3. Динистордың вольт- амперлік сипаттамасы және жұмыс режимдері.
7.1-суретте динистордың құрылымы келтірілген.
биполюсті транзисторға ұқсас p1, n2 – эмиттерлер, n1, p2 – базалар, П1, П3 – эмиттерлік өткелдер, П2 – коллекторлық өткел.
П1 және П3 тура, П2 – кері бағытта қосылған. Сыртқы кернеу U толығымен дерлік П2 өткелге түседі. Аспап арқылы жабық коллекторлық өткелдің I = Iко тогы ағады.
U кернеуін Uқос-ға дейін арттырғанда П2 өткелде соққылық ионизация және құйындық тесілу дамиды, тасушылардың жаңа жұптары түзіледі. П2 өрісімен электрондар n1-базасына, ал кемтіктер р2-базасына қайтарылады. Базалардағы негізгі тасушылардың үлесі өседі. n1-базадағы электрондар сол жақ ЭӨ - П1 жақындап, потенциалдық тосқауылды төмендетіп, иондардың оң зарядын бейтараптайды. Бұл, кемтіктердің р1-ден n1-ге сонан кейін П2 арқылы ағынын арттырады. Осындай процестер оң жақ П3 өткелде де жүреді. Электрондардың ағыны өседі. Процесс құйын тәріздес дамиды.
П2 арқылы және бүкіл аспап арқылы өтетін ток өседі. П2 арқылы қорытынды ток өтеді
,
мұндағы М – көбейту еселігі;
α1, α3 – П1 және П3-тен П2-ге ток беру еселіктері.
Барлық үш өткелден өтетін токтар бірдей және сыртқы токқа тең болғандықтан, былай жазуға болады
I=
.
(7.1)
Мұндағы α = α1 + α3 – екі эмиттерден коллекторға ток берудің қорытынды еселігі.
Әдетте базалар әртүрлі қалыңдықпен жасалады: Р2 – қалың, w>L (диффузиялық ұзындық) және ток беру еселігі α3 << 1, n1 – жұқа, w ‹ L, α1 ≈1. М=f(U) болғандықтан, (7.1) өрнегі айқын емес түрдегі ВАС.
(7.1) бойынша динистордың ВАС салайық (сурет 7.3). ВАС-ны 4 бөлікке бөлуге болады:
а) I – кернеудің аз мәндерінде П2- жабық, α ‹‹ 0,5. Кернеудің артуымен α әлсіз өседі , М көбірек өседі . Бұл бөлік аз токтармен және үлкен кернеулермен сипатталады – аспап ажыратылған;
б) П – U = Uажыр болғанда М∙α=1, яғни (7.1) өрнектің бөлімі нөлге тең. П2 коллекторлық өткелі тура бағытта ығысады. α1 және α3 ток беру еселіктері көп өседі, бірақ өрнектің бөлімі нөлден кіші бола алмайды, өйткені ток тура бағытта ағады. Сондықтан α-ның артуы М-нің азаюымен қатар болуы қажет, ал М-нің азаюы U азайғанда ғана мүмкін, яғни токтың артуы кернеудің төмендеуімен қатар жүреді. Бұл теріс кедергісі бар өтпелі бөлік болғандықтан процесс құйын тәріздес жүреді;
в) Ш – динистор қосылған, кернеулер аз, токтар үлкен және динистор тізбегіне тізбектей кедергі қосумен шектеледі;
г) IV– аспап қосылған, ВАС кері тармағы қарапайым диодтікіндей.
Динистордың өлшемдері басқа ажыратып қосқыш сұлбалармен (реле) салыстырғанда кіші, бірақ кемшілігі – қосылу сәті басқарылмайды.