Электрические параметры:

Постоянное прямое напряжение при Iпр. = 50 мА:
при T = +25 и +125 °С, не более	1 В
при T = -60 °С, не более	1,5 В

Импульсное прямое напряжение при Iпр. имп.= 50 мА:
не более	1,75 В

Постоянный обратный ток при Uобр. = Uобр,макс:
при T=-60 и +25°С	1 мкА
при T = +125 °С	100 мкА

Заряд переключения:
при Iпр.= 10 мА, Uобр.и = 10 В, и Iпр.= 1 мА, не более	200 пКл

Время обратного восстановления:
при Iпр.=10 мА, Uобр.,и =10 В и Iпр. = 1 мА, не более	4* нс

Общая емкость диода:
при Uобр. = 0, не более	4 пФ

Напряжение во вторичной обмотке трансформатора:

Ток во вторичной обмотке трансформатора:

R1-R2 ­– датчики тока системы защиты микросхемы от перегрузки и аварийного замыкания выходной цепи.

Раздел 4

4.1 Проектирование комбинационной схемы

Дешифратор.

Спроектировать комбинационную логическую схему четырех аргументов Х₀, Х₁, Х₂, Х₃, реализующую функцию заданную в таблице, используя элементы И, ИЛИ, НЕ с любым количеством входов. Провести минимизацию на основе карт Карно. Для минимизированной схемы подобрать интегральные микросхемы серии 155 или 176.

N	a(	b(	c	d( )	F
0	1	0	0	0	0
2	0	1	0	0	0
3	1	1	0	0	1
5	1	0	1	0	0
6	0	1	1	0	0
7	1	1	1	0	1
8	0	0	0	1	1
10	0	1	0	1	1
12	0	0	1	1	0
13	1	0	1	1	0

1. Составляем уравнение СДНФ:

2.Составим карту «Карно»

	ab			a

Записываем минимизированное уравнение МДНФ:

Из уравнения мы видим, что нам нужно:

Подключим генератор слов на устройство и проверим его работу в соответствии с таблицей.

Для построения схемы воспользуемся микросхемами:

155ЛН1 с шестью логическими элементами "НЕ"

155ЛИ1 с четырьмя логическими элементами "2И"

155ЛЕ4 с тремя логическими элементами "3ИЛИ-НЕ"

Т.к в промышленной электронике отсутсутствует элемент «3 ИЛИ»,мы выбрали микросхему 155ЛЕ4 с элементами «3ИЛИ-НЕ».Для получения нужного нам результата воспользовались свободным входом микросхемы, для инвертирования выхода логических элементов «НЕ».