01 Жартылай өткізгішті диодтар
$$$001
Диодтың суретте көрсетілгендей ВАС-ы бар, ондағы U=2В, I1=1А. Резистордың кедергісі:
A) 1 Ом
B) 1,5 Ом
C) 2 Ом
D) 0,25 Ом
E) дифференциалдық кедергіге тең
F) табалдырықтық кернеуге тең
G) диодтың толық ашылуы кезіндегі кернеу мен токтың мәндеріне тең
H) токсыз кернеуіне тең
{Правильные ответ} = А, F, G
{Сложность} = 2
{Учебник} = Булычев А.Л. и др. «Электронные приборы» :Учебник для вузов.-М.:ЛайтЛтд.,2000,-416с.
{Характеристика}=
{Курс}=
{Семестр}=
$$$002
Токты тұрақтандыру үшін вольт-амперлік сипаттамасы бар сызықты емес элемент қолданылады, ол мына суретке сәйкес келеді:
A)
F)
G)
$$$003
Егер элементтің кедергісі токтан немесе келтірілген кернеуге байланысты болса, онда мұндай элементтің аталуы:
C) сызықты
E) тура байланысты сипаттамасы бар элемент
H) сызықты ВАС-ы бар элемент
$$$004
Электрлік кернеуі мен электрлік тогы бір-бірімен сызықты емес тәуелділікпен байланысты электрлік тізбектің аталуы:
C) сызықты емес электрлік тізбек
E) құрамында резистивті элементтері жоқ электрлік тізбек
F) құрамында R,L,C элементтері бар күрделі тізбектің бөлігі
$$$005
Түзеткіш сұлбасында стабилитронның қызметі:
C) тұрақтандырғыш
E) тұрақты кернеуді ұстап тұрудың аспабы
F) тіректі диод
$$$006
Электрондардың дрейфті тогының тығыздығы:
A) jn = eDndn/dx
D) 
E) J=∙E
$$$007
Диодтың р-облысындағы электрондардың диффузиялық ұзындығы мен заряд тасымалдаушылардың өмір сүру уақытының арасындағы қатынас:
A) 
C) 
D) заряд тасымалдаушылардың өмір сүру уақыты мен диффузия коэффициентінің екі параметрінің байланысы
$$$008
n-p ауысуының КЗО (кеңістіктік заряд облысы)-ғы көлемді зарядтың өрісінің қалыптасуы:
A) донор және акцептор қоспаларының теңестірілмеген зарядтарымен
D) екі әртүрлі аттас зарядталған қабаттармен
E) теңестірілген күймен (мұнда диффузиядан болатын негізгі тасымалдаушылардың аз тогы және түйісу өрісінің әсерінен болатын негізгі емес тасымалдаушылардың тогы, бұл токтар бір-бірін теңестіреді).
$$$009
n-p ауысуының КЗО (кеңістіктік заряд облысы)-ғы ішкі электрлік өрісі:
A) болмайды
D) КЗО қысқарады, егер оң потенциал p-облысына қосылған болса, онда потенциалды барьер төмендейді (тура ығысу)
E) КЗО қысқарады, егер теріс потенциал n -облысына қосылған болса, онда потенциалды барьер төмендейді (кері ығысу)
$$$0010
Температураның өсуімен жартылай өткізгіштегі қоспа диффузиясы процесінің өту жылдамдығы:
A) өседі
D) процестің өту уақытына байланысты өседі
F) процестің өту уақытына және енгізетін қоспалардың (акцепторлық немесе донорлық) түріне байланысты өседі
$$$0011
Кремний аспаптық құрылымдағы сапфирлі кремний қышқылының (SiO2) қолданысы:
E) диэлектрик ретінде
F) сапфирлі кремний космостық бағдарламаларда қолданылады, ол сәулеленуге жоғары мықтылығымен түсіндіріледі
G) өткізетін жол ретінде
$$$0012
Диодтың вольт-амперлік сипаттамасы (Шокли теңдеуі):
B) 
D)
E)
$$$0013
Өрнектелмеген р-жартылай өткізгіштің Ферми деңгейі мына жерде орналасады:
C) тыйым салынған аймақта, валенттік аймақтың жоғары бөлігіне жақын
F) тыйым салынған аймақтан валенттік аймақтың максималды мәніне дейінгі аралық
G) өткізгіштік аймақтан өтіп, валенттік аймаққа жетеді
$$$0014Суретте
шартты-графикалық белгілену келтірілген:
A) түзеткіштің активті жүктемеге жұмыс істеу сұлбасы
D) бір жарты периодты түзеткіш
E) төменгі жиілікті сүзгілі түзеткіш сұлбасы
$$$0015
Стабилитронның қосылу сұлбасы:
B)
F)
G)
$$$0016
Жартылай өткізгішті стабилитрон – бұл жартылай өткізгішті диод, ондағы кернеу электрлік тесілу облысында токтан аз тәуелді және оның қызметі:
D) керенеуді тұрақтандыру
E) ВАС кері бөлігінде тұрақты кернеуді ұстап тұру
G) Imin-дан Imax-ға дейінгі аумақта бір кернеудің мәнін ұстап тұру
$$$0017
Сыйымдылық ретінде қолданылатын диод:
C) варикап
F) вариконд
G) варикап
$$$0018
p-n ауысуының ВАС суреттеуі, бұл:
B) I=I0expU[/(ϕT −1)
D) Шокли формуласы
E)
$$$0019
Жартылай өткізгіштердің тыйым салынған аймақтың ені:
A) 3 эВ-тен аз, тыйым салынған аймақтың ені ~0.3 эВ-те аз жартылай өткізгіштер тар аймақты жартылай өткізгіштер деп аталады
B) 3 эВ-тен көп, тыйым салынған аймақтың ені ~0.3 эВ-те көп жартылай өткізгіштер кең аймақты жартылай өткізгіштер деп аталады
F) сипаттық мәні 0,1—4 эВ құрайды
$$$0020
Жартылай өткізгіштердегі заряд тасымалдаушылардың бағытталған қозғалысының негізгі мүмкін болатын түрлері -
A) диффузиялық және дрейфтік
G) заряд тасымалдаушылардың қозғалысы концентрация айырымына байланысты
H) заряд тасымалдаушылардың қозғалысы электрлік өріс кернеулігіне байланысты
$$$0021
Диффузиялық ұзындық:
A) диффузиялық қозғалыс кезіндегі бос жүрістің ұзындығы
B) заряд тасымалдаушылардың концентрациясы диффузиялық қозғалыс кезінде 5 есеге азаятын ара қашықтық
F) L = D.t.
$$$0022
Жартылай өткізгіштің теориялық түрінен реалды ВАС-ның айырмашылығына алып келетін негізгі факторлар:
A) жартылай өткізгіштердегі генерация және рекомбинация токтары
C) p-n ауысу өлшемдерінің түпкілігі
E) температураға тәуелділігі
$$$0023
p-n ауысудың кері кернеуінің өсуі (модуль бойынша) кезінде барьерлік сыйымдылықтың өзгерісі:
D) сызықты заң бойынша азаяды
E) азаяды
H) сол кернеудің модулі бойынша сәйкесінше азаяды
$$$0024
Жартылай өткізгішті диодтың ВАС-на температураның өсуінің әсері:
D) кері ток өседі, ал тура ток азаяды
F) әсер етеді, көптеген диодтар үшін температураның жоғарылауынан тесілу аз кернеу кезде басталады
H) температураның жоғарылауынан кері ток айтарлықтай өседі, ал тура ток аса өзгермейді
$$$0025
Аз айнымалы сигнал кезінде p-n ауысудың эквиваленттік сұлбасы:
B)
F)
H)
$$$0026
Жартылай өткізгішті диодтың төменде көрсетілгеннің ішінен электрлік тесілуі:
B) ауысу арқылы кері ток мәнінің өсуі кезінде p-n ауысудағы кернеудің жылдам өсуі
D) ауысу арқылы кері кернеу мәнінің өсуі кезінде p-n ауысудағы токтың жылдам өсуі
F) осы диод мәні үшін қысылшаң болатын кері кернеуге жету кезінде диод арқылы кері токтың жылдам өсу құбылысы
$$$0027
Туннельдік диодтың вольтамперлік сипаттамасы:
B)
F) туннельдік диодтың ВАС-ы теріс дифференциалды кедергінің бөлігімен сипатталады
H) туннельдік диодтың ВАС-ы жабық күйді, өтпелі процесті және ашық күйді көрсетеді
$$$0028
Бір фазалы көпірлік түзеткіштің сұлбасы мына суретте көрсетілген:
A)
G)
H)
$$$029
p-n ауысудың мына ерекше қасиеті туннельдік диодтың жұмысында қолданылады:
C) туннельдік тесілу
F) теріс дифференциалды кедергісі бар бөліктің болуы
G) онда электрон қозғалысына кедергі болатын өте тар потенциалды барьер болады, оның вольтамперлік сипаттамасы туннельдеудің квантомеханикалық процесімен анықталады
$$$030
Айнымалы токты түзету үшін қолданылатын диод:
A) түзеткіштік
F) бір жақты өткізгіштігі бар құрылғы
G) түрлендіргіш