1. NМдп- тиристорлардың статикалық бекітпе- құймалық (беріліс) және құйма (шығыс) сипаттамалары және олардың ерекшеліктері.
Өрістік транзистордың екі түрі бар: p-n ауысулы өрістік транзистор және оқшауланған (изоляцияланған) тиекті өрістік транзистор. Оқшауланған (изоляцияланған) тиекті өрістік транзистор индукцияланған және қондырылған каналды болып екігк бөлінеді.Құрылысына сәйкес МДП (МДЖ: металл-диэлектрик-жартылай өткізгіш) транзистор деп атайды, яғни бекітпесі оқшауланған өрісті транзисторларды МДП транзисторлары деп атайды.Өткізгіштігі бойынша pМДП, nМДП.
Транзистордың негізгі сипаттамалары Uқб = const болғандағы құйма тиектік Iқ = f(Uтб) (сурет 6.3,а) және Uтб = const болғандағы құймалық немесе шығыс сипаттамалары Iқ = f(Uқб) (сурет 6.3,б). Шығыс сипаттамаларды екі облысқа бөлуге болады: I-облыс токтың күрт өзгеруі (сипаттаманың сызықты омдық бөлігі) және қанығу режиміне сәйкес келетін П облысы (бейсызықты жазық, жұмыстық бөлік). Аз Uқб кезінде жабушы қабаттың кеңеюі мардымсыз. Uқб артқан кезде құйма тогы Ом заңы бойынша өседі, динамикалық тепе-теңдік туындайды: құйма тогының артуы р-п өткелдегі кернеудің түсуіне және құйма тогын азайтатын, арнаның тарылуына әкеледі. Uқб –ның кезекті артуы қиманы азайтпайды, ал «дәліз» немесе «мойын» деп аталатын, қиманың тар бөлігінің ұзындығын арттырады. Сондықтан құйма тогы тұрақты болады. В нүктесінде құйма кернеуі өткелдің тесілу кернеуіне жетеді. Uқб кернеуін ары қарай арттырсақ құйма тогы артып, аспап істен шығуы мүмкін. Uтб арттырғандағы процесстер (бастапқы қималар аз болғанда) о сыған сәйкес, бірақ арнаның тарылуы ертерек басталады, бұл қанығу бөлігіне ерте шығуға әкеледіҚұйма тогы төмен деңгейде шектеледі.
2. К531 сериялы ттл ис и- не базалық элементінің жұмыс істеу принципін түсіндіріңіз.
Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ)
Основой транзисторно-транзисторной логики является базовый элемент на основе многоэмиттерного транзистора Т1 (рис. 17), который легко реализуется в едином технологическом цикле с транзистором Т2. В ТТЛ-логике многоэмиттерный транзистор осуществляет в положительной логике операцию И, а на транзисторе Т2 собран инвертор. Таким образом, по данной схеме реализован базис И–НЕ.
Рис. 17. Базовый элемент ТТЛ
В случае подачи на все входы схемы высокого потенциала, все переходы эмиттер–база транзистора Т1 окажутся запертыми так как потенциал в точке A примерно равен входным сигналам. В то же время, переход база–коллектор будет открытым, поэтому по цепи Eп – R1 – база Т1 – коллектор Т1 – база Т2 – эмиттер Т2 – корпус течет ток Iб нас, который открывает транзистор Т2 и вводит его в насыщение. Потенциал на выходе схемы оказывается близким к нулю (на уровне ≈ 0,1 В). Сопротивление R1 подобрано таким, чтобы, за счет падения напряжения на нем от тока Iб нас транзистора Т2, потенциал в точке A был бы ниже, чем потенциал входов, и эмиттеры Т1 оставались бы запертыми.
При
подаче низкого потенциала логического
нуля хотя бы на один из входов открывается
этот переход эмиттер–база транзистора
Т1, появляется значительный ток Iэ и
потенциал в точке A, равный 
,
приближается к нулевому. Разность
потенциалов между базой и эмиттером
Т2 также становится равной нулю, ток
Iб транзистора
Т2 прекращается, и он закрывается
(переходит в режим отсечки). В результате
выходное напряжение приобретает
значение, равное напряжению питания
(логической единицы).
Входные диоды Д1, … , ДN предназначены для демпфирования (отсечки) отрицательных колебаний, которые могут присутствовать во входных сигналах за счет паразитных элементов предыдущих каскадов.
Существенным недостатком рассмотренной схемы элемента И–НЕ являются низкие нагрузочная способность и экономичность ее инвертора, поэтому в практических схемах используют более сложный инвертор.
Информациялық барлық кірістердегі логик-қ 1-ге элементтің шығысында 0-ге тең. И-НЕ элементі үшін Логик-қ функ-сы Ғ=Х1*Х2*Хn. 1-суретте транзисторлардан құрылған И-НЕ элеме-ң схемасы көр-ген. Осы типті элементтер тобын транзисторлы –транзистрлы логика д.а. К531 ТТЛ ИС-ң базалық элементі И-НЕ логик-қ операциясын орындайды. Осы элементтер тобы көпэмиттерлі транзистор негізінде құралады. көпэмиттерлі транзисторлар логик-қ элемент кірісіндегі диодардың орнына қойылады, себебі бұл технология жағынан тиімді.
ТТЛ жұмысы: егер кіістердің біреуіне 0-дік кернеу берсе, резистор арқылы және эмитттер арқылы өтетін тоқ осы кіріспен тұйықталады. Т1 транзистор базасына эмиттер тоғы тармақталмайды, себебі көпэмиттерлі коллектор тоғы бағыты бойынша теріс, т1 транзистордың база-эмиттер кедергісі үлкен. Т1 транзисторы жабық. Шығыстағы сигнал Ғ=1. Элементтің кірістерінің көбінде 0-дік сигнал болса, осылай болады. Барлық кірістерде логикалық 1 болса, Тк транзис-ң барлық эмиттерлік өткелдері кері кернеудәі қол астында болады,ал коллекторлық өткел тікелей кернедің астында болады. Көпэмиттерлі транзис-ң база тоғы Ібк коллектор тоғын тудырады Ік. Транзистор Т1 ашылып, оның шығыс сигналы Ғ=0. Сөйтіп схема И-НЕ логикалық амалын орындайды.