2. 1 Стробтаушы, 2 мекендік және 4 ақпараттық шығыстары бар демультиплекатордың функционалды сұлбасы және жұмыс істеу принципі.

Кей жағдайда бір кіріс сигналды әртүрлі бірнеше адрестерге үлестіріп беруге тура келеді. Осындай схема демультиплекатор д.а. Х-сигналы ақпараттың кірісіне беріледі, схема осы сигналды нөмірі а₀ а₁ адрестік сигналдармен көрсетілген шығысқа ғана қосады. 4 шығысы бар демультиплекатордың адресті таңдау логикасы 4 кірісі бар мультиплексордікіндей. Для получения большого числа передач – от 8 до 24 – применяются многовальные коробки передач. Они представляют собой четырех- , пяти- или шестиступенчатые Трехвальные коробки передач со встроенными или совмещенными дополнительными коробками передач (редукторами). При этом дополнительная коробка передач может быть повышающейили понижающей. Повышающая коробка передач называется делителем или мультипликатором. Делитель устанавливается перед коробкой передач и увеличивает число передач в два раза. Обычно он имеет две передачи: прямую с передаточным числом uk = 1 и повышающую с передаточным числом u_k < 1. Делитель не увеличивает передаточные числа коробки передач, а только уменьшает разрыв между передаточными числами соседних передач, увеличивая на 20…25% их диапазон.

Понижающая коробка передач называется демультипликатором. Демультипликатор устанавливается за коробкой передач. Он имеет две или три передачи: прямую с u_k = 1 и понижающие с u_k > 1. Демультипликатор увеличивает число передач в 2-3 раза и передаточные числа коробки передач, значительно расширяя их диапазон.

биполярлы транзистордың В класындағы жұмысын бейнелейтін сипаттамаларды сызып, түсіндіріңіз

транзистордың В класындағы режимінде жұмыс нүктесінің бастапқы орны динамикалық сипаттамада І_ко жақын коллектор тоғы мәнінде таңдап алынады.сондықтан айнымалы кіріс сигналдың барында коллектор тоғының амплитудасы айнымалы құратырушысы сигналдың тек жарты периодты аралығында өтеді, ал периодтың екінші жартысында транзистор жабық. Күшейтілетін сигнал жоқта колектор тоғының тұрақты құрастырушысы 0-ге жақын болғандықтан бұл режимді үнемді екі тактылы үлкен қуатты күшейткіштерде қолданылады. Бұл режимнің кемшілігі – сызықтық емес бұрмалаулардың күшейткіште өте үлкен болуы.

3. Биполярлы транзистордың В класындағы жұмысын бейнелейтін сипаттамаларды сызып, түсіндіріңіз.

Транзистор дегеніміз электрлік қуатты күшейтуге қабілетті, үш және одан да көп шықпалары, бір немесе одан көп p-n өткелдері бар шала өткізгішті аспап. Олар электр тербелістерін күшейтуге, генерациялауға және түрлендіруге арналған. Тасушылардың бір немесе екі типінің де ток түзуге қатысуына байланысты, бір полюсті және екі полюсті транзисторлар болып бөлінеді. Транзисторлардың топталуы:

5.1Сурет

а) құрылымы және жұмыс істеу принципі бойынша (5.1- сурет);б) коллектордан таралатын ең үлкен қауіпсіз қуат бойынша: – аз қуатты – 0,3 Вт-тан аз; – орташа қуатты – 0,3…3 Вт; – үлкен қуатты – 3 Вт-тан жоғары; в) қуат бойынша көрсетілген топтардың әрқайсысындағы шектік жиілік бойынша: – төменгі жиілікті – 3 МГц-тен аз; – орташа жиілікті – 3…30 МГц; – жоғары жиілікті – 30…300 МГц; – аса жоғары жиілікті– 300 МГц-тен жоғары; г) конструкциясы және жасалу технологиясы бойынша: – балқытып ендірілген жазық транзисторлар; – диффузиялық базасы бар жазық транзисторлар ; – мезатранзисторлар; – планарлық; – эпитаксиалды-планарлық және т.с.с; д) жасалу материалы бойынша: – кремнийден, германийден, галий арсенидінен жасалған; е) өткізгіштік облыстарының өзара орналасуы бойынша– транзисторлар

n-p-n және p-n-p болып бөлінеді.

Биполярлы транзистор – күшейту қасиеттері заряд тасушылардың инжекциясы және экстракциясы құбылыстарымен туындайтын, өзара әрекеттесуші екі p-n өткелдері бар шала өткізгішті триод. Заряд тасушылардың екі типі де: электрондар да кемтіктер де қатысатындықтан олар биполюсті деп аталады.

Олар үш электрод және екі p-n өткелден тұратын үш қабаттан құралады (5.2-сурет). n₁-p арасындағы аудан p-n₂ арасындағыға қарағанда әлдеқайда аз. Транзистордың құрылымы бейсимметриялы. Ауданы кіші асқын қоспаланған тасушыларды базаға инжекциялауға арналған қабаты эмиттер деп аталады (Э). Ауданы үлкен, тасушыларды базадан экстракциялауға арналған және осы тасушыларды жинайтын қабат, коллектор деп аталады (К). Тасушылардың эмиттерден коллекторға қарай қозғалысын басқаратын ортаңғы қабат, база деп аталады (Б). База арқылы эмиттерлік (ЭӨ) және коллекторлық (КӨ) өткелдер деп аталатын екі   p-n өткелдердің байланысы жүзеге асырылады. Өткелдердің өзара әсерлесуі өткелдер арасындағы базаның өте аз қалыңдығы арқылы жүзеге асырылады (ондаған микрометр). Кез келген жағдайда ол базадағы қосалқы тасушылардың диффузиялық қабатының қалыңдығынан әлдеқайда аз болуы қажет. Сонымен қатар базаның электрөткізгіштігі эмиттердің электрөткізгіштігі-нен айтарлықтай аз болуы қажает. Базасы бір текті транзисторлар дрейфсіз, базасы әр текті – дрейфті деп аталады. Шала өткізгіш қабаттары типтерінің орналасу ретіне байланысты n-p-n- және p-n-p- типті транзисторлар болып бөлінеді. Екі типтегі транзисторлардың жұмыс істеу принциптері бірдей, айырмашылығы тек n-p-n-типті транзисторда базадан коллекторға, эмиттерден инжекцияланған, электрондар қозғалады, ал p-n-p-типті транзисторда – кемтіктер. Ол үшін транзистордың электродтарына кері полюсті қорек көздері қосылады. Микросұлбаларда негізінен n-p-n-транзисторлар пайдаланылады, ал p-n-p-типті  n-p-n – типпен бірге пайдаланылады және бұл жұп комплементарлы деп аталады, дискреттік жүйелер үшін негізінен p-n-p-тип қолданылады.

25- билет