
- •Глава 2 фосфиды кадмия 1
- •Глава 2 фосфиды кадмия
- •2.1 Система кадмий-фосфор
- •2.2 Кристаллические структуры и химическая связь в фосфидах кадмия
- •2.3 Термодинамические свойства фосфидов кадмия
- •2.4 Синтез и выращивание фосфидов кадмия
- •2.5 Электрофизические свойства фосфидов кадмия
- •2.6 Оптические свойства фосфидов кадмия
- •Кристаллов CdP2
- •Различных длин волн
Различных длин волн
После полировки поверхности кристалла максимум спектрального распределения фото-эдс сдвигался в длинноволновую область, однако, сигнал Уф уменьшался на столько, что невозможно было проследить за его возможными температурными аномалиями.
Исследована темновая проводимость и фотопроводимость монокристаллов CdP2 в интервале 100-500 К, проводимость дырочная
л
составляла цр = 10-20 см /В-с, удельная проводимость изменялась в пределах 10-4-10-8 Ом-1 •см-1.
В таблице 2.6 отражены основные физические свойства Cd3P2, CdP2, CdP4.
Таблица 2.6 Электрофизические свойства Cd3P2, CdP2, CdP4
Показатель свойства |
Cd3P2 |
Cd |
P2 |
Cc |
IP4 |
|
Данные по свойствам |
Источник |
Данные по свойствам |
Источник |
Данные по свойствам |
Источник |
|
d (плотность), г/см1 |
5.956 (расч.) |
[30] |
4.18 (кристалл); 4.84 (стекло) |
[94] |
3.90 |
[12] |
Н (микротвердость), кг-с/мм2 |
206 ± 5; 375.5 |
[95] |
540 (стекло); 440 (кристалл); 440 |
[36, 94] [96] |
274.7 |
[36] |
а (коэффициент линейного расширения)^1, град-1 |
8.4 (расч.); 7.9 |
[36] |
5.0 (расч.); 4.6 |
[36] |
6.8 (расч.); 6.2 |
[36] |
9d (температура Дебая), °К |
242 (290 °К) |
[36] |
- |
- |
- |
- |
Хм 10-6, см3/моль |
0.157 |
[36] |
0.210 |
[36] |
0.22 |
[36] |
ДЕ (ширина запрещенной зоны), эВ |
0.5 0.52 0.5 |
|
2.02±0.02 (293 °К); 1.92 1.15±0.02 (77°К); 2.134 (13°К); |
[51] |
1.0 (опт.); 1.15 (электр.) |
[10] |
m*n(эффективная масса носителей заряда) |
0.12 m0 > mn*>0.06 m0; mn*=0.1 m0 |
[97] [3] |
- |
- |
- |
- |
Цп, „(подвижность носителей заряда), см2/Вс |
1500 (T = 300 K) 3000 (T = 300 K) 1900; 2500 (T = 230 K); |
[3] [97] [101] |
10-20 (300 K) 20-30 (300 К) |
[106] [88] |
6.0-103(77 К) |
[102] |
ппр(концентрация), см-3 |
(2-5)-1017 1017- 1018 (3-6>1017 |
[3] [97] [103] |
1014 - 1018 1016 |
[100] [104] |
2-1016 1017 |
[10] [102] |
р (удельное сопротивление), Омсм T = 300 K |
(9-25)-10-3 10-2, 3.5^10-3, |
[3] [97, 105] |
7.7^104105-108 1010 108-106107-109 |
[52] [106] [51] [107] [86] |
2-8 |
[10] |
а (термо-эдс), мкВ/град |
-150;-200 -170 (T = 300 K) |
[3, 105] [97] |
- |
- |
- |
- |
Теплопроводность, Вт/(мК) (Т = 300 K) |
- |
- |
15 |
[108] |
- |
- |
Литература по главе 2
Zdanowicz, W. Semiconducting Properties of CdP4 / W. Zdanowicz, A. Wojakowski // Phys. stat. sol. - 1966.- Vol. 16, № 2.- P. K129-K131.
Исследование p-T-x фазовой диаграммы системы Cd-P и термодинамические свойства фосфидов кадмия / В.Б. Лазарев, Я.Х. Гринберг, С.Ф. Маренкин, С.Х. Самиев // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. - 1979.Т. 15, № 7.- С. 1149-1154.
H. Krebs, K.H. Muller, A. Zurn / Darstellung und Struktur des CdP4 // Z.anorg. und allgem. Chem - 1956 - bd.285, № 1-2 - S. 15-28
J. Goodyear, G.A. Steigmann / The crystal structure of a-CdP2 // Acta cryst. - 1969. - Vol. B25, № 11. - P. 2371-2374.
Olofsson, O. A note on the crystal structure of a-CdP2 / O. Olofsson, J. Gullmann // Acta cryst. - 1970. - Vol. B26, № 11. - P. 1883-1884.
В.Н. Якимович, В.А. Рубцов, В.М. Трухан / Фазовые равновесия в системе Zn - Cd - P - As // Неорган. материалы.-1996.-T. 32, № 7.- C. 799-803.
А.У. Шелег, В.П. Новиков / Фазовые переходы в тетрагональном CdP2 // ФТТ. - 1982.—Т. 24, № 11.- С. 3508-3511.
В.В. Зарецкий, Л.Е. Сошников, С.С. Хасанов, В.Ш. Шехтман / Новые особенности в температурных зависимостях некоторых физических свойств тетрагонального дифосфида кадмия // ФТТ. - 1984.- Т. 26, № 11. - С. 132-137.
В.П. Новиков, А.У. Шелег., В.А. Филимонов / Суперионная проводимость монокристаллов ZnP2 и CdP2 тетрагональной модификации // ФТТ. - 1984.Т. 26, № 11. - С. 132-137.
L.E. Soshnikov, A.U. Sheleg / Elastic properties and phase transitions in |3-CdP2 // Physica status solidi (a). - 1989. - Vol. 111, № 2. - P. 485-490.
А.У. Шелег, Н.П. Теханович, Т.И. Якубенко / Теплоёмкость дифосфида кадмия в интервале температур 6-400 К // Неорган. материалы.- 1987.- Т. 23, № 5.- С. 714-716.
V.B. Lazarev, J.H. Greenberg, B.A. Popovkin / Current Topics in Materials
Science // North-Holland Publ. Co., Amsterdam.- 1978.- Vol. 1.
77
С. Manolikas, J. van Tendeloo, S. Amelinckx / The "Devil staircase" in CdP2 and ZnP2 // Phys.stat. sol. (a). - 1986.-Vol. 97, Issue 1. - P. 87-102.
Н.Н. Сырбу, В.Э. Львин / Инфракрасные колебательные моды и характер химической связи в кристаллах ZnP2 и CdP2 / ФТП. - 1991.- Т. 25, № 7.- С. 1136-1145.
Pearson, W.B. / The crystal structures of semiconductors and a general valence rule // Acta cryst.- 1964.- Vol. 17, № 1.-P. 1-15.
S.I. Radautsan, N.N. Syrbu, V.E. Teslevan, I.V. Chumak / Optical spectra and electroabsorption of CdP2 and CdP4 single crystals // Phys.stat. sol. (b). - 1973.- Vol. 60, Issue 1. - P. 415-425.
Horn, J. / Crystal structure and absolute configuration of CdP2 // Bull. Acad. Pol. Sci., Ser. Sci. Chem. - 1969. - Vol. 17, № 2. - P. 69-75.
Абсолютная структура и оптическая активность тетрагональных кристаллов CdP2 / В.Н. Молчанов // Кристаллография.- 1987.-Т. 32, № 1.- С. 45-49.
Электронная и кристаллическая структура изоморфных ZnP2 и CdP2 / К.Б. Алейникова // ФТТ. - 2002. - Т. 44, № 7. - С. 1206-1210.
The growth of large Cd3P2 crystals / V.B. Lazarev [et al.] // J. Cryst. Growth. - 1974.- Vol. 23.- P. 237-238.
С.А. Щукарев, М.П. Морозова, М.М. Бортникова // Журнал общей химии .1958.- Т. 28, № 12.- С. 3289.
А.Ф. Демиденко, Г.Н. Даниленко, В.Е. Даниленко, В.Б. Лазарев, В.Я. Шевченко, С.Ф. Маренкин, С.Ф. Козлов // Неорган. материалы. - 1977.- Т. 13, № 2.- С. 214-216.
R.C. Schoonmaker, K. Rubinson / The Vaporization of Cadmium Phosphide // J. Phys. Chem-1967 - V. 71, № 10. - P. 3354 - 3357.
J.X. Greenberg, V.B. Lazarev, S.E. Kozlov, V.J. Shevchenko. // J. Chem. Therm.-1974 -V. 6.- P. 1005.
34 В.С. Вавилов, В.Д. Негрий, В.С. Коваль, И.В. Потыкевич, М.В. Чукичев. Всесоюзная конференция по рекомбинационному излучению и п/п источникам света, Баку, 1971.
Соколовский Т.Д., Шелег, А.У., Теханович Н.П., Орлик Л.К. Расчет плотности состояний фононов низких энергий по данным удельной теплоемкости P-CdP2 // Вести Академии наук БССР. Серия физ.-мат. наук- 1986.- № 6.- С. 85-88.
А. М. Антюхов Автореферат канд. диссертации, Минск, 1975.
Т. М. Шанцовой Канд. диссертация, М., 1977.
D.R. Stull, G.C. Sinke. Thermodynamic Properties of the Elements, Washington. D. C. 1956.
Арушанов Э.К., Лашкул Л.В., Натепров А.Н. Фосфид кадмия, легированный медью // Полуметаллы и узкозонные полупроводники. - Кишинев, 1979. - С. 163-167.
Корец Н.С., Коваль В.С., Чернявский В.П. Особенности получения кристаллов CdP2 // ФКС. - Киев, 1978. - С. 68 -71.
Анизотропия фоточувствительности кристаллов CdP2 тетрагональной модификации / А.А. Абдурахимов, Ю.А. Валов, Ю.В. Рудь // ФТП. - 1981. - Т. 15, № 6. - С. 1093-1099.
Electrical Properties of CdP2 Single Crystals / Z. Januskevicius, N. Korech, A. Sakalas, J. Tychina // Phys. Stat. Sol. (a). - 1981. - V. 65. - P. 149-151.
V.B. Lazarev, J.X. Greenberg, V.J. Shevchenko / Sublimation thermodynamics of Cd3P2 // J. Chem. Thermodinamics. - 1976. - V. 8, № 1. - P. 61-65.
Борщевский А.С., Ундалов Ю.К., Шанцовой Т.Н. / Исследование упругости пара над CdGeP2, CdP2 и Cd3P2 // Изв. АН СССР. Неорган. Материалы. - 1977. - Т. 13, № 1. - С. 22-26.
С.Е. Козлов, В.Б. Лазарев, С.П. Максимова / Исследование морфологии роста из газовой фазы монокристаллов А^^ // Изв. АН СССР Неорган. Материалы. - 1977. - Т. 13, № 10. - С. 1729-1732.
79
Bishop S.G., Moore W.J., Swiggard E.M. / Photolumineszence and stimulated emission in Cd3P2 // Appl. Phys. Lett. - 1969. - V. 15, № 1. - Р. 12-14.
Домашевская Э.П., Угай Я.А. Рентгеноэлектронные исследования природы химической связи в полупроводниковых соединениях AIBV, AIIBV, AIIIBV, AIVBV по сдвигам внутренних уровней. // Изв. СО АН СССР. Сер. Хим. Наук. - 1975. - В. 4. - С. 49-53.
С.И. Радауцан, Э.К. Арушанов, Л.Н. Лукьянова / Получение, морфология и электрические свойства НК фосфида и арсенида кадмия // Воронеж, 1975. - В. 1. - С. 130-134.
Получение и свойства монокристаллов фосфида и арсенида кадмия. Э.К. Арушанов, Л.Н. Лукьянова, М.М. Марку. Физика и химия сложных полупроводников: Сб. науч. Работ. - Кишинев, 1975. - С. 18 - 38.
Kloc K., Zdanowicz W. / Growth and morphology of Zn3P2, Cd3P2 and Cd3As2 crystals // J. Crystat Growth. - 1984. - V. 66. - P. 451-458.
W. Zdanowicz, A. Wojakowski / Some optical properties of CdP2 // Phys. stat. sol. (a) - 1965. - Vol. 10, № 2.- P. K93-K97.
В.С. Коваль [и др.] / Примесная фотолюминесценция СdP2 // ФТП. - 1972.- T. 6, № 6.- С. 1142-1143.
Способ получения монокристаллов дифосфида кадмия: а.с. 390761 СССР, МКИ5 С 01 G 11/00. 1973.
V.B. Lazarev [et al.] / The growth of large tetragonal CdP2 and ZnP2 crystals // J. Cryst. Growth. - 1977.- Vol. 38, Issue 2.- P. 275-276.
Шевченко, В.Я. Получение монокристаллов полупроводниковых соединений AIIBV / В.Я. Шевченко, С.Ф. Маренкин // Неорган. материалы. - 1979.- Т. 15, № 6. - С. 1106-1107.
Физика конденсированного состояния. Особенности получения кристаллов CdP2: c6. науч. трудов / ИППИ: В.П. Дущенко (от. ред.). - Киев, 1978.- С. 68-71.
Способ получения монокристаллов дифосфида кадмия: а.с. 1107598 СССР, МКИ5 С 30 В 23/00 / Л.К. Орлик, Э.М. Смоляренко, В.М. Трухан, В.Н. Якимович; Ин-т физ. тв. тела и полупр. 08.04.84. ДСП.
Способ получения монокристаллов дифосфида кадмия: а.с. 1253185 СССР, МКИ5 С 30 В 23/00 / Л.К. Орлик, Э.М. Смоляренко, В.М. Трухан, А.У. Шелег,
Н. Якимович; Ин-т физ. тв. тела и полупр. 22.04.86. ДСП.
В.М. Трухан, Л.Е. Сошников, С.Ф. Маренкин, Т.В. Голякевич / Выращивание и свойства монокристаллов P-CdP2 // Неорганические материалы. - 2005.- Т. 41, № 9. - С. 1031-1036.
Ковалева И.С., Дмитриев А.В., Жижейко И.А. О получении фосфида кадмия CdP4 и его электрических свойствах // Изв. АН СССР. Неорган. Мат. - 1966. - Т. 2, № 2. - С. 403-405.
Даниленко Г.Н., Даниленко В.Е., Шевченко В.Я. / Определение термодинамических функций CdP4 при низких температурах // Изв. АН СССР. Неорган. Мат. - 1978. - Т. 14, № 11. - С. 1973-1975.
С.Ф. Маренкин, С.Х. Самиев, В.Я. Шевченко / Выращивание монокристаллов CdP4 // Изв. АН СССР. Неорган. Мат. - 1978. - Т. 14, № 11. -
1971-1973.
И.М. Галушко О растворении и росте кристаллов в расплавах перитектических систем. // 6 Международная конференция по росту кристаллов: Тез. Докл.- М., 1980. - Т. 2. - С. 8-9.
R. L. Radoff, S. G. Bishop. // Mater. Res. Bull. - 1973.- Vol. 8, № 2.-P. 219.
Стамов, И.Г. Влияние уровней собственных дефектов в запрещенной зоне CdP2 на электрические свойства структур с барьером Шоттки на его основе / С.Г. Стамов, Д.В. Ткаченко // ФТП. - 2006. -Т. 40, вып. 10. - С. 1196-1203.
Сошников, Л.Е. Механизм несоразмерных искажений в структуре монокристаллов дифосфидов кадмия и цинка / Л.Е. Сошников, В.М. Трухан, Л.К. Орлик // Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение: труды IV междунар. конф., 18-22 окт. 1999 г. / С. 203-211.
H. Sobotta [et al.] / Infrared study of the lattice vibrations in tetragonal CdP2 // Phys. stat. sol. (b). - 1984.- Vol. 125, № 1.- P. K17-K20.
K.V. Shportko, E.F. Venger, Yu.A. Pasechnik / Reflection spectra of phospides in the residual beams region // J. Molecular Structure. -2005.- V. 744-747.- P. 947950.
Yu. Baran [et al.] / Raman and FIR reflection spectroscopy of ZnP2 and CdP2 single crystals // J. Molecular Structure. - 2006. - V. 792-793.- P. 239-242.
В.Я. Курячий, В.П. Михальченко, Н.В. Стучинская, И.И. Тычина / Анизотропия упругих свойств (3-CdP2 // Украинский физический журнал. - 1985. - Т. 30, вып. 2. - С. 248-251.
Силявичюс З., Рекснис Р., Самуленис В., Скрицкий В., Якимович В. Температурные зависимости скорости звука в монокристаллах CdP2 и ZnP2 // Литовский физ. сб. - 1986. - Т. XXYI, вып. 4. - С. 501-503.
К.С. Дуброва, В.С. Коваль, В.Я. Курячий, Н.В. Стучинская / Акустические исследования монокристаллов дифосфида кадмия в области существования несоизмеримой фазы // Украинский физический журнал.-1988. -Т. 33, № 8.- С. 1259-1262.
Беляев А.Д., Коваль В.С., Курячий В.Я., Михальченко В.П., Стучинская Н.В. Фазовые переходы в тетрагональном дифосфиде кадмия // Нов. в получ. и примен. фосфидов и фосфорсодержащих сплавов: труды 4 семин., Алма-Ата, 1987. Т. 2. - Алма-Ата, 1988. - С. 89-92.
L.E. Soshnikov, V.M. Trukhan, T.V. Haliakevich, H.L. Soshnikovа / Elastic and dielectric properties of AIIBV (A = Cd or Zn; B = P or As) single crystals // Crystallography reports.- 2005.- V. 50, Suppl. 1.- P. S37-S45.
Soshnikov, L.E. Dielectric and elastic properties of CdP2, ZnP2 and ZnAs2 single crystals / L.E. Soshnikov, V.M. Trukhan, T.V. Haliakevich, H.L. Soshnikovа // Moldavian Journal of the Physical Sciences. -2005. - Vol. 4, № 2. - P. 201-210.
С.В. Алышев, В.Е. Егорушкин, С.А. Шабаловская / О фазовых переходах в несоизмеримые структуры и связанных с ними аномальных физических свойствах // ФТТ.-1984.-Т. 26, Вып. 3.- С. 856-858.
Федотов В.Г., Карликов Д.Н., Горыня Л.М., Бычков А.Г. Дисперсия естественной оптической активности и фарадеевское вращение в кристаллах дифосфида кадмия // Журнал прикладной спектроскопии.-1978 - Т. 28, № 1.- С. 164-165.
И.С. Горбань, В.И. Луговой, И.И. Тычина, Е.Г. Ульянова / Естественная оптическая активность кристаллов CdP2 // Украинский физический журнал. - 1975.-Т. 20, № 10. -С. 1747.
V.V. Borshch / Birefringence and optical activity of CdP2 // Phys. stat. sol. (a) - 1977. - Vol. 44. - P. K15-K19.
V.G. Fedotov, Bychkov A.G., Karlikov D.N., Gorynya L.M., Sheleg A.U., Smolyarennko E.M., Orlik Z.K. / Temperature studies of optical properties of cadmium diphosphide crystals // Phys. stat. sol. (a). - 1983.- Vol. 76. - P.121-126.
V.A. Gnatyuk [et al.] / Dispersion of optical characteristics of anisotropic CdP2 single crystals // Phys. Chem. Solid State.- 2004.-Vol. 5, № 2. -P. 256-259.
И.И. Тычина / Анизотропия монокристаллов дифосфидов цинка и кадмия тетрагональной модификации // Новое в получении и применении фосфидов и фосфоросодержащих сплавов. Изд. Наука. 1998 . С. 68-72.
I.T. Bondar, V.M. Trukhan, A.U. Sheleg / Anisotropy of the temperature dependence of the refractive indices of a cadmium diphosphide crystal // Journal of Optical Technology. - 2006. - Vol. 73, Issue 8. - P. 525-527.
М.П. Лисица, П.Е. Мозоль, И.В. Фекешгази / Температурное измерение коэффициента двухфотонного поглощения в дифосфидах кадмия и цинка // Квантовая электроника.-1974.-Т. 1, Вып. 3- С. 714-716.
М.П. Лисица [и др.] / Анизотропия двухфотонного поглощения в дифосфиде кадмия // ФТП.-1974.- Т. 8, Вып. 2. - С. 242-246.
В.В. Борщ, М.П. Лисица, П.Е. Мозоль, И.В. Фекешгази / Дисперсия двухфотонного поглощения в дифосфидах кадмия и цинка // Украинский физический журнал.-1977.- Т. 22, №. 11. - С. 1911-1912.
П.Е. Мозоль, И.И. Пацкун, Е.А. Сальков, И.В. Фекешгази / Двухфотонные и двухступенчатые переходы в широкозонных полупроводниках CdP2, ZnP2 и ZnSe // Известия академии наук СССР. Серия физическая. -1981.-Т. 45, № 6.- С. 1092-1097.
Ю.В. Власенко, М.П. Лисица, И.В. Фекешгази / Нелинейные оптические свойства гиротропных кристаллов CdP2 и ZnP2 // Квантовая электроника- 1985.-Вып. 29.- С. 36-48
И.В. Фекешгази, Н.Р. Кулиш, Н.И. Малыш, Т.С. Сиденко, В.М. Трухан, Т.В. Голякевич / Исследование коэффициента двухфотонного поглощения монокристаллов CdP2 // ЖПС.-2009.-Т. 76, № 1.- С. 117-121
М.П. Лисица [и др.] / Разрушение поверхности дифосфидов кадмия и цинка излучением рубинного лазера // Квантовая электроника.- 1976.- Вып. 10.- С. 81-84.
Зуев В.А., Федотов В.Г., Горыня Л.М., Л.К. Орлик, М.А. Степанова / Спектральные характеристики конденсаторной и вентильной фото-эдс в кристаллах CdP2 // Известия вузов МВ и ССО СССР. Физика.-1988.-№ 2. - С. 112-113.
Горыня Л.М., Зуев В.А., Федотов В.Г., В.Г. Попов, М.А. Степанова / Проявление фазового перехода в конденсаторной фото-эдс CdP2 // Украинский физический журнал.-1989.-Т. 34, № 5. - С. 746-747.
Я.И. Верцимаха, В.А. Зуев, М.А. Степанова, В.И. Трофимов, В.Г. Федотов / Спектральное распределение фото-эдс и фотопроводимости дифосфида кадмия // Украинский физический журнал.-1993.-Т. 38, № 3. - С. 444-447.
В.С. Коваль. Материалы докл. 5-й научной конференции Кишин. политехн. ин-та, 1969, С. 153.
Химия фосфидов с полупроводниковыми свойствами. Новосибирск, Наука. 1970, С. 43.
Потыкевич И.В. Материалы докладов на III Всесоюзном совещании по фосфидам и фосфатам. Рига. «Зинатне». 1971.
G. Haacke, G.A. Gastellion /Preparation and Semiconducting properties of Cd3P2 // J. Appl. Phys. - 1964.-Vol. 35, № 8.-P. 2484-2489.
P.J. Lin-Chung // Energy band structures of Cd3P2 and Zn3P2 // Phys. stat. sol. (b)
1971. - Vol. 47, Issue 1. - P. 33 - 39.
V.V. Sobolev, N.N. Syrbu / Anisotropy of edge absorption and photoluminescence of tetragonal ZnP2 and CdP2 single crystals // Phys. stat. sol. (b).- 1971.- V. 43, № 1.- P. K87-K91.
В.С. Коваль. Получение и комплексное исследование монокристаллов соединения CdP2. Автореферат канд. диссертации, Кишинев, Кишин. гос. университет, 1973.
W. Zdanowicz // Bull. Acad. Pol. Sci., Ser. Sci. Chem. - 1964. - Vol. 12, № 1.
P. 169.
В.Я. Шевченко, Электронная техника. Серия. «Материалы» 1974, вып.2., 92.
М.Я. Валах, А.В. Федотовский, И.И. Тычина / // ФТП.-1973.-Т. 15, № 12. - С. 2228.
Дмитрук, Н.Л. Спектральное распределение фотопроводимости дифосфида кадмия / Н.Л. Дмитрук, В.А. Зуев, М.А. Степанова // Изв. высших учебных заведений. Физика. - 1991.-Т. 34, № 7.- С. 96-98.
Jura R, H. Bur. // Z. anorgan. und allgem. Chem. - 1956. - V. 283.- P. 230.
Потыкевич, И.В. Электропроводность и фотопроводимость монокристаллов CdP2 p-типа / И.В. Потыкевич, А.В. Любченко, В.С. Коваль // Украинский физический журнал.-1972. -Т. 17, № 4 - С. 608-611.
В.П. Новиков Ионная проводимость монокристаллов ZnP2 и CdP2 // Доклады Академии наук БССР. - 1982. - Т. XXVI, № 8. - С. 697-698.
108. Зуев В.А., Федотов В.Г., Бычков А.Г., Смоляренко Э.М., Трухан В.М, Якимович В.Н. Исследование термически индуцированного отклонения лазерного луча в кристаллах дифосфидов цинка и кадмия // Квантовая электроника.-1988.-Вып. 34.
1. Диаграммы состояния систем Zn-Zn3P2 и Cd-Cd3P2 / Я.А. Угай [и др.] // Неорган. материалы. - 1968. - Т. 4, № 1.- С. 147-148.
2. Berak, T. Phase equilibriain the zinc-cadmium-phosphorus system. Part: The Cadmium-Phosphorus System / T. Berak, Z. Pruchnik // Rocznik Chem. Ann. Soc. Chim. Polon. - 1968.- Vol. 42. - P. 1403-1409.
1 Zdanowicz, W. Preparation and semiconducting properties of cadmium phosphide (Cd3P2) / W. Zdanowicz, A. Wojakowski // Phys. stat. sol. (b). - 1965.- Vol. 8, № 2. - P. 569-575.
1 Kalicinska-Karut, T. The stoichiometric formula and space group of cadmium phosphide Cd7P10 / T. Kalicinska-Karut, Z. Pruchnik, K. Lukaszewicz // Rocz. Chem. Ann. Soc. Chim. Pol. - 1971.- Vol. 45, № 11.- P. 1991-1992.
2 Структура соединения Cd7P10 / Е.И. Завалишин [и др.] // Журнал структурной химии. - 1979. - Т. 20, № 1. - С. 146-148.
3 Арсенов, А.В. Получение и свойства Cd6P7 / А.В. Арсенов, В.С. Кавецкий, А.Н. Лукин // Материаловедение полупроводниковых соединений тез. докладов V Всесоюзного координационного совещания, Душанбе, 24-26 мая 1982 г. / Москва, 1982. - С. 92.
4 Pistorius, C.W.F.T. High-pressure phase relations and crystal structure determination for zinc phosphide. Zn3P2 and cadmium phosphide Cd3P2 / C.W.F.T. Pistorius, T.B. Clark, T. Coetzer // High Temp.-High Press. - 1977.- Vol. 9, № 4. - P. 471-482.
5 Структура соединения Cd3P2 / И.Е. Занин [и др.] // Журнал структурной химии. - 2006.- Т. 47, № 1. - С. 84-86.
6 Самиев, С.Х. Физико-химическое исследование фосфидов кадмия и цинка: дис. на соискание учёной степени канд. хим. наук: 02.00.04 / С.Х. Самиев.- М., 1979. -112 л.