
- •Глава 2. Структура реального кристалла
- •2.1. “Теоретическая прочность”
- •2.2. Дефекты в кристаллах
- •2.3. Точечные дефекты
- •2.4. Подвижность точечных дефектов. Диффузия
- •2.5. Дислокации
- •2.6. Взаимодействие и размножение дислокаций
- •2.7. Поверхностные дефекты. Малоугловая граница
- •2.8. Дефекты упаковки
- •2.9. Расщепленные дислокации
- •2.10. Границы зерен
- •Глава 3. Основы теории сплавов
- •3.1. Фазы в сплаве
- •3.1.1. Твердые растворы
- •3.1.2. Электронные соединения
- •3.1.3. Фазы Лавеса
- •3.1.4. Фазы внедрения
- •3.2. Диаграммы состояния сплавов
- •3.2.1. Диаграммы состояния сплавов с неограниченной растворимостью
- •3.2.2. Диаграммы состояния сплавов, компоненты которых нерастворимы в твердом состоянии (рис.3.5)
- •3.2.3. Диаграммы состояния сплавов с ограниченной растворимостью
- •3.2.4. Диаграммы состояния с перитектикой (рис.3.8)
- •3.2.5. Диаграмма состояния системы железо-углерод (рис.3.11)
- •3.2.6. Углеродистые стали
- •3.2.7. Чугуны
2.8. Дефекты упаковки
Как указывалось в главе 1, совершенную решетку можно представить в виде пачки идентичных атомных слоев, уложенных в определенной последовательности. Оказывается, что в реальных материалах возможно нарушение правильной последовательности чередования слоев упаковки атомов. В результате образуется своеобразный дефект, называемый дефектом упаковки.
Схематически дефекты упаковки для ГЦК и ГПУ-решеток можно представить в виде
ГЦК – АВС АВС АС АВС АВС ...
ГПУ – АВ АВ АВ АВС АС АС ...
Такое нарушение последовательности упаковки слоев может получиться, например, при облучении, если в правильной решетке удалить часть слоя атомов или, наоборот, вставить часть нового слоя между двумя исходными (рис.2.15).
В первом случае (рис.2.15а) конфигурация атомных плоскостей соответствует образованию вакансионного диска плоского скопления вакансий. Во втором случае (рис.2.15б) конфигурация соответствует межузельному диску – плоскому скоплению внедренных атомов. Очевидно, что контур скоплений обоего типа представляет собой дислокационную петлю.
В области дефекта упаковки сохраняются расстояния между атомами и количество ближайших соседей, поэтому не возникает изменения (увеличения) упругой энергии кристалла. Однако электронный газ “чувствует” изменение последовательности слоев. Поэтому с дефектом упаковки все-таки связана некоторая избыточная энергия. Энергия дефекта упаковки зависит от энергии электронов в кристалле и является важным параметром состояния химической связи в материале.
2.9. Расщепленные дислокации
Скользящая
дислокация перемещает плотноупакованный
слой в плоскости скольжения (а с ним и
все слои выше него) как одно целое на
величину вектора Бюргерса
,
что соответствует сдвигу в идентичное
кристаллографическое положение,
например, сдвиг
в слое типа
,
однако, возможна
ситуация, когда сдвиг происходит в два
этапа
.
В этом случае в области 1 реализован
сдвиг
,
и последовательность укладки слоев
правильная.
В области 2 атомы
из положения
смещены в положение
,
также устойчивое. Это – область дефекта
упаковки. В области 3 атомы снова в
положении
,
и там правильная упаковка.
Область дефекта
упаковки 2 ограничивают дислокации,
реализующие сдвиги
и
,
которые называются частичными
дислокациями.
Их векторы Бюргерса не являются полными
трансляциями решетки, но в сумме
составляют вектор Бюргерса полной
дислокации,
представляющий собой вектор трансляции
решетки:
(2.25)
Таким образом, частичная дислокация всегда окаймляет дефект упаковки. Это может быть лента дефектов упаковки с двумя частичными дислокациями по краям (такая конфигурация называется расщепленной дислокацией) или дислокационная петля с дефектом упаковки внутри (такие петли часто образуются при облучении).
Равновесная ширина
ленты дефекта упаковки определяется
упругим расталкиванием частичных
дислокаций, с одной стороны, и стягиванием
дефекта упаковки. Т.к. на единицу площади
дефекта упаковки приходится некоторая
избыточная энергия
то
она играет роль поверхностного натяжения.
Отсюда равновесная ширина расщепления
дислокации:
.
(2.26)