
- •210100.62 Электроника и микроэлектроника
- •Содержание
- •Предисловие
- •Теоретический материал
- •1.1 Диффузия
- •1.2 Эпитаксия
- •1.3 Термическое оксидирование
- •Примеры решения задач
- •Задачи для самостоятельного решения
- •Теоретический материал
- •2.1 Тонкопленочные резисторы
- •2.2 Конденсаторы
- •Примеры решения задач
- •Задачи для самостоятельного решения
- •Тема 3 цифровые имс Теоретический материал
- •3.1 Транзисторно-транзисторная логика (ттл)
- •3.2 Логические элементы на комплементарных транзисторах с изолированным затвором (кмоп)
- •Примеры решения задач
- •Задачи для самостоятельного решения
- •Тема 4 аналоговые имс Теоретический материал
- •4.1 Операционный усилитель
- •4.2 Оу с обратной связью
- •4.3 Неинвертирующий усилитель.
- •4.4 Инвертирующий усилитель
- •4.5 Дифференцирующий усилитель
- •4.6 Интегрирующий усилитель
- •Примеры решения задач
- •Задачи для самостоятельного решения
- •Требования к оформлению контрольной работы Общие требования к оформлению контрольной работы
- •Порядок защиты и ответственность студента за выполнение контрольной работы
- •Рекомендуемая литература Основная литература
- •Дополнительная литература
- •210100.62 Электроника и микроэлектроника
3.2 Логические элементы на комплементарных транзисторах с изолированным затвором (кмоп)
Основу этих логических элементов составляет пара комплементарных МДП транзисторов с индуцированными каналами, т. е. транзисторов с идентичными параметрами, но с разным типом проводимости каналов. Схема инвертора на КМОП транзисторах представлена на рис. 4.
Рисунок 4. Инвертор на КМОП-транзисторах
Сток выходного n-канального транзистора Т1 соединен с выходом элемента, его исток – с корпусом. В нагрузочном p-канальном транзисторе Т2 сток также соединен с выходом, а исток – с питанием. Вход инвертора соединен с затворами обоих транзисторов. При высоком напряжении на входе (соответствующем логической единице) n-канальный транзистор открыт и имеет малое сопротивление. Нагрузочный транзистор Т2, наоборот, закрыт и имеет высокое сопротивление. Напряжение питания перераспределяется в соответствии с сопротивлениями, поэтому на выходе устанавливается низкий уровень напряжения.
При низком напряжении на входе (соответствующем логическому нулю) закрыт транзистор Т1 и открыт транзистор Т2. Поэтому выходное напряжение равно напряжению на закрытом транзисторе, т. е. соответствует логической единице.
Поскольку в статических режимах всегда один из транзисторов закрыт, то ток через элемент крайне мал (в современных схемах это доли нА). Это, разумеется, относится к случаю, когда нагрузка также потребляет малые токи, т. е. тоже представляет собой элемент серий КМОП. Мощность, потребляемая таким элементом от источника питания, ничтожно мала (меньше 1 мкВт).
Примеры решения задач
Пример 1. В схеме ТТЛ 2И-НЕ со сложным инвертором (рис. 2) R1 = 4 кОм; R2 = 1,5 кОм; R3 = 1 кОм; R4 = 100 Ом; коэффициент передачи тока транзисторов h21э = 40. Входные сигналы отвечают высокому уровню напряжения Uвх1 = Uвх2 = 3 В. Напряжение питания Uп = 5 В. Нагрузкой схемы служат 8 таких же элементов, соединенных параллельно. Определить коэффициент насыщения выходного транзистора VT3. Считать, что для открытого транзистора Uбэ = 0,7 В, Uкэ нас = 0,2 В.
Решение.
Так как напряжение на эмиттерах транзистора VT1 равно 3 В, а на его базе не больше, чем 2,1 В (максимальное напряжение на трех открытых переходах), то эмиттерные переходы VT1 закрыты. Поэтому транзистор VT1 работает в инверсном режиме. Ток I1, проходящий через R1 от Uп, проходит через коллекторный переход в базу транзистора VT2, т. е.
I1 = Iк1 = Iб2. (31)
Транзистор VT2 переходит в насыщение. Следом в насыщение переходит транзистор VT3. Его базовый ток – это ток эмиттера VT2 за вычетом тока через резистор R3, т. е.
Iб3 = Iэ2 – I3, (32)
или
Iб3 = Iб2 + Iк2 – I3. (33)
С учетом (31)
Iб3 = I1 + Iк2 – I3. (34)
При вычислении тока Iк2 учтем, что он равен току I2 через резистор R2, поскольку транзистор VT4 закрыт и базовый ток Iб4 равен нулю. Тогда
Iб3 = I1 + I2 – I3. (35)
Если принять, что потенциал Uб1 = 2,1 В, Uб3 = Uэ2 = 0,7 В, Uк2 = Uэ2 + Uкэ.нас = 0,9 В. Тогда I1 = 0,725 мА; I2 = 2,733 мА; I3 = 0,7 мА и Iб3 = 0,725 + 2,733 – 0,7 = 2,76 мА.
Коэффициент насыщения транзистора VT3 определяется по формуле
(36)
где
‑ минимальный базовый ток при котором
транзистор переходит в насыщение,
Таким образом, для определения коэффициента насыщения транзистора VT3 нужно знать коллекторный ток транзистора VT3 IК3. Так как транзистор VT4 и диод VD закрыты, ток в коллектор VT3 течет только из восьми нагрузок, подключенных параллельно:
IК3 = 8Iнi.
Для определения тока нагрузок Iнi учтем, что вход каждого нагрузочного элемента подключен к выходу данного элемента, т. е. на входе каждой нагрузки Uвх.i = 0,2 В. Тогда ток
IК3 = 81,025 = 8,2 мА.
Пример 2. Сопротивление транзисторов (рис. 5) в открытом состоянии составляет 200 Ом, в закрытом – 40 кОм. Определить потенциал на выходе инвертора и ток через нагрузку, если нагрузка сопротивлением 400 Ом подключена между выходом элемента и клеммой Uп; Uп = 5 В. Напряжение на входе соответствует уровню логического нуля, т. е. X = 0.
Рисунок 5. Схема подключения нагрузки к инвертору
Решение.
По первому правилу Кирхгофа
I1 = I2 + Iн. (37)
Это уравнение можно представить в виде:
(38)
где R1 – сопротивление транзистора Т1, R2 – сопротивление транзистора Т2.
Если
напряжение на входе соответствует
уровню логического нуля, то транзистор
Т2 открыт, его сопротивление равно
R2 = 200 Ом,
транзистор Т1 закрыт, его сопротивление
равно R1 = 40 кОм.
Выходное напряжение соответствует
высокому уровню логической единицы
.
Это напряжение получим из (38):
Соответствующий этому напряжению ток нагрузки равен
мА. (39)