1. NМдп- транзисторлар негізіндегі и- не және или- не логикалық элементтер. Схемалар және жұмыс ұстанымдары.

nМДП транзисторларының логикалық элементтері:

РС-деп белгіленген транзисторлардың арна ұзындығы шамамен 25мкм сол себепті олардың ашық кезіндегі кедергісі 50кОМ. Олардың затворлары қорек көзіне қосылған. ал астындағы nМДП транзисторларының арнасының ұзындығы 0,018мкм, суреттерде берілген транзисторларының барлығы nМДП транзисторлар. Схемалардың барлығы оң мәнді сигналдармен басқарылады. Оң логикада Т1 транзисторлары жане Т2 тізбектеліп қосылған схема И-НЕ функциясын орындайды. Ал егерде Т1,Т2 транзисторлар параллель қосылса онда ол схема ИЛИ-НЕ функциясын орындайды.

2. Жартылай өткізгішті диодтың құрылымы, жұмыс істеу принципі және вольт- амперлік сипаттамасы.

Шала өткізгішті диод – бұл екі шықпасы бар және жұмыс істеу принципі  р-n өткелдің қасиеттерін пайдалануға негізделген шала өткізгішті аспап (бірақ р-n өткелді пайдаланбайтын да диодтар бар). Дискреттік диод әйнектен, металдан немесе керамикадан жасалған к орпусқа орналастырылады.

4.1-суретте р-n өткелдің (1) немесе диодтың (2) теориялық және нақты ВАС-ы келтірілген. Нақты ВАС-ның теориялықтан айырмашылығы:

а) аз тура ток облысында сипаттамалар бір-біріне сәйкес те, ал тура токтың үлкен шамаларында шала өткізгіштер мен электродтарда кернеу түсуі айтарлықтай болады. Нақты сипаттама түзуге жақын және теориялық ВАС-дан төмендеу өтеді;

б) кері кернеу өскенде ток баяу өседі, өйткені:

1) заряд тасушылардан өткелдегі жылу бөлу күшейеді. Өткел енінің үлкеюіне сәйкес оның көлемі және пайда болатын заряд  тасушылардың саны өседі, демек жылулық ток өседі. Қауіпсіз кері кернеу 400 вольтке дейін, қауіпсіз температура (60-70)С-ге дейін;

2) өткел бетіндегі иондық және молекулалық қабаттың пайда болуына байланысты р-n- өткелдің беттік өткізгіштігі өседі.

3. Биполярлы транзистордың а класындағы жұмысын бейнелейтін сипаттамаларды сызып, түсіндіріңіз.

Биполюсті транзистор – күшейту қасиеттері заряд тасушылардың инжекциясы және экстракциясы құбылыстарымен туындайтын, өзара әрекеттесуші екі p-n өткелдері бар шала өткізгішті триод. Заряд тасушылардың екі типі де: электрондар да кемтіктер де қатысатындықтан олар биполюсті деп аталады. Олар үш электрод және екі p-n өткелден тұратын үш қабаттан құралады (5.2-сурет). n₁-p арасындағы аудан p-n₂ арасындағыға қарағанда әлдеқайда аз. Транзистордың құрылымы бейсимметриялы. Ауданы кіші асқын қоспаланған тасушыларды базаға инжекциялауға арналған қабаты эмиттер деп аталады (Э). Ауданы үлкен, тасушыларды базадан экстракциялауға арналған және осы тасушыларды жинайтын қабат, коллектор деп аталады (К). Тасушылардың эмиттерден коллекторға қарай қозғалысын басқаратын ортаңғы қабат, база деп аталады (Б). А класында сигнал бұрмалаусыз күшейтіледі. Кіріс сигнал шығыс сигналға сәйкес келеді. КПД отыз, қырық процент. Бұл класта күшейткіштер түріндегі транзисторлар жұмыс жасайды.

17- билет