
- •210100.62 Электроника и микроэлектроника
- •Содержание
- •Предисловие
- •Теоретический материал
- •1.1 Диффузия
- •1.2 Эпитаксия
- •1.3 Термическое оксидирование
- •Примеры решения задач
- •Задачи для самостоятельного решения
- •Теоретический материал
- •2.1 Тонкопленочные резисторы
- •2.2 Конденсаторы
- •Примеры решения задач
- •Задачи для самостоятельного решения
- •Тема 3 цифровые имс Теоретический материал
- •3.1 Транзисторно-транзисторная логика (ттл)
- •3.2 Логические элементы на комплементарных транзисторах с изолированным затвором (кмоп)
- •Примеры решения задач
- •Задачи для самостоятельного решения
- •Тема 4 аналоговые имс Теоретический материал
- •4.1 Операционный усилитель
- •4.2 Оу с обратной связью
- •4.3 Неинвертирующий усилитель.
- •4.4 Инвертирующий усилитель
- •4.5 Дифференцирующий усилитель
- •4.6 Интегрирующий усилитель
- •Примеры решения задач
- •Задачи для самостоятельного решения
- •Требования к оформлению контрольной работы Общие требования к оформлению контрольной работы
- •Порядок защиты и ответственность студента за выполнение контрольной работы
- •Рекомендуемая литература Основная литература
- •Дополнительная литература
- •210100.62 Электроника и микроэлектроника
МИНИCTEPCTBO ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
«СЕВЕРО-КАВКАЗСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»
УТВЕРЖДАЮ
Заведующий кафедрой физики и электроники Валюхов Д.П.
__________________________
"__" _____________ 20____ г.
Методические рекомендации
к выполнению контрольной работы
по дисциплине «МИКРОЭЛЕКТРОНИКА»
Направление подготовки
210100.62 Электроника и микроэлектроника
Квалификация (степень) выпускника
Бакалавр
Разработано
ст. преподаватель кафедры ФиЭ
_______________ Жданова Н.В.
"__" ____________ 20____ г.
Ставрополь, 2013
МИНИCTEPCTBO ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Ф
едеральное
государственное автономное
образовательное учреждение высшего профессионального образования
«СЕВЕРО-КАВКАЗСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»
Жданова Н. В.
Сидоров К. И.
Методические рекомендации
к выполнению контрольной работы
по дисциплине «МИКРОЭЛЕКТРОНИКА»
Направление подготовки
210100.62 Электроника и микроэлектроника
Квалификация (степень) выпускника
Бакалавр
Ставрополь 2013
Жданова Н. В., Сидоров К. И.
«Микроэлектроника»: Методические рекомендации к выполнению контрольной работы. — Ставрополь: Изд-во СКФУ, 2013. – 51 с.
Методические рекомендации составлены для выполнения контрольной работы по дисциплине "Микроэлектроника". Изложены некоторые теоретические вопросы, приведены примеры решения задач, приведены задачи для самостоятельного решения.
Методические указания могут быть использованы как руководство при выполнении контрольной работы и для самостоятельной работы над разделами дисциплины.
© ФГАОУ ВПО «Северо-Кавказский
федеральный университет», 2013
Содержание
Предисловие 5
Тема 1 Технологические основы микроэлектроники 7
Теоретический материал 7
Примеры решения задач 9
Задачи для самостоятельного решения 10
Тема 2 Активные и пассивные элементы ИМС 15
Теоретический материал 15
Примеры решения задач 16
Задачи для самостоятельного решения 17
Тема 3 Цифровые ИМС 21
Теоретический материал 21
Примеры решения задач 26
Задачи для самостоятельного решения 29
Тема 4 Аналоговые ИМС 33
Теоретический материал 33
Примеры решения задач 43
Задачи для самостоятельного решения 44
Требования к оформлению контрольной работы 46
Рекомендуемая литература 48
Приложение 1 50
Предисловие
Целью освоения дисциплины «Микроэлектроника» является ознакомление студентов с основными задачами, принципами и направлениями развития современной микроэлектроники и возможностями применения современных достижений микроэлектроники при решении задач, возникающих в их последующей профессиональной деятельности.
Задачами курса микроэлектроники являются:
приобретение знаний по принципам построения, функциональных возможностей, изготовления и использования МЭ в аппаратуре различного функционального назначения;
ознакомление с конструкциями и технологиями устройств и приборов, выполненных с применением технологий микроэлектроники.
В результате освоения дисциплины обучающийся должен:
ЗНАТЬ |
- технические характеристики и экономические показатели отечественных и зарубежных разработок в области микроэлектроники; - технические требования, предъявляемые к материалам и готовой продукции; - конструктивно-технологические особенности различных типов интегральных схем; - методы изготовления пассивных и активных элементов интегральных микросхем; - основные разновидности аналоговых и цифровых интегральных схем и особенности их использования; |
УМЕТЬ |
- производить расшифровку маркировки интегральных микросхем; - производить выбор элементной базы при разработке устройств микроэлектроники; - осуществлять измерение параметров интегральных микросхем и производить расчеты их элементов; - осуществлять выбор технологии изготовления элементов интегральных схем; - составлять эскизы топологии элементов интегральных микросхем. |
ВЛАДЕТЬ |
методами экспериментального исследования характеристик устройств микроэлектроники. |
Содержание дисциплины определено ГОС ВПО по направлению подготовки 210100.62 Электроника и микроэлектроника и отражено в блоке ОПД.Ф.09 классификация интегральных микросхем: полупроводниковые и гибридные, на биполярных и МДП-элементах; цифровые и аналоговые; малой, средней, большой и сверхбольшой степени интеграции; активные и пассивные элементы интегральных микросхем; схемотехнические структуры интегральной микроэлектроники; элементы функциональной электроники.
Тема 1
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ