении оборудования обеспечивается максимальная эффективность использования вложенных средств, и при надлежащем техническом обслуживании бывшее в употреблении оборудование может эффективно эксплуатироваться в течение 10 - 15 лет без потери качественных и эксплуатационных показателей.

При заключении контрактов с поставщиками оборудования фирмы-поставщики должны обеспечивать:

- запуск оборудования;

- восстановление оборудования с заменой вышедших из строя и выработавших свой ресурс узлов и деталей;

- усовершенствование (модернизация) оборудования до уровня последней модели этого типа;

- предоставление гарантии;

- обучение персонала.

Определение потенциальных поставщиков, проработка, заключение контрактов на поставку оборудования будет проводиться на тендерной основе по ключевому признаку цена-качество.

Спецтехнологическое оборудование, включенное в перечень для закупки, по своим характеристикам обеспечивает усовершенствование технологического процесса изготовления изделий, использующих эпитаксиальные пленки кремния и освоение новых изделий, например, высоковольтных IGBT транзисторов, MOSFET и других перспективных и конкурентоспособных классов изделий, включая изделия специального назначения.

В условиях деятельности ОАО «ИНТЕГРАЛ одной из приоритетных работ является охрана окружающей среды (ООС), направленная на выполнение Концепции государственной политики Республики Беларусь.

Для обеспечения требований нормативных правовых актов Республики Беларусь в Обществе ежегодно разрабатывается комплексный план мероприятий, предусматривающий рациональное использование материалов и природных ресурсов, внедрение малоотходных технологических процессов, выведение из техпроцессов и замену вредных веществ, используемых в производстве и т.д.

Увеличение выброса (сброса) загрязняющих веществ в окружающую среду от производства эпитаксиальных структур будет не более 1% от валового выброса загрязняющих веществ, отходящих от технологических процессов.

Затраты на природоохранную деятельность будут связаны с разработкой технологических процессов по эксплуатации скрубберов, а также на проведение инвентаризации выбросов (сбросов в окружающую среду) и корректировку проекта нормативов допустимых выбросов в атмосферу. Таким образом, вопрос сбора и утилизации отходов производства в Обществе решён и не потребует дополнительных затрат.

3.2 Оценка эффективности проекта в ОАО «ИНТЕГРАЛ»

Для оценки эффективности инвестиционного проекта проведем расчет. Расчет чистого потока наличности и показателей эффективности проекта приведены в таблице 3.7.

Таблица 3.7. Расчет чистого потока наличности и показателей эффективности проекта

Виды доходов и затрат, наименование показателей	По периодам (годам) реализации проекта
	2015	2016	2017	2018	2019	2020	2021	2022	2023
Общие инвестиционные затраты по проекту без НДС	0	1474	955	1499	2389	2470	411	727	803
Плата за кредиты	0	33	206	266	324	412	317	205	93
Полный отток	0	1507	1162	1766	2713	2883	728	932	896
Чистый доход организации с учетом реализации проекта	2754	6355	8667	11272	14388	16418	19939	24734	29396
Чистый доход организации без учета реализации проекта	2754	6355	7451	9530	11794	12178	13724	15243	16876
Чистый доход по проекту	0	0	1216	1742	2594	4240	6215	9491	12520
Сальдо потока (чистый поток наличности -ЧПН)	0	-1507	54	-24	-120	1357	5487	8559	11625
Дисконтированный отток	0	1234	861	1184	1647	1583	362	419	365
Дисконтированный приток	0	0	901	1168	1574	2329	3089	4270	5097
Дисконтированный ЧПН	0	-1234	40	-16	-73	746	2727	3851	4733
Чистый дисконтированный доход (ЧДД)	0	-1234	-1194	-1210	-1283	-537	2190	6041	10773
Коэффициент покрытия задолженности	0	0	0	1,55	2,31	3,78	5,54	8,46	11,12
Уровень безубыточности		101,4	94,4	86,8	80,1	77,3	71,7	65,7	61,2

Примечание – Источник: собственная разработка.

Финансово-экономическая оценка инвестиционных проектов занимает центральное место в процессе обоснования и выбора возможных вариантов вложения средств в операции с реальными активами. Финансово-экономические показатели по эффективностью проекта показаны в таблице 3.8

Таблица 3.8. Финансово-экономические показатели по эффективностью проекта

Наименование показателей	По периодам (годам) реализации проекта
	2015	2016	2017	2018	2019	2020	2021	2022	2023
Рентабельность инвестированного капитала %		-0,29	0,91	2,55	4,06	4,79	7,4	10,4	14,3
Рентабельность продукции %	-2,29	-0,65	1,82	4,61	7,37	8,65	11,51	15,23	18,45
Рентабельность продаж %	-2,34	-0,66	1,78	4,31	6,64	7,66	9,82	12,41	14,47
Коэффициент обеспеченности финансовых обязательств активами	0,5	0,4	0,4	0,4	0,4	0,4	0,4	0,4	0,3
Коэффициент обеспеченности собственными оборотными средствами	-0,4	-0,2	-0,02	0,2	0,2	0,2	0,3	0,4	0,5
Коэффициент структуры капитала	0,8	0,8	0,7	0,6	0,6	0,7	0,6	0,6	0,4
Срок оборачиваемости капитала	949	825	701	607	588	574	476	431	365
Срок оборачиваемости готовой продукции	73,3	72,5	70,3	67,7	58,7	61,2	34,3	46,3	28,0
Срок оборачиваемости дебиторской задолженности	85	59	39	48	72	85	85	85	57
Срок оборачиваемости кредиторской задолженности	110	110	146	129	165	201	161	147	107
Коэффициент текущей ликвидности	1,612	1,571	1,784	1,942	1,612	1,463	1,537	1,677	1,979

Примечание – Источник: собственная разработка.

Приведение будущих потоков и оттоков денежных средств к настоящему времени осуществлено методом дисконтирования.

Для расчета интегральных показателей эффективности проекта (чистого дисконтированного дохода, индекса доходности и динамического срока окупаемости проекта) принята ставка дисконтирования на уровне 10,0%.

Оценка показателей эффективности проекта осуществлена за период 2015-2023 годы.

Чистый дисконтированный доход принимает положительное значение в 2021 году.

Срок окупаемости служит для определения степени рисков реализации проекта. Простой срок окупаемости проекта – это период времени, по окончании которого чистый объем поступлений (доходов) перекрывает объем инвестиций (расходов) в проект. Простой срок окупаемости проекта «Развитие производства эпитаксиальных структур в ОАО «ИНТЕГРАЛ» (начиная с момента осуществления первых инвестиций) составляет 5 лет.

Дисконтированный срок окупаемости, в отличие от простого, учитывает стоимость капитала и показывает реальный период окупаемости. Расчет динамического срока окупаемости проекта осуществляется по накопительному дисконтированному чистому потоку наличности. Для рассматриваемого проекта динамический срок окупаемости инвестиций (начиная с момента осуществления первых инвестиций) составит 5 лет 2 месяца.

Чистый дисконтированный доход показывает абсолютную величину прибыли, приведенной к началу реализации проекта. На конец 2023 года чистый дисконтированный доход составит сумму, эквивалентную 10 773 тыс. долл.

В отличие от чистого дисконтированного дохода, индекс рентабельности является относительным показателем, что делает его удобным в планировании при выборе одного проекта из нескольких альтернативных. Эффективными считаются проекты, у которых этот показатель более 1. Индекс рентабельности (доходности) по данному проекту равен 2,41.

Внутренняя норма доходности (ВНД) – интегральный показатель, рассчитываемый нахождением ставки дисконтирования, при которой стоимость будущих поступлений равна стоимости инвестиций (чистый дисконтированный доход равен нулю). По проекту «Развитие производства эпитаксиальных структур в ОАО «ИНТЕГРАЛ» ВНД равна 62,9 %.

Значение всех показателей экономической эффективности реализации инвестиционного проекта по ОАО «ИНТЕГРАЛ» говорить о целесообразности его реализации. Кроме того будут решены такие проблемы: приобрести современное оборудование для эпитаксиального наращивания и для химической обработки пластин, построить (модернизировать) чистые помещения класса 100, 1000 для размещения оборудования, улучшить качество магистральных и спецтехнологических газов и подключить энергоносители, необходимые для расширения производства.