2.3.Характеристика активных радиоэлементов

К активным элементам относят диоды и транзисторы, электронные лампы. На основе транзисторов и диодов, элементов нелинейных строятся также микросхемы, которые в свою очередь также являются нелинейными активными элементами.Диод представляет собой специальную конструкцию на основе p-n - перехода. Пропускает электрический ток только в одну сторону - от анода к

катоду.Характеристиками диода являются максимальное обратное рабочее напряжение и максимальный прямой ток.В качестве индикаторов обычно используют светодиоды . Они бывают красные, зеленые, желтые или двухцветные (при использовании балластный резистор, ограничивающий ток на уровне 5...15мА).

На светодиодах прямое падение напряжения может достигать 1...2В, но не выше. Таким образом, часто используют светодиоды и простые диоды в качестве источников опорного напряжения.

В схеме размещены три диода и стабилитрон.

Основные технические параметры диода КД922А:

VD1 - КД922А- Диоды кремниевые, планарные, с барьером Шотки.

Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах, а также в устройствах преобразования переменного напряжения в диапазоне частот 50 Гц...1000 МГц. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются одной цветной точкой у положительного вывода: 2Д922А — белой; 2Д922Б — зеленой; 2Д922В — желтой; КД922А — красной; КД922Б — синей; КД922В — оранжевой. Масса диода не более 0,035 г.

Основные технические характеристики диода КД922А:

Максимальное постоянное обратное напряжение: 18 В;Максимальный прямой ток: 50 мА;Рабочая частота диода: 10 МГц;Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 50 мА;Постоянный обратный ток: не более 0,5 мкА при Uoбp 15 В;Общая емкость: 1 пФ. На рисунке 2.1.

Рис. 2.4. Диод КД 922А

Основные технические параметры КД521А:

VD3 - КД521А- Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.

Предназначены для применения в импульсных устройствах. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Для обозначения типа и полярности диодов используется условная маркировка — одна широкая и две узкие цветные полоски на корпусе со стороны положительного (анодного) вывода: КД521А — полосы синие; КД521Б — серые; КД521В — желтые; КД521Г — белые; КД521Д — зеленые. Масса диода не более 0,15 г.

Основные технические характеристики диода КД521А:

Максимальное постоянное обратное напряжение: 75 В;Максимальный прямой ток: 50 мА;Постоянное прямое напряжение: не более 1 В;Постоянный обратный ток: не более 1 мкА;Время обратного восстановления: 0,004 мкс;Общая емкость: 4 пФ. Размеры диода представлены на рисунке 2.5.

Рисунок 2.5. Диод КД 521А

Стабилитроны - специальная разновидность диодов, предназначенная для работы в обратном включении на электрическом пробое p-n перехода. Стабилитрон можно использовать в качестве конденсатора небольшой ёмкости изменяемой приложенным напряжением, так как тут меняется собственная ёмкость p-n перехода. Такие приборы называют варикапами и используют обычно в радиоприемных трактах.

VD2 - Стабилитроны КС175Ц кремниевые, планарные, малой мощности.

Предназначены для стабилизации номинального напряжения 7,5 Вв диапазоне токов стабилизации 0,1... 17 мА. Выпускаются в стеклянных корпусах с гибкими выводами. Стабилитроны маркируются условным цветные кодом. Масса стабилитрона не более 0,2 г.

Основные технические параметры стабилитрона КС175Ц:

Номинальное напряжение стабилизации: 7,5 В; Разброс напряжения стабилизации: 7,1... 7,9 В; Температурный коэффициент напряжения стабилизации: ±0,065 %/°С;Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %;Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 20 Ом;

Минимально допустимый ток стабилизации: 0,1 мА;Максимально допустимый ток стабилизации: 17 мА;Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,125 Вт;Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. Параметры радиоэлемента представлены на рисунке 2.6.

Рисунок 2.6. Стабилитрон КС175Ц

VD4 - Диодный мост KBU-6G–Диодные однофазные мосты для поверхностного монтажа в корпусе SIL, максимальный прямой ток 6А, максимальное постоянное обратное напряжение – 400В… 1000В, Рабочий диапазон температур

от -55…+125С^о. Размеры указаны на рисунке 2.7.

Рисунок 2.7. Диодный мост KBU-6G

Транзисторы бывают мощные и маломощные, германиевые или (в основном) кремниевые, размещенные в разных конструкциях корпусов и безкорпусные вообще. Внутри транзистор состоит из кристалла, с встроенным двойным p-n переходом (как два встречновключенных диода таким образом они представляют барьер для тока любой полярности). Но стоит подать прямое напряжение на базовый вывод, как барьер уменьшится и потечет ток между коллектором и эмиттером. Таким образом можно регулировать большой ток коллектора малым током база-эмиттера.

В представленной схеме использованы три транзистора.

Транзисторы КТ9115А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях мощности высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Масса транзистора не более 1 г.

Основные технические характеристики транзистора КТ9115А:

Структура транзистора: p-n-p;Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 90 МГц;Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 300 В (10кОм);Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;

Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА (250В);Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 25 МГц;Емкость коллекторного перехода: не более 5,5 пФ;Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 33 Ом. Размеры транзистора представлены на рисунке 2.8.

Рисунок 2.8. Транзистор КТ9115А

Микросхема. Если взять работоспособную радиоэлектронную конструкцию и заменить все резисторы и конденсаторы (специальными

схемными решениями) на транзисторы - это микросхема. Все усилители сигналов обычно аналоговые микросхемы. Но существует еще целый класс цифровых. Именно они явились родоначальниками компьютерной техники. Еще есть класс микросхем это источники питания.

На представленной схеме использованы две цифровые микросхемы.

КР1561ЛЕ5 - Цифровая микросхема серии КМОП, представляют собой четыре логических элемента 2ИЛИ-НЕ. Содержат 121 интегральный элемент. Корпус типа 201.14-2, масса не более 1 г. Размеры на рисунке 2.9.

Рисунок 2.9. Микросхема КР1561ЛЕ5

Тринисторы кремниевые КУ202М, планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Масса тиристора не более 14 г., с комплектующими деталями не более 18 г.

Основные технические параметры тринистора КУ202М:

Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 400 В;Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 30 А;

Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 10 А;Напряжение в открытом состоянии: не более 1,5 В;Неотпирающее постоянное напряжение управления: не менее 0,2 В;Постоянный ток в закрытом состоянии: не более 4 мА;Постоянный обратный ток: не более 4 мА;Отпирающий постоянный ток управления: не более 200 мА;Постоянное отпирающее напряжение управления: не более 7 В;Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 5 В/мкс; Время включения: не более 10 мкс; Время выключения: не более 100 мкс; Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. Размеры тринистора указаны на рисунке 3.0

Рисунок 3.0. ТринисторКУ202М