
- •210100.62 Электроника и микроэлектроника
- •Содержание
- •Предисловие
- •Теоретический материал
- •1.1 Диффузия
- •1.2 Эпитаксия
- •1.3 Термическое оксидирование
- •Примеры решения задач
- •Задачи для самостоятельного решения
- •Теоретический материал
- •2.1 Тонкопленочные резисторы
- •2.2 Конденсаторы
- •Примеры решения задач
- •Задачи для самостоятельного решения
- •Тема 3 цифровые имс Теоретический материал
- •3.1 Транзисторно-транзисторная логика (ттл)
- •3.2 Логические элементы на комплементарных транзисторах с изолированным затвором (кмоп)
- •Примеры решения задач
- •Задачи для самостоятельного решения
- •Тема 4 аналоговые имс Теоретический материал
- •4.1 Операционный усилитель
- •4.2 Оу с обратной связью
- •4.3 Неинвертирующий усилитель.
- •4.4 Инвертирующий усилитель
- •4.5 Дифференцирующий усилитель
- •4.6 Интегрирующий усилитель
- •Примеры решения задач
- •Задачи для самостоятельного решения
- •Требования к оформлению контрольной работы Общие требования к оформлению контрольной работы
- •Порядок защиты и ответственность студента за выполнение контрольной работы
- •Рекомендуемая литература Основная литература
- •Дополнительная литература
- •210100.62 Электроника и микроэлектроника
Задачи для самостоятельного решения
3.1. Определить коэффициент насыщения транзистора VT2 в схеме рис. 2, если R1 = 3 кОм; R2 = 2 кОм; R3 = 1,35 кОм; R4 = 100 Ом; коэффициент передачи тока транзисторов h21э = 20. Входные сигналы отвечают высокому уровню напряжения Uвх1 = Uвх2 = 2,5 В. Напряжение питания Uп = 5 В. Нагрузкой схемы служат три таких же элемента, соединенных параллельно. Считать, что для открытого транзистора Uбэ = 0,7 В, Uкэ нас = 0,2 В.
3.2. Определить коэффициент насыщения транзистора VT3 в схеме рис. 2, если R1 = 3 кОм; R2 = 2 кОм; R3 = 1,35 кОм; R4 = 100 Ом; коэффициент передачи тока транзисторов h21э = 20. Входные сигналы отвечают высокому уровню напряжения Uвх1 = Uвх2 = 2,5 В. Напряжение питания Uп = 5 В. Нагрузкой схемы служат три таких же элемента, соединенных параллельно. Считать, что для открытого транзистора Uбэ = 0,7 В, Uкэ нас = 0,2 В.
3.3. Определить выходное сопротивление логического элемента ТТЛ (рис. 2) при Uвх1 = Uвх2 = 0,1 В. Принять, что сопротивление диода RD = 100 Ом; R1 = 4 кОм; R2 = 1,5 кОм; R3 = 1 кОм; R4 = 100 Ом; коэффициент передачи тока транзистора VT4 h21э = 40. Ток, текущий из схемы в нагрузки, равен 0,8 мА. Входная характеристика транзистора VT4 изображена на рис. 6.
3.4. Дан элемент 2И-НЕ ТТЛ (рис. 3). Uвх1 = Uвх2 = 2,8 В; R1 = 3,5 кОм; R2 = 1,2 кОм; R3 = 0,3 кОм; R4 = 400 Ом; R5 = 4 кОм; R6 = 50 Ом; коэффициент передачи тока транзисторов h21э = 50. Входная характеристика транзисторов изображена на рис. 6. Определить токи через резисторы R1, R2, R3, R4.
3.5. В условиях задачи 3.4. определить коэффициент насыщения транзистора VT6, если ток, текущий из нагрузок на выход элемента, равен 6 мА.
3.6. В условиях задачи 3.4. определить коэффициент насыщения транзистора VT3, если ток, текущий из нагрузок на выход элемента, равен 6 мА.
Рисунок 6. Входная характеристика транзистора (к задачам 3.3, 3.4)
3.7. Дан элемент 2И-НЕ ТТЛ (рис. 3). X1 = X2 = 0. Определить режим работы транзистора VT5 и токи через резисторы R2, R5, R6, если Iн = 2,2 мА; R2 = 1 кОм; R5 = 2,2 кОм; R6 = 150 Ом; коэффициент передачи тока транзисторов h21э = 35. Входная характеристика транзистора VT4 изображена на рис. 5. Принять, что Uкэ.нас = 0,2 В.
3.8. В условиях задачи 3.7. определить выходное сопротивление логического элемента.
3.9. Дан элемент 2И-НЕ ТТЛ (рис. 3). Uвх1 = Uвх2 = 3,6 В; R1 = 4 кОм; R2 = 1 кОм; R3 = 400 Ом; R4 = 400 Ом; R5 = 4 кОм; R6 = 100 Ом; коэффициент передачи тока транзисторов h21э = 20. Входная характеристика транзисторов изображена на рис. 7. Определить токи через резисторы R1, R2, R3, R4.
Рисунок 7. Входная характеристика транзистора (к задачам 3.9, 3.10)
3.10. Дан элемент 2И-НЕ ТТЛ (рис. 3). Uвх1 = Uвх2 = 3 В; R1 = 4,5 кОм; R2 = 1,3 кОм; R3 = 1,6 кОм; R4 = 300 Ом; коэффициент передачи тока транзисторов h21э = 40. Входная характеристика транзисторов изображена на рис. 7. Определить токи через резисторы R1, R2, R3, R4.
3.11. Сопротивление транзисторов (рис. 5) в открытом состоянии составляет 200 Ом, в закрытом – 40 кОм. Определить потенциал на выходе инвертора и ток через нагрузку, если нагрузка сопротивлением 400 Ом подключена между выходом элемента и клеммой Uп; Uп = 5 В. Напряжение на входе соответствует уровню логической единицы, т. е. X = 1.
3.12. В инверторе на КМОП транзисторах (рис. 4) сопротивление n-канала в открытом состоянии составляет 200 Ом, в закрытом – 40 кОм. Сопротивление p-канала равно соответственно 400 Ом и 100 кОм для открытого и закрытого транзистора. Определить выходное напряжение логической единицы в режиме холостого хода, т. е. при токе нагрузки равном нулю. Uп = 5 В.
3.13.
В инверторе на КМОП транзисторах (рис.
4) сопротивление n-канала
в открытом состоянии составляет 150 Ом,
в закрытом – 35 кОм. Сопротивление
p-канала
равно соответственно 300 Ом и 100 кОм
для открытого и закрытого транзистора.
Определить выходное напряжение
логического нуля
в режиме холостого хода, т. е. при токе
нагрузки равном нулю. Uп = 5 В.
3.14. В инверторе на КМОП транзисторах (рис. 4) Сопротивление n-канала в открытом состоянии составляет 200 Ом, в закрытом – 40 кОм. Сопротивление p-канала равно соответственно 400 Ом и 100 кОм для открытого и закрытого транзистора. Определить выходное напряжение логической единицы , если нагрузка сопротивлением 2 кОм подключена между выходом инвертора и землей.
3.15. В инверторе на КМОП транзисторах (рис. 4) Сопротивление n-канала в открытом состоянии составляет 150 Ом, в закрытом – 35 кОм. Сопротивление p-канала равно соответственно 300 Ом и 100 кОм для открытого и закрытого транзистора. Определить выходное напряжение логического нуля , если нагрузка сопротивлением 2 кОм подключена между выходом инвертора и землей.
3.16. Сопротивление транзисторов (рис. 5) в открытом состоянии составляет 150 Ом, в закрытом – 50 кОм. Определить потенциал на выходе инвертора и ток через нагрузку, если нагрузка сопротивлением 500 Ом подключена между выходом элемента и клеммой Uп; Uп = 5 В. Напряжение на входе соответствует уровню логической единицы, т. е. X = 1.
3.17. В инверторе на КМОП транзисторах (рис. 4) сопротивление n-канала в открытом состоянии составляет 150 Ом, в закрытом – 30 кОм. Сопротивление p-канала равно соответственно 300 Ом и 150 кОм для открытого и закрытого транзистора. Определить выходное напряжение логической единицы в режиме холостого хода, т. е. при токе нагрузки равном нулю. Uп = 5 В.
3.18. В инверторе на КМОП транзисторах (рис. 4) сопротивление n-канала в открытом состоянии составляет 100 Ом, в закрытом – 50 кОм. Сопротивление p-канала равно соответственно 250 Ом и 150 кОм для открытого и закрытого транзистора. Определить выходное напряжение логического нуля в режиме холостого хода, т. е. при токе нагрузки равном нулю. Uп = 5 В.
3.19. В инверторе на КМОП транзисторах (рис. 4) Сопротивление n-канала в открытом состоянии составляет 200 Ом, в закрытом – 50 кОм. Сопротивление p-канала равно соответственно 300 Ом и 150 кОм для открытого и закрытого транзистора. Определить выходное напряжение логической единицы , если нагрузка сопротивлением 3 кОм подключена между выходом инвертора и землей.
3.20. В инверторе на КМОП транзисторах (рис. 4) Сопротивление n-канала в открытом состоянии составляет 150 Ом, в закрытом – 35 кОм. Сопротивление p-канала равно соответственно 200 Ом и 100 кОм для открытого и закрытого транзистора. Определить выходное напряжение логического нуля , если нагрузка сопротивлением 1,5 кОм подключена между выходом инвертора и землей.