2. NМдп- тиристорлар негізіндегі или- не логикалық элемент. Схемасы және жұмыс ұстамасы.

Тиристор – үш немесе одан да көп p-n ауысуынан тұратын, тұрақты екі күйі бар және бір күйден екінші күйге басқару импульсі арқылы ауысып-қосылу мүмкіндігі бар электрондық аспап.

Ажыратып қосқыш шала өткізгіш аспаптарға тиристорлар, бір өткелді және құйындық транзисторлар жатады. Тиристорлар – екі тепе-теңдік күйі бар көп қабатты ажыратып қосқыш құрылымдар. Онда 4 немесе одан көп p-n қабаты және 3 немесе одан да көп p-n өткелі бар.

Олар мына түрлерге бөлінеді:

а) басқарылмайтын тиристорлар – екі электродты – динисторлар немесе диод-тиристорлар;

б) басқарылатын тиристорлар – ортаңғы электродтардың бірімен басқарылады – тринисторлар немесе триод-тиристорлар.

3. Динистордың құрылымы және жұмыс істеу принциптері.

Динистор немесе басқаша атағанда, диодты тиристор деп екі шығысының арасындағы кернеу жоғарылағанда ашылатын екі ауыстырып- қосқышты компонентті айтамыз. Динисторлардың үш электронды- тесікті өтпелдері бар. Төменде динстордың құрылымдық сұлбасы берілген.

n₂ сыртқы зонасындағы шығысты катод деп, ал p₁ зонасынан шығысты анод деп атаймыз. n₂,p₁ зоналары динистордың базасы деген атқа ие. Ал p₁, n₁ және p₂, n₂ өткелдерін эмиттерлі, n₁ p₂ коллекторлы деп атаймыз. Егер динистордың аноды қорек көзінен аз ғана теріс мәнді кернеу, ал катодына оң мәнді кернеу берсек, онда центрлі коллекторлы өткел ашық болады, ал шеткі эмиттерлі өткелдер ашық болады. n₁ p₂ зоналары анод пен катодтан келетін негізгі заряд тасымалдаушыларынан әлсіз болғандықтан, олар динистордың базасына жете алмайды. Соның нәтижесінде динистор арқылы негізгі емес заряд тасымалдаушыларынан тұратын аз шамада кері ток ағады, ал динистор жабық. Егер динистордың анодына көп шамада кері кернеу, ал катодына жоғары оң таңбалы кернеу беретін болсақ, онда лавиналық тесіп өту болады. Ол төмендегі динистордың воль- амперлік сипаттамасында көрсетілген.

I – динистордың өткізгіштігі доғары кезіндегі ашық қалпының аймағы;

II – кері кедергілі аймағы;

III – коллекторлы өткелдің тесілу аймағы;

IV – динистор жабық кезіндегі тура қосылу аймағы;

V – динистордың кері қосылу аймағы;

VI – лавиналық тесілу аймағы.

19- билет

1. Биполярлық транзистордың орталық база қосылу схемасы, токты, кернеулі және қуатты күшейту қабілеттері, кіріс және шығыс кедергілері, ерекшеліктері, пайдалануы.

Ток бойынша күшейту еселігі  Ток күшейтілмейді, I_шығ < I _кір, бұл сұлбаның кемшілігі болып табылады. Кернеу бойынша күшейту еселігі

Әр уақытта болатындай етіп таңдап алуға болатындықтан, >>1, кернеу бойынша күшейту жүздеген шамаға жетуі мүмкін. Қуат бойынша күшейту еселігі - ондаған – жүздеген. Кіріс кедергісі ондаған және жүздеген ом, кіріс кедергінің аздығы  сұлбаның кемшілігі болып табылады, өйткені ол сигнал көзін тұйықтайды, яғни үлкен кіріс ток қажет болады. Шығыс кедергісі  жүздеген килоомнан бірнеше мегаомға дейін. Артықшылықтары:а) кернеу және қуат бойынша күшейту еселіктері жоғары;б) жұмыстық жиіліктері жоғары, жиіліктік бұрмаланулар аз;в) температуралық тұрақсыздығы аз;г) сипаттамалардың сызықтығы жоғары.ОБ сұлба ток тұрақтандырғыштарында және жұмыстық жиілігі аса жоғары сұлбаларда қолданылады.