7.Статические характеристики бпт
Статическим режимом работы транзистора назавается режим при отсутствии нагрузки в выходной цепи.
Статическими характеристиками называют графически выраженные зависимости напряжения и тока входной цепи (входные ВАХ) и выходной цепи (выходные ВАХ). Вид характеристик зависит от способа включения транзистора.
Характеристики транзистора,включенного по схеме ОБ
Входной характеристикой является зависимость:
при
Выходной характеристикой является зависимость:
при
Статические
характеристики биполярного транзистора,
включенного по схеме ОБ. Входные ВАХ
имеют три характерные области: 1-сильная
зависимость
от
;
2-слабая зависимость
от
;
3-пробой коллекторного перехода.
Особенностью характеристик в области
2 является их небольшой подъем при
увеличении напряжения
.
Характеристики транзистора, включенного по схеме ОЭ:
Входной характеристикой является зависимость:
при
Выходной характеристикой является зависимость:
при
Режим работы БПТ
Транзистор может работать в трех режимах в зависимость от напряжения на его переходах. При работе в активном режиме на эмиттерном переходе напряжение прямое, а на коллекторном – обратное.
Режим отсечки, или запирания, достигается подачей обратного напряжения на оба перехода (оба p-n-перехода закрыты).
Если же на обоих переходах напряжение прямое (оба p-n-перехода открыты), то транзистор работает в режиме насыщения. В режиме отсечки и режиме насыщения управление транзистором почти отсутствует. В активном режиме такое управление осуществляется наиболее эффективно, причем транзистор может выполнять функции активного элемента электрической схемы – усиление, генерирация.
8. Применение бпт в усилительном и ключевом режиме.
Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Биполярным транзистором называют полу проводниковый прибор имеющий два взаимодействующих между собой p-n перехода. Технология изготовления биполярных транзисторов может быть различной - сплавление, диффузия и т.д. это в значительной мере определяет характеристики прибора.
В зависимости от последовательности чередования областей с различным типом проводимости различают n-p-n транзисторы и p-n-p транзисторы. Средняя часть рассматриваемых структур рассматриваемых структур называется базой, одна крайняя область называется коллектором другая эмиттером в несимметричных структурах.
Электрод базы располагается ближе к эмиттеру, а ширина базы зависит от частот-ного диапазона транзистора и с повышением частоты уменьшается. В зависимос-ти от полярности напряжений, приложенных к электродам транзистора, различа-ют следущие режимы его работы: линейный (усилительный), насыщения, отсечки и инверсный.
В линейном режиме работы транзистора эмиттерный переход смещен в пря-мом направлении, а коллекторный -- в обратном. В режиме насыщения оба пере-хода смещены в прямом направлении, а в режиме отсечки -- в обратном. И, наконец, в инверсном режиме коллекторный переход смещен в прямом направле-нии, а эмиттерный -- в обратном. Кроме рассмотренных режимов возможен еще один режим, который является не рабочим, а аварийным -- это режим пробоя.
в линейном режиме транзистор для малых приращений тока базы можно заменить источником тока коллектора, уп-равляемого током базы. При этом, если пренебречь падением напряжения между базой и эмиттером, то можно считать этот переход коротким замыканием. В ре-зультате для линейного режима можно использовать простейшую модель транзи-стора